Imec在將固態納米孔技術從實驗室帶入大規模生產方面邁出了重要一步。在IEDM 2025上，比利時研發中心展示了首次成功利用極紫外（EUV）光刻技術在晶圓級制造固態納米孔。這一發展凸顯了前沿CMOS工藝在主流芯片擴展之外的應用。極紫外光刻正作為新型設備類別的推動力，包括醫療應用中的固態生物傳感器。從實驗室規模的孔隙到300毫米晶圓納米孔徑僅有幾納米，制造商將其蝕刻在薄膜上，通常是氮化硅。在浸液膜上施加電壓，使單個分子通過孔隙并產生特征性電信號。這使得納米孔成為單分子檢測（包括DNA、蛋白質和病毒）的強大工
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光刻技術 半導體 晶圓
2025年全球半導體資本設備市場規模為1160億美元，預計到2034年將達到2105.8億美元左右，2025年至2034年復合年增長率為6.85%。到 2024 年，北美市場規模將超過 510.2 億美元，并在預測期內以 6.96% 的復合年增長率擴張。市場規模將超過 510.2 億美元，并在預測期內以 6.96% 的復合年增長率擴張。2024年全球半導體資本設備市場規模為1085.6億美元，預計將從2025年的1160億美元增長到2034年的約2105.8億美元，2025年至2034年復合年增長率為6.
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半導體 設備 光刻技術
Inversion Semiconductor Inc.（加利福尼亞州舊金山）是一家 2024 年的初創公司，計劃利用粒子加速為下一代光刻技術開發更亮、更可調的光源。該公司表示，與現有系統相比，它將能夠以高達 15 倍的速度制造芯片，并且具有更精細的功能。Inversion 加入 Lace Lithography 是一家初創公司，希望取代或至少被視為成熟的光刻市場領導者 ASML Holding NV 的替代品。當然，這兩家初創公司都看到了使用 13.5nm 波長的極紫外光進行光刻膠閃光曝光的進一步開發的
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Inversion Semiconductor 光刻技術
根據臺積電北美技術研討會的報告，代工臺積電不需要使用高數值孔徑極紫外光刻工具在其 A14 （1.4nm） 工藝上制造芯片。該公司在研討會上介紹了 A14 工藝，稱預計將于 2028 年投產。之前已經說過，A16 工藝將于 2026 年底出現，也不需要高 NA EUVL 工具。“從 2nm 到 A14，我們不必使用高 NA，但我們可以在加工步驟方面繼續保持類似的復雜性，”據報道，業務發展高級副總裁 Kevin Zhang 在發布會上說。這與英特爾形成鮮明對比，英特爾在積極采用高 NA 方面一直積極實施一項計
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臺積電 高NA EUV 光刻技術
據媒體報道，3月5日，ASML發布2024年度報告，首席執行官克里斯托弗·福凱（Christophe Fouquet）表示，如果展望ASML的未來增長，光刻技術無疑仍然是摩爾定律的主要驅動力之一，相信這一點在未來許多年里依然成立。與此同時，二維收縮（2D shrink）正變得越來越困難。這并不完全是由于光刻技術的局限性，而是因為我們幾乎達到了邏輯和存儲器客戶所使用的晶體管的極限。為了繼續在二維收縮方面取得進展，需要在架構和器件上進行創新。這意味著需要進行三維前道整合（3D front-end integr
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ASML 2D shrink 光刻技術 三維整合
據中國光谷官微消息，近日，武漢太紫微光電科技有限公司（以下簡稱“太紫微公司”）推出的T150 A光刻膠產品，已通過半導體工藝量產驗證，實現配方全自主設計，有望開創國內半導體光刻制造新局面。據悉，該產品對標國際頭部企業主流KrF光刻膠系列。相較于被業內稱之為“妖膠”的國外同系列產品UV1610，T150 A在光刻工藝中表現出的極限分辨率達到120nm，且工藝寬容度更大，穩定性更高，堅膜后烘留膜率優秀，其對后道刻蝕工藝表現更為友好，通過驗證發現T150 A中密集圖形經過刻蝕，下層介質的側壁垂直度表現優異。據了
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太紫微光電 光刻膠 光刻技術
位于日本筑波的高能加速器研究組織（KEK）的一組研究人員認為，如果利用粒子加速器的力量，EUV光刻技術可能會更便宜、更快、更高效。
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摩爾定律 粒子加速器 EUV 光刻技術
對于半導體行業而言，光刻技術和設備發揮著基礎性作用，是必不可少的。所謂光刻，就是將設計好的圖形從掩模版轉印到晶圓表面的光刻膠上所使用的技術。光刻技術最先應用于印刷工業，之后長期用于制造印刷電路板（PCB），1950 年代，隨著半導體技術的興起，光刻技術開始用于制造晶體管和集成電路（IC）。目前，光刻是 IC 制造過程中最基礎，也是最重要的技術。在半導體產業發展史上，光刻技術的發展經歷了多個階段，接觸/接近式光刻、光學投影光刻、分步（重復）投影光刻出現時間較早，集成電路生產主要采用掃描式光刻、浸沒式掃描光刻
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EUV 光刻技術
本周美光宣布，采用全球先進1β(1-beta)制造工藝的DRAM內存芯片已經送樣給部分手機制造商、芯片平臺合作伙伴進行驗證，并做好了量產準備。1β工藝可將能效提高約15％，存儲密度提升35％以上，單顆裸片(Die)容量高達16Gb(2GB)。一個值得關注的點是，美光稱，1β繞過了EUV（極紫外光刻）工具，而依然采用的是DUV（深紫外光刻）。這意味著相較于三星、SK海力士，美光需要更復雜的設計方案。畢竟，DRAM的先進性很大程度上取決于每平方毫米晶圓面積上集成更多更快半導體的能力，各公司目前通過不斷縮小電路
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美光 EUV 光刻技術
今年7月，在中國科學院官網上發布了一則研究進展，中科院蘇州所聯合國家納米中心在《納米快報》（Nano Letters）上發表了題為《超分辨率激光光刻技術制備5納米間隙電極和陣列》（5 nm Nano gap Electrodes and Arrays by a Super-resolution Laser Lithography）的研究論文，介紹了該團隊研發的新型5 納米超高精度激光光刻加工方法。該論文發表在《納米快報》（NanoLetters）。圖截自官網ACS官網 消息一經發出，外界一片沸騰，一
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中科院 光刻技術 ASML
9月17日，2019中國集成電路設計大會在青島市嶗山區正式召開， 中科院院士劉明在演講中指出，國內的光刻技術與國外......
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光刻技術 集成電路
來自比利時的IMEC總裁LucVandenhove博士在2012年中國國際半導體技術大會(CSTIC2012)上帶來精彩的視頻動畫，將會議現場的人們帶到了2020年，使觀眾身臨其境感受未來的互聯時代。
IMEC展示的視頻中的2020年人們生活將實現隨時隨地的互聯。要想實現這樣的華麗的互聯技術，就需要半導體產業的發展為前提，需要半導體高新技術的支持。因此，在未來的10年里，將如何推動半導體技術的發展擺在我們面前，這也正是Luc Van博士演講的所要說的——“半導
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半導體 光刻技術
臺積電與Globalfoundries是一對芯片代工行業的死對頭，不過他們對付彼此的戰略手段則各有不同。舉例而言，在提供的產品方面，Globalfoundries在28nm制程僅提供HKMG工藝的代工服務(至少從對外公布的路線圖上看是這樣)，而相比之下，臺積電的28nm制程則有HKMG和傳統的多晶硅柵+SION絕緣層兩種工藝可供用戶選擇。另外，兩者對待450mm技術的態度也不相同，臺積電是450mm的積極推進者，而Globalfoundries及其IBM制造技術聯盟的伙伴們則對這項技術鮮有公開表態。
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臺積電 光刻技術
芯片尺寸在接下來的幾年將持續微縮，不過芯片制造商也面臨許多挑戰。在美國舊金山舉行的國際固態電路會議(ISSCC)上，英特爾(Intel)資深院士、制程架構與整合總監Mark Bohr列出32奈米以下制程節點遭遇的五大障礙/挑戰，也提出了有潛力的解決方案。
1. 光刻技術(patterning or lithography)
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英特爾 光刻技術 晶體管 嵌入式內存
2004年6月A版
在摩爾定律的指引下，半導體工業每兩至三年就跨上一個新的臺階，即所謂的半導體技術發展路線圖(ITRS)。預計2004年進入90nm節點器件的批量生產，到2007年為65nm。然而這一切變化的關鍵是光刻技術，所以人們統稱光刻技術是半導體工業的“領頭羊”。2003年ITRS修訂的最新版本如表1所示。
隨著集成電路產品技術需求的提升，光刻技術也不斷地提高分辨率，以制作更微細的器件尺寸。全球光刻技術的進程如圖1所示。
傳統上提高光刻技術的分辨率無非是縮短曝光波長及增大鏡頭的數值
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光刻技術 其他IC 制程
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