眾所周知，提高 SiC 晶圓質量對制造商來說非常重要，因為它直接決定了 SiC 器件的性能，從而決定了生產成本。然而，具有低缺陷密度的 SiC 晶圓的生長仍然非常具有挑戰性。SiC 晶圓制造的發展已經完成了從100毫米（4英寸）到150毫米（6英寸）晶圓的艱難過渡，正在向8英寸邁進。SiC 需要在高溫環境下生長，同時具有高剛性和化學穩定性，這導致生長的 SiC 晶片中晶體和表面缺陷的密度很高，導致襯底質量和隨后制造的外延層質量差?。本篇文章主要總結了?SiC 生長過程及各步驟造成的缺陷
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據英飛凌官網消息，近日，英飛凌已與碳化硅 (SiC) 供應商 SK Siltron CSS 正式達成協議。據悉，SK Siltron CSS將為英飛凌提供具有競爭力的高質量150mm SiC晶圓，支持SiC半導體的生產。在后續階段，SK Siltron CSS將在協助英飛凌向200 mm 晶圓直徑過渡方面發揮重要作用。據了解，英飛凌首席采購官 Angelique van der Burg 表示：“對于英飛凌來說，供應鏈彈性意味著實施多供應商戰略，并在逆境中蓬勃發展，創造新的增長機會并推
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美國加州時間2024年1月2日， SEMI在其最新的季度《世界晶圓廠預測報告》World Fab Forecast中宣布，全球半導體每月晶圓（WPM）產能在2023年增長5.5%至2960萬片后，預計2024年將增長6.4%，首次突破每月3000萬片大關（以200mm當量計算）。2024年的增長將由前沿邏輯和代工、包括生成式人工智能和高性能計算（HPC）在內的應用的產能增長以及芯片終端需求的復蘇推動。由于半導體市場需求疲軟以及由此產生的庫存調整，2023年產能擴張放緩。SEMI總裁兼首席執行官Ajit M
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日本光刻機大廠佳能（Canon）在今年10月13日宣布推出可以制造尖端芯片的納米壓印（Nanoprinted lithography，NIL）設備FPA-1200NZ2C之后，佳能首席執行官御手洗富士夫近日在接受采訪時再度表示，該公司新的納米壓印技術將為小型半導體制造商生產先進芯片開辟一條道路，使得生產先進芯片的技術不再只有少數大型半導體制造商所獨享。納米壓印技術并不利用光學圖像投影的原理將集成電路的微觀結構轉移到硅晶圓上，而是更類似于印刷技術，直接通過壓印形成圖案。在晶圓上只壓印1次，就可以在特定的位置
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12月13日消息，力積電將借助日本新建工廠大幅發展期汽車半導體業務。力積電首席執行官黃崇仁在接受媒體采訪時表示：“日本有巨大的機會”，日本具有廣闊的市場前景和眾多車企聚集的地域優勢。他補充表示，“目前汽車產品僅占我們銷售額的8%，通過進軍日本市場，我們計劃在未來將這一比例提高到30%”。為了更好地進入日本市場，力積電計劃與金融集團SBI Holdings共同投資8000億日元（約合55億美元）建立合資企業，在日本宮城縣大平市建造新廠。第一階段，該公司將投資4200億日元，從2027年開始以每月1萬片的規模
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芯片需求的上漲對晶圓代工廠商的作用是顯而易見的，特別是對于依賴先進制程的高性能芯片，7nm、5nm等制程的加持不僅讓性能有了飛躍的提升，在功耗的控制上也有更多的余地。對于大部分依賴先進制程的芯片公司而言，從晶圓代工廠商中搶訂單已經成為了頭等大事。當然，對于晶圓廠商來說，決定先進制程量產的光刻機也有著同樣的地位。特別是在進入7nm、5nm之后，EUV光刻機的數量將直接決定能否持續取得市場領先地位。作為目前晶圓代工領域的兩大龍頭，臺積電和三星之間圍繞光刻機的競爭已經趨于白熱化。今年第三季度，晶圓代工龍頭臺積電
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2023年全球晶圓代工行業正經歷著波瀾不驚的變革。從全球七大晶圓代工廠的最新財報中可以看出各家代工廠對于明年下一階段將會面臨的挑戰和業務可持續發展的計劃。與此同時，從財報中也能體現出由于經濟不景氣、新冠疫情以及一些業務調整帶來的市場變化。全球七大晶圓代工廠財報概覽首先，臺積電作為全球最大的晶圓代工廠之一，在第三季度的業績中出現了一些波動。其合并營收同比下降10.8%，但環比增長13.7%。凈利潤同比下降25.0%，但環比增長16.0%。這反映了半導體行業的一般趨勢，即受到全球經濟和地緣政治不確定性的影響，
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11月28日消息，據外媒報道，日前，英飛凌綠色工業動力部門（GIP）總裁Peter Wawer在受訪時透露，英飛凌正在其位于Villach的工廠生產8英寸SiC晶圓的電子樣品。他表示，英飛凌目前使用6英寸晶圓，但已經在工廠制備了第一批8英寸晶圓機械樣品，很快將它們轉化為電子樣品，并將在2030年之前大規模量產應用。在產能方面，英飛凌正在通過大幅擴建其Kulim工廠（在2022年2月宣布的原始投資之上）獲得更多產能，信息稱，英飛凌將建造世界上最大的200毫米晶圓廠SiC（碳化硅）功率工廠。值得一提的是該計劃
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ERS electronic 公司推出高功率溫度卡盤系統，該系統主要針對嵌入式處理器、DRAM 和 NAND
等應用的晶圓測試，可在 -40°C 耗散高達 2.5kW 的功率 。2023 年 11 月 14 日，半導體制造業提供溫度管理解決方案的領導者——ERS electronic，現推出全新高功率溫度卡盤系統。該技術針對高端 CPU、GPU 和高并行性 DRAM 器件應用的晶圓測試，可在-60°C 至+200°C 溫度范圍內對 Device Under Test (DUT)進行精確且強大的溫度控制
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11月10日，晶圓代工大廠臺積電發布公10月營收公告，該月營收約2432.03億元新臺幣，較9月增加34.8%，較2022年同期增加15.7%，創歷史新高，并終止連七個月營收年減。2023年1月至10月營收1兆7794 .1億元新臺幣，較2022年同期減少3.7%。臺積電在上次法說會預估，第四季以美元計價的營收金額約188億至196億美元，毛利率51.5%~53.5%，營業利益率39.5%~41.5%。若以1美元兌換新臺幣32元匯率基礎計算，第四季營收將落在6016億至6072億元新臺幣，較第三季成長9%
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美國加州時間2023年10月26日，SEMI在其年度硅出貨量預測報告中指出，受半導體需求的持續疲軟和宏觀經濟狀況影響，2023年全球硅晶圓出貨量預計將下降14%，從2022年創紀錄的14565百萬平方英寸（million square inches, MSI）降至12512百萬平方英寸，隨著晶圓和半導體需求的恢復和庫存水平的正常化，全球硅晶圓出貨量將在2024年反彈。隨著人工智能（AI）、高性能計算（HPC）、5G、汽車和工業應用推動著硅需求的增加，從2024年開始的反彈勢頭預計將持續到2026年，晶圓出
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2023 年，中國化合物半導體產業實現歷史性突破。在碳化硅（SiC）晶體生長領域，中國尤其獲得國際 IDM 的認可，導致產量大幅增長。此前中國碳化硅材料僅占全球約 5% 的產能，然而業界樂觀預計，2024 年中國碳化硅晶圓在全球的占比有望達到 50%。天岳先進、天科合達、三安光電等公司均斥資提高碳化硅晶圓/襯底產能，目前這些中國企業每月的總產能約為 6 萬片。隨著各公司產能釋放，預計 2024 年月產能將達到 12 萬片，年產能 150 萬。根據行業消息和市調機構的統計，此前天岳先進、天科合達合計占據全球
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香港科技園公司與微電子企業杰平方半導體簽署合作備忘錄，設立以第三代半導體為主的全球研發中心。大半導體產業網消息，10月13日，香港科技園公司（科技園公司）與微電子企業杰平方半導體（上海）有限公司（杰平方半導體）簽署合作備忘錄，在科學園設立以第三代半導體為主的全球研發中心，并投資開設香港首間碳化硅（SiC）8寸先進垂直整合晶圓廠，共同推進香港微電子生態圈及第三代半導體芯片產業的發展。據悉，該項目總投資額約69億港元，計劃到2028年年產24萬片碳化硅晶圓，帶動年產值超過110億港元，并創造超過700個本地和
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至少出于性能原因，器件晶圓背面的空間看起來很有發展潛力。把電源軌從前端移到背面可以緩解晶圓正面的擁塞，實現單元微縮并減少電壓降。領先的半導體邏輯企業深知背面供電的優勢，正積極開發背面分布網絡。
?作者：泛林集團 Semiverse? Solutions 半導體和工藝整合工程師 Sandy Wen
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美國加州時間2023年9月19日，SEMI發布的《2026年200mm晶圓廠展望報告》（200mm Fab Outlook to 2026）顯示，預計在2023年到2026年，全球半導體制造商200mm晶圓廠產能將增加14%，新增12個200mm晶圓廠（不包括EPI），達到每月770多萬片晶圓的歷史新高。功率化合物半導體對消費、汽車和工業領域至關重要，是200mm投資的最大驅動力。特別是電動汽車的動力總成逆變器和充電站的發展，預計隨著電動汽車采用率的持續上升，將推動全球200mm晶圓產能的增長。SEMI總
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晶圓介紹
晶圓 晶圓是指硅半導體積體電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結構，而成為有特定電性功能之IC產品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達99.999999999%。晶圓制造廠再將此多晶硅融解，再于融液里種入籽晶，然后將其慢慢拉出，以形成圓柱狀的單晶硅 [
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