三星去年10月就向英偉達提供了8層垂直堆疊的HBM3E（24GB）樣品，不過一直沒有通過英偉達的測試。此前有報道稱，已從多家供應鏈廠商了解到，三星的HBM3E很快會獲得認證，將在2024年第三季度開始發貨。

據The Japan Times報道，三星的HBM3E終于通過了英偉達的所有測試項目，這將有利于其與SK海力士和美光爭奪英偉達計算卡所需要的HBM3E芯片訂單。雖然三星和英偉達還沒有最終確定供應協議，但是問題不大，預計今年底開始交付。

值得一提的是，三星還有更先進的12層垂直堆疊HBM3E（32GB）樣品，正在努力通過英偉達的驗證測試。有行業專業指出，SK海力士也準備了12層垂直堆疊的HBM3E產品，三星總體進度上仍然要落后一些。SK海力士一直是英偉達主要的HBM產品供應商，而美光之前已開始向英偉達供應HBM3E芯片，逐漸提升了市場占有率。

隨著人工智能（AI）市場的快速增長，HBM技術通過垂直堆疊多個DRAM芯片來顯著提高數據處理速度，已經變得越來越重要。隨著三星的HBM3E開始通過英偉達的驗證，預計至少20%到30%的產能轉移到HBM產品，這將進一步收縮普通DRAM芯片的供應，很可能會推動DDR5內存價格上漲。