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1 引 言
電壓基準可以在溫度及電源電壓變化環境中提供穩定的參考電壓，被廣泛應用于比較器，A／D，D／A轉換器，信號處理器等集成電路中。目前已有不少和工藝的電壓基準應用于實際中，并且獲得了很高的精度和穩定性。然而隨著各種便攜式移動通信和計算產品的普及，對電池的需求大大加強，但是電池技術發展相對落后，降低電路的功耗成為IC設計關注的一個焦點；電路的功耗會全部轉換成熱能，過多的熱量會產生焦耳熱效應，加劇硅失效，導致可靠性下降，而快速散熱的要求又會導致封裝和制冷成本提高；同時功耗大將導致溫度高，載流子
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交疊是推挽驅動器的兩個晶體管同時處于導通狀態的短暫時間。在中心抽頭變壓器的初級中，這是常見的問題。交疊導致很大的電流尖峰和更多的開關損耗。飽和的晶體管關斷速度慢于接通速度，導致了這個問題。防止交疊的一種方法是在關斷一個晶體管之后并在接通另一個晶體管之前提供延時。該方法需要幾個額外元件，并且必須為最壞情形包含足夠長的延時。本設計實例利用交叉耦合門來防止晶體管在另一個晶體管關斷之前被接通（圖1）。為簡化起見，該圖并未描繪旁路電容器、緩沖器網絡和其它無需用來描繪該方法的元件。
門IC2A防止Q1在
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驅動器 推挽 晶體管 變壓器
引言
低噪聲放大器(LNA)是雷達、通信、電子對抗、遙測遙控等電子系統中關鍵的微波部件，有廣泛的應用價值。由于微波系統的噪聲系數基本上取決于前級放大器的噪聲系數，因此LNA噪聲系數的優劣會直接影響整個系統性能的好壞。低噪聲放大器的設計主要包括輸入、輸出匹配網絡和直流偏置網絡的設計以及改善晶體管穩定的措施。
本文首先介紹放大器提高穩定性的源極串聯負反饋原理，然后設計了一個L波段的低噪聲放大器實例，并給出了放火器輸入、輸出回波損耗、增益、噪聲系數等參數的仿真結果。
低噪聲放大器的設計
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IBM研究人員在一篇新的論文中詳細介紹了IBM所說的在納米技術領域取得的重要技術突破。這項技術突破將推動處理器技術和光子領域的新發展。IBM研究人員詳細介紹了他們如何控制碳納米管晶體管的發光。
這將是開發和推動新的處理器的新方法。在納米技術領域，IBM、惠普和英特爾都在通過自己的研究部門研究新的開發處理器的技術。
IBM研究人員稱，在新興的納米技術領域的一項重大的技術突破將改變工程師和IT行業開發微處理器的方法和思路。IBM研究人員8月25日在《自然納米技術》雜志上發表的論文中介紹了他們如
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1 引言
1965 年，摩爾用三個集成電路產品集成度隨時間的增長數據，外加1959 年的晶體管（集成度為1）和1965 年預計可推出的實驗室產品（有64 個元件），用半對數坐標，外插預測到十年后集成電路的集成度將達到65,000 個元件。1975 年預測成真，隨后被稱為“摩爾定律”。近40 年來，“摩爾定律”作為半導體發展的指南針對整個產業的發展產生了重大影響。由此我們可以體會到總結規律、預測發展的重要意義。半導體產品是半導體技術的載體，也是半導體
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1 引言
電源是各種電子設備必不可缺少的組成部分，其性能的優劣直接關系到電子設備的技術指標及能否安全可靠地工作。目前常用的直流穩壓電源分線性電源和開關電源兩大類，由于開關電源內部關鍵元器件工作在高頻開關狀態，本身消耗的能量很低，開關電源效率可達80％～90％，比普通線性穩壓電源提高近一倍，目前已成為穩壓電源的主流產品。
2 開關穩壓電源的結構
圖(1)畫出了開關穩壓電源的原理圖及等效原理框圖，它是由全波整流器，開關管Vi，激勵信號，續流二極管VD，儲能電感和濾波電容C
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電子測量儀器按其工作原理與用途,大致劃為以下幾類。
1.多用電表
模擬式電壓表、模擬多用表(即指針式萬用表VOM)、數字電壓表、數字多用表(即數字萬用表DMM)都屬此類。這是經常使用儀表。它可以用來測量交流/直流電壓、交流/直流電流、電阻阻值、電容器容量、電感量、音頻電平、頻率、晶體管NPN或PNP電流放大倍數β值等。
2.示波器
示波器是一種測量電壓波形的電子儀器,它可以把被測電壓信號隨時間變化的規律,用圖形顯示出來。使用示波器不僅可以直觀而形象地觀察被測物理量的變化全
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電子測量 示波器 信號發生器 晶體管 紅外測試
安森美半導體(ON Semiconductor)擴充分立器件封裝系列，推出新微封裝的晶體管和二極管。新增加的封裝拓展了公司的微封裝晶體管和二極管系列，配合當今空間受限型便攜應用的嚴峻設計需求。
安森美半導體標準產品部全球市場營銷副總裁麥滿權說："對我們的便攜產品客戶來說，小尺寸、低高度且同時具備功率密度是相當關鍵的參數。安森美半導體提供用于電源管理、開關和保護應用的微封裝二極管和晶體管，使便攜產品能集成更多功能，而無須增加終端產品的尺寸或降低能效。"
新的微封裝晶體管
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葡萄牙新里斯本大學（New University of Lisbon）的研究人員于日前成功研制了全球首款用紙層制成的晶體管，這種晶體管比采用氧化物半導體制成的普通薄膜晶體管（TFT）更具競爭力。
據負責此項研究的Elvira Fortunato和Rodrigo Martins透露，這種新型晶體管具備與采用氧化物半導體制成的薄膜晶體管一樣的性能，紙質晶體管可以用在紙質顯示屏、智能標簽、生物程序和RFID（無線射頻識別）電子標簽等新型電子設備中。雖然目前業界十分看重采用生物高聚物的低成本電子產品
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1．前言
隨著集成電路業工藝的發展，單位面積晶體管的數量急劇增加。按傳統的方法，能滿足芯片功能和時序要求設計的IC設計工程師，產能約為100門/天，要完成 1200萬門的芯片設計需要500人年。設計復用（Design Reuse）技術成為解決問題的有效方法。根據業界經驗，任何模塊如果不作任何修改就可以在10個或更多項目中復用，都應該開發成IP 。基于IP的數字IC設計方法是有效提高設計產能的關鍵技術。IP核又稱IP （Intellectual Property）Core指具有獨立知識產權的電路核
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意法半導體日前推出一款250A表面貼裝的功率MOSFET晶體管，新產品擁有市場上最低的導通電阻，可以把功率轉換損耗降至最低，并提高系統性能。
新產品STV250N55F3是市場上首款整合ST PowerSO-10™ 封裝和引線帶楔焊鍵合技術的功率MOSFET，無裸晶片封裝的電阻率極低。新產品采用ST的高密度STripFET III™ 制程，典型導通電阻僅為1.5毫歐。STripFET III更多優點包括：開關損耗低，抗雪崩性能強。除提高散熱效率外，九線源極連接配置還有助于
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??? 1947年貝爾實驗室肖克萊等人發明晶體管，1958年仙童公司RobertNoyce(羅伯特·諾伊斯)和德州儀器JackKilby(杰克·基爾比)分別發明基于硅和基于鍺的集成電路，1971年英特爾推出1KBDRAM(動態隨機存儲器)，1984年日本推出1MBDRAM和256KBSRAM(靜態隨機存儲器)，在集成電路的技術和工藝的每一次躍變過程中，都離不開半導體設備與材料的不斷推陳出新。
??? 支撐業是集成
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特瑞仕半導體株式會社開發了XCM517 系列內置晶體管600mA 同步整流雙路降壓DC/DC 轉換器。
XCM517 系列是在一個封裝組件中搭載兩個XC9235/XC9236 系列的同步整流降壓DC/DC 轉換器而組成的實裝芯片(IC)。工作電壓范圍從2.7V 到6.0V。內置時鐘控制器分為1.2MHz 和3.0MHz 兩種，可以根據具體應用來選擇合適的工作頻率。工作模式可選擇PWM 控制模式或PWM/PFM 自動轉換控制模式，即使是紋波控制難度較大的產品，也能實現從小負載到大負載的
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就像摩爾定律驅動半導體幾何尺寸的縮小一樣，有關解決半導體可靠性問題的活動也遵循一個似乎有點可以預測的周期。例如，技術演進到VLSI時，為了保持導線的電路速度，引入了鋁線連接。此時，很快就發現了電子遷移這類的可靠性問題。一旦發現了問題所在，就會通過實驗來對退化機制進行建模。利用這些模型，工藝工程師努力使新技術的可靠性指標達到最佳。隨著技術的進一步成熟，焦點轉移到缺陷的降低上面。而隨著ULSI的引入，由于使用了應力硅、銅和低K介電材料等，又開始一輪新周期。
隨著引入的化合物材料的增加，可靠性方面的挑
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晶體管介紹
【簡介】
晶體管（transistor）是一種固體半導體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開關，和一般機械開關（如Relay、switch）不同處在于晶體管是利用電訊號來控制，而且開關速度可以非常之快，在實驗室中的切換速度可達100GHz以上。
半導體三極管，是內部含有兩個P [
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