- 愛爾蘭丁鐸爾國家研究院的科學家最近宣稱他們成功制出了業內首款非節型晶體管，并稱此項發明對10nm級別制程意義重大，可大大簡化晶體管的制造工藝復雜 程度。這種晶體管采用類似Finfet的結構，將晶體管的柵極制成婚戒型的結構，并在柵極中心制出硅質溝道，溝道的尺寸僅有數十個原子的直徑加起來那么大。
該研發團隊是由Jean-Pierre Colinge教授領導的，這種晶體管的亞閥值斜率接近理想狀態，而且還具備漏電電流小，門限電壓低以及耐溫性好的優點，而且還可以兼容于CMOS工藝。
硅溝道中的電
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晶體管 CMOS
- CISSOID，在高溫半導體解決方案的領導者，介紹了 VENUS，他們的新系列高溫 30V 的 P通道功率 MOSFET 晶體管保證操作在攝氐負55度到225度之間。P通道功率 MOSFETs 的VENUS系列命名為 CHT-PMOS3002，CHT-PMOS3004 及CHT-PMOS3008，其最大漏電流額定分別為2A，4A及8A。它們補充了該公司在2009年11月介紹的 N 通道 MOSFETs 的 SATURN 系列。
VENUS 功率 MOSFETs 表現出色的高溫性能。在攝氏 225
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CISSOID MOSFET 晶體管
- 恩智浦半導體(NXP Semiconductors)今天宣布推出全新60 V和100 V晶體管，擴充Trench 6 MOSFET產品線。新產品采用Power SO-8LFPAK封裝，支持60 V和100 V兩種工作電壓。Trench 6芯片技術和高性能LFPAK封裝工藝的整合賦予新產品出色的性能和可靠性，為客戶提供眾多實用價值。
LFPAK是一種“真正”意義上的功率封裝，通過優化設計實現最佳熱/電性能、成本優勢和可靠性。LFPAK是汽車行業標準AEC-Q101唯一認可的
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NXP 晶體管 MOSFET
- 法國研究人員最新開發出一種新型智能晶體管，它能夠模仿神經系統的運行模式，對圖像進行識別，幫助電腦完成更加復雜的任務。
法國國家科研中心和法國原子能委員會的研究人員在最新一期《先進功能材料》雜志上介紹說，普通晶體管功能單一，無法完成圖像識別和處理等復雜任務。
他們此次開發的這種名為Nomfet的新型晶體管中，含有一種納米微粒，它能像人腦的神經系統一樣靈活調整電子信號。
參與研究的多米尼克·維堯姆介紹說，在信息處理的過程中，Nomfet還可以與周邊晶體管互通有無，更好地對不
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晶體管 圖像識別
- 美國耶魯大學23日發表新聞公報稱，該校及韓國光州科學技術研究院科學家最近合作制成世界上首個分子晶體管，制作分子晶體管的材料是單個苯分子。
研究人員說，苯分子在附著到黃金觸點上后，就可以發揮硅晶體管一樣的作用。研究人員能夠利用通過觸點施加在苯分子上的電壓，操縱苯分子的不同能態，進而控制流經該分子的電流。
負責這項研究的耶魯大學工程和應用科學系教授馬克·里德說：“這就像推一個球滾過山頂，球就代表電流，而山的高度則代表苯分子的不同能態。我們能夠調整山的高度，山低時允許電
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材料 晶體管 硅晶體管
- 晶體管圖示儀是電路設計中常用的電子儀器，它能夠顯示晶體管的輸入特性、輸出特性和轉移特性等多種曲線和參數。它不僅可以測量晶體二極管和三極管，還可以測量場效應管、隧道二極管、單結晶體管、可控硅和光耦
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CPLD 應用于 晶體管 圖示儀
- 0 引言 TIP41C是一種中壓低頻大功率線性開關晶體管。該器件設計的重點是它的極限參數。設計反壓較高的大功率晶體管時，首先是如何提高晶體管的反壓，降低集電區雜質濃度NC。但由于電阻率ρC的增大，集電區體電阻
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芯片 設計 晶體管 平面 低頻 大功率 TIP41C
- Intel近日宣布在化合物半導體晶體管的研究中取得了里程碑式的重大突破，通過集成高K柵極獲得了更快的晶體管切換速度，消耗能量卻更少。Intel一直在研究將現在普遍適用的晶體管硅通道替換成某種化合物半導體材料，比如砷化鎵銦(InGaAs)。目前，此類晶體管使用的是沒有柵極介質的肖特基柵極(Schottky gate)，柵極漏電現象非常嚴重。
Intel現在為這種所謂的量子阱場效應晶體管(QWFET)加入了一個高K柵極介質，并且已經在硅晶圓基片上制造了一個原型設備，證明新技術可以和現有硅制造工藝相結
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Intel 晶體管 芯片
- 高溫半導體方案的領導者 CISSOID 推出了新產品的行星家族高溫晶體管和開關。汞是一種高溫 80V 的小信號 N 溝道 MOSFET 晶體管，其保証的工作溫度範圍為攝氏負 55 度至 225 度。憑藉其極端溫度的魯棒性，其輸入電容僅為 32pF，在225度其柵極洩漏限于 5.6μA，這 80V 的晶體管非常適合用于高溫度傳感器接口，如壓電式傳感器或執行一個保護放大器。
在225度這種邏輯級 MOSFET 可匯到 230mA，也可用于切換中或高電阻，例如：轉換 3.3V/5V的邏輯信號
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CISSOID 晶體管
- 剛剛結束訪華的英特爾總裁兼首席執行官保羅·歐德寧在北京表示，摩爾定律將繼續有效，英特爾將遵循摩爾定律，繼續推動產業的發展。
針對有人認為“沒有必要去不斷追求更強大的性能，產品功能夠用就好，摩爾定律已經不再重要了”，歐德寧表示：“摩爾定律將繼續有效。摩爾定律不僅僅是指推動性能提升，實際上指的是晶體管密度。更高的晶體管密度可以提高性能或集成度。對于智能手機或小型電子產品，我們提供片上系統(SoC)，把多個芯片集成到一個芯片上，這將給消費者帶來諸多好處
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英特爾 摩爾定律 晶體管
- (首爾法新電)韓國科學家成功開發出一種全新的晶體管，其反應速度和能源效率比現有晶體管更快更好，令不需啟動過程的電腦有望實現。韓國科學技術研究院(KIST)說，這種晶體管除了像現有晶體管般運用電流開關，也運用電子的順時逆時旋轉方向，來處理信息。
這種運用電子旋轉方向來處理信息的半導體稱為“自旋場效應晶體管”(spin-injected field effect transistors)，其概念于1990年代首次出現，被認為是可以取代傳統氧化物晶體管的下一代半導體。
其
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微電子 晶體管
- 本文講述了雙晶體管正激有源鉗位軟開關電源的工作原理，并給出實際產品雙晶體管的工作波形。該電路結構中，功率開關管的電壓應力小，并工作于ZVS導通和關斷，減小開關功耗，降低了EMI。
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設計 開關電源 有源 晶體管
- 幾十年來，摩爾定律所闡述的生產力效益定律一直是半導體行業發展的驅動力。它催生了數字處理器、寬帶和大容量存儲器。這些技術大幅提升了PC、手機等產品的生產力。然而，經濟學正給半導體行業帶來革命性轉變。未來，“新摩爾定律”將發揮重要作用。
產品研發從性能驅動轉為經濟學驅動
半導體產業是個相對年輕的產業。自摩爾定律預測芯片上晶體管的數量每18個月翻一番以來，半導體器件制造商一直追求生產力的提升。這一定律確實沒錯。如今消費應用的SoC可能集成了幾億個晶體管。然而，半導體產業正
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- 從時尚的消費電子產品，像蘋果的iPhone、任天堂的Wii，到下一代醫療設備、汽車導航、工業系統，MEMS將極大地豐富人和電子設備互動的方式。“對于半導體公司，要么選擇MEMS，要么退出市場!”Maxim集團總裁Vijay Ullal 在2009年舊金山的電子峰會上語出驚人，“因為，從200年前的工業革命邁出第一步開始，現代科技的演進就一直沒停止，第二步是晶體管發明帶來的計算革命，第三步就是傳感器。”
事實上看好MEMS市場前景的大有人在，但是如何
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Maxim MEMS 晶體管 慣性傳感器 電子車身穩定系統 200906
晶體管介紹
【簡介】
晶體管（transistor）是一種固體半導體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開關，和一般機械開關（如Relay、switch）不同處在于晶體管是利用電訊號來控制，而且開關速度可以非常之快，在實驗室中的切換速度可達100GHz以上。
半導體三極管，是內部含有兩個P [
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