晶體管文章最新資訊

單結(jié)晶體管的工作原理與伏安特性電路圖

單結(jié)晶體管具有負租特性，其工作原理和伏安特性見圖1-31。圖1-31中電源電壓UBB的正級接第二基極B2，負級接第一 ...
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通過外形標志和標準封裝代號判別常用晶體管的

通過外形標志和標準封裝代號判別常用晶體管的引腳排列在晶體管的產(chǎn)品治療說明或工具書中，常常只給晶體管的封 ...
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安森美半導體電源管理方案

近年來，手機等便攜設(shè)備市場持續(xù)快速發(fā)展。據(jù)預(yù)計，手機出貨量將從2011年的14億部增長至2014年的18億部;其中又以智能手機市場耀眼，受大量低成本Android手機上市推動，同期智能手機出貨量將從4億部增長至6.8億部，而且智能手機的半導體元件含量遠高于功能型或入門型手機。與此同時，領(lǐng)先制造商更加重視用戶使用體驗，其舉措之一是在產(chǎn)品設(shè)計中選擇能夠更好配合智能手機等便攜設(shè)備應(yīng)用要求及技術(shù)趨勢的產(chǎn)品及方案。
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用3DD15型晶體管改作光敏管

用3DD25型晶體管改作光敏管電子愛好者在制作光電控制儀或裝置時，經(jīng)常要用到光電三極管，簡稱光敏管。這里，向大 ...
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基于專用晶體管的非對稱Doherty技術(shù)

引言　　通用對稱Doherty放大器現(xiàn)已在蜂窩基站中廣泛使用。　　飛思卡爾半導體針對2.11GHz~2.17GHz頻段的 ...
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恩智浦推出業(yè)內(nèi)首款DFN封裝的中功率晶體管

恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V. 近日發(fā)布業(yè)內(nèi)首款采用2-mm x 2-mm 3管腳無引腳DFN封裝的中功率晶體管。這款BC69PA晶體管采用獨特的超小型DFN2020-3 (SOT1061)塑料SMD封裝，是恩智浦中功率晶體管家族中的首位小型晶體管成員。
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飛思卡爾新型Airfast RF功率方案重新定義晶體管性能

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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飛思卡爾使用新型Airfast RF功率解決方案重新定義晶體管性能

過去，RF功率的性能完全取決于線性效率。如今，開發(fā)者遇到更加復(fù)雜的挑戰(zhàn)：需要滿足多種標準、信號變化和嚴格的帶寬要求等。針對這一問題，飛思卡爾半導體推出新型硅片RF LDMOS功率晶體管Airfast RF功率解決方案
關(guān)鍵字：重新定義晶體管性能解決方案功率使用新型 Airfast

電子輻照對開關(guān)電源中功率雙極晶體管損耗的影響

中心議題：開關(guān)電源中開關(guān)晶體管的損耗開關(guān)電源中開關(guān)晶體管的電子輻照實驗電子輻照雙極晶體管和鉗位型雙極晶體管的比較
功率雙極晶體管的損耗是開關(guān)電源總損耗中的最多的器件之一，采用10M eV電子輻照
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雙匹配的音頻NPN晶體管MAT12

該MAT12是雙匹配的NPN晶體管配對，專門設(shè)計以滿足超低噪音的要求，音響系統(tǒng)。憑借其極低的輸入基地擴展電阻（成果 ...
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開關(guān)電源中功率晶體管的二次擊穿及防護

中心議題：功率晶體管二次擊穿的原因避免功率晶體管二次擊穿的措施開關(guān)電源中可選用的緩沖電路解決方案：耗能式關(guān)斷緩沖電路耗能式開通緩沖電路無源回饋關(guān)斷緩沖電路無源回饋開通緩沖電
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晶體管的檢測經(jīng)驗

　(一)晶體管材料與極性的判別　　1.從晶體管的型號命名上識別其材料與極性國產(chǎn)晶體管型號命名的第二部分用英文字母AD表示晶體管的材料和極性。其中，“A”代表鍺材料PNP型管，“B”代表鍺材料
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晶體管介紹

【簡介】　　晶體管（transistor）是一種固體半導體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關(guān)，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開關(guān)，和一般機械開關(guān)（如Relay、switch）不同處在于晶體管是利用電訊號來控制，而且開關(guān)速度可以非常之快，在實驗室中的切換速度可達100GHz以上。　　半導體三極管，是內(nèi)部含有兩個P [ 查看詳細 ]