晶圓代工大廠聯華電子(UMC，以下簡稱聯電)宣布，已將其于新加坡 12寸晶圓廠Fab 12i，打造為引領先進特殊技術研發制造的基地「Center of Excellence」。此特殊技術中心設立時的投入金額為1.1億美元，將會與諸如微電子研究院等新加坡本地研究機構進行研發合作。
聯電將已開發之技術包含背照式影像感測器(BSI CMOS)、嵌入式記憶體、高壓應用產品，以及直通矽晶穿孔連結等，應用于車用、行動、智慧型手機與平板電腦等日益龐大的產品市場，并藉此特殊技術，協助客戶提供受益于日漸增加之日常
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聯電 晶圓
除了從系統角度強化散熱性能外，隨著LED照明的應用普及，對于散熱基板的要求日趨嚴苛，LED基板材料及技術在近年的開發也有所進展，目前最新的趨勢是對于硅基氮化鎵(GaN-on-Silicon)的研發。基本上，由于藍寶石基板面臨技術瓶頸，LED廠商正積極尋找新的基板材料，而硅基氮化鎵可減少熱膨脹差異系數，不僅能強化LED發光強度，更可以大幅降低制造成本、提高散熱表現，因此成為了業界爭相發展的新技術。
例如普瑞光電(Bridgelux)與東芝(Toshiba)合作開發出硅基氮化鎵白光LED，并在去年十
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LED 晶圓
市場研究機構IC Insights公布的2013年第一季全球半導體供應商排行榜顯示，有數家日本半導體廠商名次都比去年同期退步;其中東芝(Toshiba)退步一名成為第五，瑞薩(Renesas)因銷售額下滑20%而跌出前十名，索尼(Sony)退步三名成為第十六、當季銷售額較去年同期下滑31%，富士通(Fujitsu)則由去年第一季的第十五名退步為第二十名、季銷售額下滑26%。
不過IC Insights指出，日本半導體廠商的銷售額數字都是由日圓換算成美元;在2012年第一季時，美元兌日圓匯率為1美
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半導體 晶圓
為爭搶先進制程商機大餅，包括臺積電、格羅方德和三星等晶圓代工廠，下半年均將擴大資本設備支出，持續擴充28奈米制程產能;與此同時，受到英特爾沖刺FinFET技術研發刺激，各大晶圓廠也不斷加碼技術投資，將驅動整體晶圓代工產業支出向上飆升。
2013年全球半導體產值將強勁反彈，一掃去年下滑的陰霾。其中，尤以晶圓代工廠擴大設備資本支出(CAPEX)，加速推動先進制程，為拉升半導體產值挹注最大貢獻。
由于今年全球經濟狀況相對去年樂觀，且行動裝置處理器業者轉換至28、20奈米(nm)先進制程的需求涌現
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晶圓 28nm
景況不佳的日本半導體廠商們終于覺醒并開始面對一個現實──擁抱「輕晶圓廠(fab-lite)」策略將會是他們存活的最佳希望;但很大的問題是：誰會想在日本半導體產業的“清倉大拍賣”中收購一座舊晶圓廠?
答案恐怕是沒有人。市場研究機構FutureHorizons董事長暨執行長MalcolmPenn話就說得很直，他表示那些日本晶圓廠「都是采用舊制程」，而且誰要是買下那些晶圓廠：「就會面臨管理以及物流(logistic)的夢靨。」
不過換個角度看，因為你的賭注是押在沒人看好的
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Renesas 晶圓
臺積電(2330-TW)(TSM-US)今(9)日在新竹舉辦技術論壇;并釋出訊息，隨董事長張忠謀法說時宣布今年資本支出為95至100億美元，投入15億美元(折現約新臺幣441.06億元)用于研發人員與將投入邏輯先進制程及成熟制程開發。該公司研發大軍目標今年增加至4200人。
臺積電4月18日法說時已由董事長張忠謀正式調高今年資本支出為95至100億美元，當中，研發投資金額將達15億美元，年增逾1成;該公司預計投入研發的科學家和工程師也將隨之增加至4200人。
同時，臺積電隨客戶需求持續提高
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臺積電 晶圓
英飛凌科技與格羅方德公司 (Globalfoundries Inc.) 今日宣佈共同開發并合作生產 40 奈米 (nm) 嵌入式快閃記憶體 (eFlash) 製程技術。這項合作案將著重于以英飛凌 eFlash 晶片設計為基礎的技術開發，以及採用 40nm 製程的車用微控制器及安全晶片的製造。新一代 40nm eFlash 微控制器晶片將在格羅方德不同的據點生產，初期于新加坡，后續則將轉移到位于德國德勒斯登的廠房。
英飛凌董事會成員 Arunjai Mittal 表示：「採用 40nm 製程結構的
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Globalfoundries 晶圓 晶片設計
根據國際研究暨顧問機構Gartner發布的最終統計結果，2012年全球半導體資本設備支出總額為378億美元，較2011年減少16.1%。晶圓級制造受到微影(lithography)與沈積(deposition)領域疲弱的影響，在2012年表現低于整體市場。在主要領域中，亦即主要受到邏輯制造影響的領域，以28/20奈米制程和良率改善的表現較佳。
Gartner副總裁Klaus-DieterRinnen表示：「DRAM長期供過于求以及轉進NAND之后又造成供過于求，導致產能需求下降。記憶體制造相關的
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半導體設備 晶圓
日前，全球領先的模擬與嵌入式半導體廠商美國德州儀器公司(TI)宣布向中國青少年發展基金會(中國青基會) 捐款100萬元人民幣，用于支持“希望工程緊急救災助學行動”，幫助遭受四川雅安地震影響的學校進行災后重建工作。TI也將積極支持中國青基會開展捐助項目的具體執行，并將號召員工作為志愿者參與相應的災后重建公益活動。
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TI 晶圓
晶圓代工廠格羅方德(Globalfoundries)技術長蘇比(SubiKengeri)日前來臺，喊出兩年內將拿下晶圓代工技術龍頭，繼14納米XM明年量產，10納米2015年推出，此進度比臺積電領先兩年，也比英特爾2016年投入研發還領先一年。
格羅方德2009年由美商超微獨立而出，2010年并購前特許半導體，蘇比表示，2009年剛獨立時，公司僅是全球第四大晶圓代工廠，但憑著超微在處理器技術的設計能力，加上先前新加坡特許半導體在晶圓代工服務客戶經驗，ICInsights統計，2012年公司躍進晶
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臺積電 10納米 晶圓
中芯國際公布了截至3月31日的2013財年第一季度財報。財報顯示，中芯國際第一季度總銷售額為5.016億美元，比上年同期增長50.8%;凈利潤為4060萬美元，上年同期凈虧損4280萬美元。
第一季度業績分析：
第一季度，中芯國際銷售額為5.016億美元，比上一季度的4.859億美元增長3.2%，主要是由于40/45納米晶圓付運量增加所致;銷售成本為3.995億美元，比上一季度的3.891億美元增長2.7%，主要是由于晶圓的付運量增加所致。
第一季度，中芯國際毛利潤為1.021億美元
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中芯國際 晶圓
全球最大的半導體制造設備供應商荷蘭ASML今天披露說，他們將按計劃在2015年提供450毫米晶圓制造設備的原型，Intel、三星電子、臺積電等預計將在2018年實現450毫米晶圓的商業性量產，與此同時，極紫外(EUV)光刻設備也進展順利，將在今年交付兩套新的系統。
ASML在一份聲明中稱：“在客戶合作投資項目的支持下，我們已經完成了用于極紫外、沉浸式光刻的450毫米架構的概念設計，將在2015年交貨原型，并兼容2018年的量產，當然如果整個產業來得及的話。”
Int
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ASML 半導體 晶圓
FinFET技術是電子行業的下一代前沿技術，是一種全新的新型的多門3D晶體管。和傳統的平面型晶體管相比，FinFET器件可以提供更顯著的功耗和性能上的優勢。英特爾已經在22nm上使用了稱為“三柵”的FinFET技術，同時許多晶圓廠也正在準備16納米或14納米的FinFET工藝。
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Cadence FinFET 晶圓 201304
全球最大的半導體制造設備供應商荷蘭ASML今天披露說，他們將按計劃在2015年提供450毫米晶圓制造設備的原型，Intel、三星電子、臺積電等預計將在2018年實現450毫米晶圓的商業性量產，與此同時，極紫外(EUV)光刻設備也進展順利，將在今年交付兩套新的系統。
ASML在一份聲明中稱：“在客戶合作投資項目的支持下，我們已經完成了用于極紫外、沉浸式光刻的450毫米架構的概念設計，將在2015年交貨原型，并兼容2018年的量產，當然如果整個產業來得及的話。”
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Intel 晶圓
300mm晶圓于世紀之交開始投入應用，至今已十年有余，近據市調公司IC Insights報告，今日世界300mm晶圓生產線產能主要掌控在6家存儲器生產和代工廠商之手，2012年約占全部產能的74.4%，預期2013年仍將保持74%的水平。
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晶圓 存儲器 201304
晶圓 介紹
晶圓 晶圓是指硅半導體積體電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結構，而成為有特定電性功能之IC產品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達99.999999999%。晶圓制造廠再將此多晶硅融解，再于融液里種入籽晶，然后將其慢慢拉出，以形成圓柱狀的單晶硅 [
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