晶體管文章最新資訊

晶體管型號一概表2

晶體管型號反壓Vbe0 電流Icm 功率Pcm 放大系數特征頻率管子類型 2SA1444 100V 1.5A 2W * 80MHZ PNP 2SA1494 200V 17A 200W * 20MHZ PNP 2SA1516 180V 12A 130W * 25MHZ PNP 2SA1668 200V 2A 25W * 20MHZ PNP 2SA1785 400V 1A 1W * 140MHZ PNP
關鍵字：晶體管型號元件制造

晶體管型號一概表1

晶體管型號反壓Vbe0 電流Icm 功率Pcm 放大系數特征頻率管子類型 9011 50V 0.03A 0.4W * 150MHZ NPN 9012 50V 0.5A 0.6W * * PNP 9013 50V 0.5A 0.6W * * NPN 9014 50V 0.1A 0.4W * 150MHZ NPN 9015 50V 0.1A 0.4W * 150MHZ PNP 9018 30V
關鍵字：晶體管型號元件制造

FPGA加速滲透非傳統應用領域

　　自從1985年首款FPGA器件誕生以來，FPGA產業一方面修煉內功——從技術上來說，工藝從2μm發展到65nm，晶體管數量從8.5萬個增長到10億個以上;另一方面向外擴張——應用領域從最初的通信業不斷向消費電子、汽車、工業控制等滲透，同時在不斷“蠶食”DSP、ASIC、ASSP和嵌入式處理器的市場。如今，Xilinx、Altera和Actel等FPGA產業的領導廠商也不再是20多年前的孤軍奮戰，在其周圍，FPGA開發和應用的生態系統已然初步形成，大大促進了FPGA產業的發展。　　“非傳統”應用領域
關鍵字：嵌入式系統單片機 FPGA 晶體管 DSP MCU和嵌入式微處理器

CEO如是說：對于可持續發展，電子行業做得太少

　　Applied CEO Mike Splinter指出，在生態可持續發展方面，電子行業做的還太少，在半導體制造業必須開始朝一個目標努力。Splinter指出，半導體行業持續地關注電子產品的速度和性能，而不夠重視能源使用效率。他說，未來的芯片架構必須關注功率優化。Splinter補充說，隨著消費電子中半導體產品的使用，芯片在可持續發展上扮演著重要的角色。　　在和印度半導體產業協會(India Semiconductor Association)的一位成員交談時，Splinter說尤其在少數半導體制造
關鍵字：消費電子電子行業晶體管消費電子

提供過電流和過電壓保護的斷路器

斷路器在汽車系統中很有用，既需要過電流檢測防止有故障的負載、也需要過電壓保護避免敏感電路不受高能負載突 ...
關鍵字：集電極晶體管負載

使用雙極晶體管進行鋰離子電池充電

序言隨著便攜式手持設備(如手機、PDA等)的功能不斷增加，加上對較小體積與更長電池壽命的要求，使得鋰電池成為許多此類設備的首選供電能源。本文將討論線性充電技術與相關的離散調節元件，并重點討論主要離散參數與選擇標準。鋰離子電池充電周期為模擬充電電路中的主要功率損耗，以便選擇正確的元件，我們必須了解鋰離子(Li-Ion)電池的充電周期。圖1 顯示了單個鋰離子電池的典型充電周期。預充電壓閾值(VPRE)、上端電池電極電壓閾值(VT)、以及再充電閾值(VRECHG)，取決于鋰離子電池的種類及不同的生產商。而
關鍵字：模擬技術電源技術 0708_A 雜志_技術長廊晶體管鋰離子模擬IC 電源

Zetex晶體管提升電源功率密度

模擬信號處理及功率管理解決方案供應商Zetex Semiconductors (捷特科) 公司，推出一系列微型NPN及PNP晶體管，以迎合新一代電源設備中MOSFET柵極驅動需求。全新的ZXTN及ZXTP晶體管是首次采用SOT23FF封裝的雙極器件，占板面積為2.5 x 3mm，板外高度只有1mm。它們可提供更低的飽和電壓和更高的電流增益保持，有助于改善電路效率和降低工作溫度。 Zetex亞太區銷售副總裁李錦華表示：“我們最新的雙極晶體管能夠支持20V至1
關鍵字：模擬技術電源技術 Zetex 晶體管電源功率模擬IC 電源

應用材料公司推出Centura Carina Etch系統克服高K介電常數

近日，應用材料公司推出Centura® Carina™ Etch系統用于世界上最先進晶體管的刻蝕。運用創新的高溫技術，它能提供45納米及更小技術節點上采用高K介電常數/金屬柵極(HK/MG)的邏輯和存儲器件工藝擴展所必需的材料刻蝕輪廓，是目前唯一具有上述能力并可以用于生產的解決方案。應用材料公司的Carina技術具有獨一無二的表現，它能達到毫不妥協的關鍵刻蝕參數要求：平坦垂直，側邊輪廓不含任何硅材料凹陷，同時沒有任何副產品殘留物。應用材料公司資深副總裁、硅系統業務
關鍵字：測試測量應用材料晶體管刻蝕 IC 制造制程

飛思卡爾推出最高功率的LDMOS射頻功率晶體管

飛思卡爾半導體日前在IEEE MTT-S國際微波大會上宣布推出全球最高功率的LDMOS射頻功率晶體管。MRF6VP11KH 設備提供130 MHz、1 kW的脈沖射頻輸出功率，具有同類設備最高的排放效率和功率增益。這種超高效率晶體管是飛思卡爾承諾為工業、科技和醫療（ISM）市場提供業界最具創新力的射頻功率解決方案的最新例證。該晶體管的操作電壓為50V，與雙極和MOSFET 設備相比，它具有明顯的優勢。它能夠提供核磁共振成像(MRI)系統、CO2激光器、等
關鍵字：嵌入式系統單片機飛思卡爾 LDMOS 晶體管嵌入式

安森美擴展低Vce(sat)雙極結晶體管產品

電源管理半導體解決方案供應商安森美半導體(ONSemiconductor)推出采用先進硅技術的PNP與NPN器件，豐富了其業界領先的低Vce(sat)雙極結晶體管(BJT)產品系列。這兩種新型晶體管與傳統的BJT或平面MOSFET相比，不僅實現了能效的最大化，而且還延長了電池的使用壽命。最新的低Vce(sat)BJT包括WDFN、SOT-23、SOT-223、SOT-563、ChipFET及SC-88等多種封裝形式，非常適用于多種便攜式應用。
關鍵字：模擬技術電源技術安森美晶體管模擬IC 電源

恩智浦推出UHF波段高壓LDMOS晶體管BLF878

恩智浦半導體(NXPSemiconductors)（由飛利浦創建的獨立半導體公司）日前推出了全球首款真正的300W超高頻（UHF）晶體管，即第六代高壓LDMOS晶體管BLF878。這一新的大功率晶體管是市場上唯一能夠在整個UHF波段以杰出線性性能和穩定性能提供300W功率的解決方案，主要面向電視發射及廣播市場。電視廣播發射行業不斷提高輸出功率以滿足高清電視的需求，廣播商憑借恩智浦的這一最新高效率解決方案能夠顯著提高輸出功率，同時降低成本。如今的高性能電視發射機投資巨大，所以廣播商正
關鍵字：電子恩智浦晶體管

恩智浦推出最新一代低VCEsat晶體管

　　恩智浦半導體（由飛利浦創建的獨立半導體公司）發布了最新一代低VCEsat晶體管，與普通晶體管相比，其功率損耗可減少80%。恩智浦新型BISS（小信號擊穿）晶體管具有超低飽和電壓（1安培時低于60毫瓦）、高電路效率和更低的能源消耗，并能減少便攜式電池供電產品（如筆記本電腦、PDA和數碼相機）的發熱量。先進的BISS雙極晶體管還可用于需要低等效導通電阻的工業及汽車領域。　　華碩公司研發處主任鄭慶福表示：“卓越的節能性能是華碩科技（ASUSTek）非常關注的一項重要性能，也是我們獲得世界首個筆記本電腦T
關鍵字： VCEsat 單片機恩智浦晶體管嵌入式系統

英特爾發布晶體管技術重大突破

英特爾公司宣布在基礎晶體管設計方面取得了一個最重大的突破，采用兩種完全不同以往的晶體管材料來構建45納米晶體管的絕緣“墻”和切換“門”。在下一代英特爾®酷睿™2雙核、英特爾®酷睿™2四核以及英特爾®至強®系列多核處理器中，將置入數以億計的這種微觀晶體管或開關。英特爾公司同期宣布已有五種早期版本的產品正在運行，這是公司計劃中的15款45納米處理器產品的第一批。在臺式機、筆記本和服務器領域，晶體管技術的提升使得公司能夠繼續創造出處理器計算速度的全新紀錄
關鍵字：晶體管英特爾

瑞薩硅鍺功率晶體管可降低無線LAN功耗

瑞薩科技公司(Renesas Technology Corp.)近日宣布，RQG2003高性能的功率硅鍺HBT實現了業界最高水平性能，可用于諸如無線LAN終端、數字無繩電話和RF(射頻)標簽讀/寫機等產品。作為瑞薩科技目前HSG2002的后續產品，RQG2003是一種用于功率放大器的晶體管，它可以對傳輸無線LAN終端設備等RF前端功率進行放大。　　RQG2003的功能總結如下：　　業界最高的性能水
關鍵字：功耗晶體管瑞薩

瑞薩科技開發用于45納米節點及以上工藝芯片晶體管技術

瑞薩科技開發用于45納米節點及以上工藝芯片的高性能、低成本晶體管技術 --可以經濟地生產帶有采用金屬（P型）和多晶硅（N型）柵極混合結構的CMIS晶體管而不必對現有的制造工藝進行重要改變— 瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）今天宣布，開發出一種可用于45nm（納米）節點及以上工藝微處理器和SoC（系統級芯片）產品的高性能和低成本晶體管技術。新開發的技術包括采用P型晶體管金屬柵極，以及N型晶體管傳統多晶硅柵極的混合結構的高性能CMIS*1晶體管。它可以在不
關鍵字： 45納米節點單片機工藝芯片晶體管嵌入式系統瑞薩科技

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晶體管介紹

【簡介】　　晶體管（transistor）是一種固體半導體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開關，和一般機械開關（如Relay、switch）不同處在于晶體管是利用電訊號來控制，而且開關速度可以非常之快，在實驗室中的切換速度可達100GHz以上。　　半導體三極管，是內部含有兩個P [ 查看詳細 ]