在不靠譜這臺路上，三星似乎一直很靠譜……根據集邦咨詢的最新報告，三星的2nm工藝仍然面臨極大困難，目前的良品率只有可憐的10-20％，完全無法投入量產。受此壓力，三星計劃在海外更大規模地裁員，從美國得克薩斯州的泰勒工廠撤回更多人員。事實上，據稱三星晶圓廠的整體良品率都不到50％，尤其是在3nm及更先進工藝上非常差勁。要知道，臺積電的整體良率約有60-70％。三星官方的計劃是，2025年量產2nm，包括SF2、SF2P、SF2X、SF2A、SF2Z等多個不同版本，2027年繼續量產1.4nm。據悉，三星2n
關鍵字：
三星 晶圓廠 2nm
IT之家?9 月 11 日消息，韓媒 The Elec 今日援引行業消息源報道稱，三星電子又收獲一份 2nm 制程先進工藝代工訂單，將為美國無廠邊緣 AI 半導體企業安霸 Ambarella 生產 ADAS（IT之家注：高級駕駛輔助系統）芯片。知情人士表示，三星近期成功中標安霸的代工訂單，相關產品預計于 2025 年流片，計劃 2026 年量產。根據三星今年 6 月公布的 2nm 家族路線圖，初代 SF2 工藝將于 2025 年量產，而面向車用環境的 SF2A 量產時間落在 2027 年。若市場
關鍵字：
三星 2nm 晶圓代工 ADAS 輔助駕駛
近日，高通首席執行官克里斯蒂亞諾?阿蒙在受訪時透露，該公司正在與三星和谷歌開展合作，研究與智能手機相連的混合現實（MR）眼鏡，旨在打造獨特的產品解決方案。據悉，這種混合現實智能眼鏡可能更輕便，更側重于與智能手機的配合使用。對于此次合作，阿蒙表示，衷心希望通過這次合作，能夠讓所有擁有智能手機的人都能夠購買與之配套的眼鏡。據了解，谷歌、三星和高通早在去年2月就已達成合作伙伴關系，共同開發MR技術。
關鍵字：
高通 谷歌 三星 MR技術
根據韓媒報道，9月2日，三星電子在第二季度引入了少量用于大規模生產GaN功率半導體的設備。GaN是下一代功率半導體材料，具有比硅更好的熱性能、壓力耐久性和功率效率。基于這些優勢，IT、電信和汽車等行業對其的需求正在增加。三星電子也注意到了GaN功率半導體行業的增長潛力，并一直在推動其進入市場。去年6月，在美國硅谷舉行的“2023年三星代工論壇”上，該公司正式宣布：“我們將在2025年為消費電子、數據中心和汽車領域推出8英寸GaN功率半導體代工服務。”根據這一戰略，三星電子第二季度在其器興工廠引入了德國愛思
關鍵字：
三星 氮化鎵 功率半導體
IT之家 9 月 4 日消息，據韓媒 ZDNET Korea 報道，三星電子 MX 部門 8 月向 DS 部門表達了對面向 Galaxy S25 系列手機的 1b nm （IT之家注：即 12nm 級） LPDDR 內存樣品供應延誤的擔憂。三星電子于 2023 年 5 月啟動 1b nm 工藝 16Gb DDR5 內存量產，后又在當年 9 月發布 1b nm 32Gb DDR5，并一直在內部推進 1b nm LPDDR 移動內存產品的開發工作。然而該韓媒此前就在今年 6 月
關鍵字：
三星 內存 DDR5
美國芯片大廠英特爾正重新考慮放棄賠錢的代工業務，外界關注是否會讓三星受益，但韓媒保守看待，直指三星想在2030年擊敗臺積電，似乎是一個不切實際的目標。根據《韓國先驅報》報導，有專家表示，三星尋求在臺積電主導的代工市場里分一杯羹，雖然英特爾的退出可能是有利的，因為消除潛在的威脅，不過成效恐怕有限。由于芯片制造成本高昂，英特爾一直在虧損，累計上半年虧損已達53億美元，如果英特爾決定出售代工業務，三星有機會擴大業務，但臺積電和三星都被視為可能的潛在買家，臺積電又是強敵。行業觀察人士認為，三星要在2030年擊敗臺
關鍵字：
英特爾 代工競賽 三星 臺積電
韓廠三星對于維持技術領導地位信心漸失？根據韓媒朝鮮日報報導，三星從2020年財報以來，財報內已不見「世界第一」（world's first）的措辭。雖然三星技術上不斷追趕臺積電腳步，但產能與良率仍有明顯差距。報導分析三星半導體業務部門這10年來的財報，從2014年到2019年，三星每份財報都提到推出全球第一個新產品，并強調領先對手的差距，高度展現其信心。2020年碰到疫情，三星當時坦承對市場環境構成挑戰，仍抱持樂觀態度，但「世界第一」一詞，從這時開始在三星財報消失。三星的2021年和2022年財報
關鍵字：
三星 臺積電
三星為了與臺積電競爭大絕盡出，根據《韓國經濟日報》報導，三星計劃采用最新「背面電軌」（BSPDN，又稱「晶背供電」）芯片制造技術，能讓2納米芯片的尺寸，相比傳統前端配電網絡（PDN）技術縮小17%。三星代工制程設計套件（PDK）開發團隊副總裁Lee Sungjae近期向大眾揭露BSPDN細節，BSPDN相較于傳統前端配電網絡，可將芯片效能、功率分別提升8%、15%，而且三星預定在2027年量產2納米芯片時采用BSPDN技術。BSPDN被稱為次世代晶圓代工技術，該技術主要是將電軌置于硅晶圓被面，進而排除電與
關鍵字：
三星 BSPDN 臺積電
三星電子今日宣布，其用于高級車載信息娛樂（IVI）和高級駕駛輔助系統（ADAS）的LPDDR4X車載內存，已通過高通最新的驍龍?
數字底盤?平臺驗證。這不僅證明了三星LPDDR4X車載存儲器的卓越性能，也體現了三星在汽車應用領域的深厚技術實力和長期支持客戶的堅實承諾。三星和高通攜手共同助力高級車載信息娛樂（IVI）和高級駕駛員輔助系統（ADAS）"三星豐富的DRAM和NAND車規產品組合，且均通過了AEC-Q100[1]驗證。因此，三星是高通技術公司攜手共進、為客戶打造長期解決方案的理想伙伴
關鍵字：
三星 高通 高級車載信息娛樂 高級駕駛員輔助系統
IT之家 8 月 27 日消息，科技媒體 91Mobile 今天（8 月 27 日）發布博文，表示其在 GeekBench 跑分庫上發現了三星頭顯設備的蹤跡，6.3.0 版本最高單核成績為 1088 分，多核成績為 2093 分。IT之家查詢 GeekBench 跑分庫，發現三星頭顯設備型號為“SM-I130”，目前共有 7 條跑分記錄，均為 8 月 26 日上傳。根據跑分庫信息，該頭顯運行安卓 14 系統，配備六核處理器，基本時鐘頻率為 2.36 GHz，從配置來看應該是驍龍 XR2
關鍵字：
三星 VR 可穿戴設備
三星2024年上半年在全球智能手機OLED顯示屏市場的份額，由去年上半年的51.6%降到了43.8%。三星希望通過LTPO技術等方式，在OLED顯示屏領域和整體上獲得更大的份額
關鍵字：
LTPO 三星 OLED 顯示屏 面板
韓三星電子今年第2季半導體業務營收超車臺積電，時隔2年重回半導體王者寶座。不過據外媒報導，美國知名學府哈佛大學指控三星在微處理器與內存芯片領域侵犯了其2項專利，相關技術還涉及三星多款手機。綜合路透社等外媒報導，三星已遭哈佛大學在德州聯邦法院起訴。哈佛大學指控，三星生產微處理器與內存芯片的技術侵犯了該校化學教授Roy Gordon與其他4位發明人在2009年與2011年獲得的專利，這4人曾是Roy Gordon教授實驗室的博士后或研究生。哈佛大學的律師在訴狀中宣稱，三星未經授權在其微芯片、智能型手機與半導體
關鍵字：
三星 微處理器
三星去年10月就向英偉達提供了8層垂直堆疊的HBM3E（24GB）樣品，不過一直沒有通過英偉達的測試。此前有報道稱，已從多家供應鏈廠商了解到，三星的HBM3E很快會獲得認證，將在2024年第三季度開始發貨。據The Japan Times報道，三星的HBM3E終于通過了英偉達的所有測試項目，這將有利于其與SK海力士和美光爭奪英偉達計算卡所需要的HBM3E芯片訂單。雖然三星和英偉達還沒有最終確定供應協議，但是問題不大，預計今年底開始交付。值得一提的是，三星還有更先進的12層垂直堆疊HBM3E（32GB）樣品
關鍵字：
三星 HBM3E 英偉達 SK海力士 AI
IT之家 8 月 7 日消息，今天早些時候路透社報道稱，三星的 8 層 HBM3E 芯片已通過英偉達測試。現據韓媒 BusinessKorea 報道，三星電子回應稱該報道并不屬實。對于這一傳聞，三星明確回應稱：“我們無法證實與客戶相關的報道，但該報道不屬實。”此外，三星電子的一位高管表示，目前 HBM3E 芯片的質量測試仍在進行中，與上月財報電話會議時的情況相比沒有任何變化。此前路透社的報道稱，三星的 8 層 HBM3E 芯片已經通過英偉達的測試，并將于第四季度開始供貨。IT之家注意到
關鍵字：
三星 HBM3E
8月7日消息，隨著移動設備功能的不斷增強，對內存性能和容量的要求也日益提高。據外媒gsmarena報道，三星電子近日宣布，公司推出了業界最薄的LPDDR5X
DRAM芯片。這款12納米級別的芯片擁有12GB和16GB兩種封裝選項，專為低功耗RAM市場設計，主要面向具備設備端AI能力的智能手機。gsmarena這款新型芯片的厚度僅為0.65毫米，比上一代產品薄了9%。三星估計，這一改進將使其散熱性能提高21.2%。gsmarena三星通過優化印刷電路板（PCB）和環氧樹脂封裝技術，將LPDDR5X的厚度
關鍵字：
三星 手機芯片 LPDDR5X DRAM
三星 sdi介紹
您好，目前還沒有人創建詞條三星 sdi!
歡迎您創建該詞條，闡述對三星 sdi的理解，并與今后在此搜索三星 sdi的朋友們分享。
創建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473