2022年9月20日，國內第三代半導體碳化硅頭部企業——基本半導體完成C4輪融資，由新股東德載厚資本、國華投資、新高地等機構聯合投資，現有股東屹唐長厚、中美綠色基金等機構繼續追加投資。本輪融資將用于進一步加強碳化硅產業鏈關鍵環節的研發制造能力，提升產能規模，支撐碳化硅產品在新能源汽車、光伏儲能等市場的大規模應用，全方位提升基本半導體在碳化硅功率半導體行業的核心競爭力。這是基本半導體在今年完成的又一輪融資。6月和7月，該公司分別完成了C2和C3輪兩輪融資。連續多輪資本的加持，充分印證了基本半導體在業務加速拓
關鍵字：
基本半導體 代半導體 碳化硅
半導體寒氣襲人知誰暖？芯片行業的砍單潮已經將寒氣傳遞給了眾多企業，三星半導體部門負責人Kyung Kye-hyun就預計芯片銷售大幅下滑態勢將延續至明年；野村證券最近也將今年全球芯片出貨成長率由原先預估的9.9%大砍至5.7%、2023年由衰退0.5%擴大至衰退6%；費城半導體指數 (SOX)近6個月（截至9月21日）更是跌了26.53%。但此時，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體材料卻在迎來市場倍增與產能擴張。 安森美二季度財報發布后，就將其2022年碳化硅營收預期上調為“同比增長3倍”，而
關鍵字：
碳化硅 氮化鎵
SiC MOSFET具有出色的開關特性，但由于其開關過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作-前言”中介紹的需要準確測量柵極和源極之間產生的浪涌。在這里，將為大家介紹在測量柵極和源極之間的電壓時需要注意的事項。我們將以SiC MOSFET為例進行講解，其實所講解的內容也適用于一般的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。本文的關鍵要點?如果將延長電纜與DUT引腳焊接并連接電壓探頭進行測量，在開關速度較快時
關鍵字：
羅姆半導體，MOSFET
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅（SiC）MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導通電阻，可顯著降低開關損耗。該系列10款產品包括5款1200V產品和5款650V產品，已于今日開始出貨。 新產品的單位面積導通電阻（RDS(ON)A）下降了大約43%[3]，從而使“漏源導通電阻×柵漏電荷（RDS(ON)×Qgd）”降低了大約80%[4]，這是體現導通損耗與開關損耗間關系的重要指標。這樣可以將開關損耗減少大約
關鍵字：
東芝 SiC MOSFET
基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布推出PMCB60XN和PMCB60XNE 30V N溝道小信號Trench MOSFET，該產品采用超緊湊晶圓級DSN1006封裝，具有市場領先的RDS(on)特性，在空間受限和電池續航運行至關重要的情況下，可使電力更為持久。新型MOSFET非常適合智能手機、智能手表、助聽器和耳機等高度小型化電子產品，迎合了更智能、功能更豐富的趨勢，滿足了增加系統功耗的需求。 RDS(on)與競爭器件相比性能提升了25%，可最大限度降低能耗，提高負載開關
關鍵字：
Nexperia 晶圓級 MOSFET
本文介紹最新的驅動器+ MOSFET (DrMOS)技術及其在穩壓器模塊(VRM)應用中的優勢。單片DrMOS器件使電源系統能夠大幅提高功率密度、效率和熱性能，進而增強最終應用的整體性能。引言隨著技術的進步，多核架構使微處理器在水平尺度上變得更密集、更快速。因此，這些器件需要的功率急劇增加。微處理器所需的這種電源由穩壓器模塊(VRM)提供。在該領域，推動穩壓器發展的主要有兩個參數。首先是穩壓器的功率密度（單位體積的功率），為了在有限空間中滿足系統的高功率要求，必須大幅提高功率密度。另一個參數是功率轉換效率
關鍵字：
ADI MOSFET 電源系統設計
功率半導體組件與電源、電力控制應用有關，特點是功率大、速度快，有助提高能源轉換效率，多年來，功率半導體以硅（Si）為基礎的芯片設計架構成為主流，碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等第三類半導體材料出現，讓功率半導體組件的應用更為多元，效率更高。MOSFET與IGBT雙主流各有痛點高功率組件應用研發聯盟秘書長林若蓁博士（現職為臺灣經濟研究院研究一所副所長）指出，功率半導體組件是電源及電力控制應用的核心，具有降低導通電阻、提升電力轉換效率等功用，其中又以MOSFET（金屬氧化半導體場效晶體管）與IGBT（絕緣
關鍵字：
硅 碳化硅 氮化鎵 功率半導體
與傳統的硅器件相比，碳化硅（SiC）器件由于擁有低導通電阻特性以及出色的耐高溫、高頻和耐高壓性能，已經成為下一代低損耗半導體可行的候選器件。此外，SiC 讓設計人員能夠減少元器件的使用，從而進一步降低了設計的復雜程度。SiC 元器件的低導通電阻特性有助于顯著降低設備的能耗，從而有助于設計出能夠減少 CO2 排放量
的環保型產品和系統。羅姆在 SiC 功率元器件和模塊的
開發領域處于先進地位，這些器件和模塊在許多行業的
應用中都實現了更佳的節能效果。水原德健, 羅姆半導體（北京）有限公司技術中心總經理
關鍵字：
202207 碳化硅 電動汽車 羅姆
受訪人：水原德健 羅姆半導體（北京）有限公司技術中心總經理1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導體，在材料特性上有什么相似之處和不同之處？根據其不同的特性，分別適用在哪些應用領域？貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導體器件方面都有哪些主要的產品？ 目前，市場上基本按下圖劃分幾種材料功率半導體器件的應用場景。當低頻、高壓的情況下適用硅基IGBT，如果稍稍高頻但是電壓不是很高，功率不是很高的情況下，使用硅基MOSFET。如果既是高頻又是高壓的情況下，適用碳化硅MOSFET。那么電壓不需要很大，功率
關鍵字：
羅姆 電動汽車 碳化硅
賽米控（總部位于德國紐倫堡）和全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）在開發碳化硅（SiC）功率模塊方面已經開展了十多年的合作。合作儀式剪影：賽米控CEO兼CTO? Karl-Heinz Gaubatz先生（左）羅姆德國公司社長?Wolfram Harnack（中）賽米控CSO Peter Sontheimer先生（右） 此次，羅姆的第4代SiC MOSFET正式被用于賽米控的車規級功率模塊“eMPack?”，開啟了雙方合作的新征程。此外，賽米控宣布已與德國一家大型汽車制造商簽署
關鍵字：
羅姆 碳化硅 SiC 無線寬帶
基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布推出采用超小DFN封裝的新系列20 V和30 V MOSFET DFN0603。Nexperia早前已經提供采用該封裝的ESD保護器件，如今更進一步，Nexperia成功地將該封裝技術運用到MOSFET產品組合中，成為行業競爭的領跑者。該系列小型MOSFET包括： ?新一代可穿戴設備和可聽戴設備正在融入新的人工智能(AI)和機器學習(ML)技術，這為產品設計帶來了若干挑戰。首先，隨著功能的增加，可供使用的電路板空間變得十分寶貴，另外，隨著
關鍵字：
Nexperia MOSFET
電源管理系統要實現高能源轉換效率、完善可靠的故障保護，離不開高性能的開關器件。近日，豪威集團全新推出兩款MOSFET：業內最低內阻雙N溝道MOSFET WNMD2196A和SGT 80V N溝道MOSFET WNM6008。 WNMD2196A 超低Rss(ON)，專為手機鋰電池保護設計近幾年，手機快充技術飛速發展，峰值充電功率屢創新高。在極大地緩解消費者電量焦慮的同時，高功率充電下的安全問題不容小覷。MOSFET在電池包裝中起到安全保護開關的作用，其本身對功率的損耗也必須足夠低才能
關鍵字：
豪威集團 MOSFET
米勒電容引起的寄生導通常被認為是碳化硅MOSFET的弱點。為了避免這種效應，硬開關逆變器通常采用負柵極電壓關斷。但是，這對于CoolSiC?MOSFET真的是必要的嗎？引言選擇適當的柵極電壓是設計所有柵極驅動電路的關鍵。憑借英飛凌的CoolSiC?MOSFET技術，設計人員能夠選擇介于18V和15V之間的柵極開通電壓，從而使器件具有極佳的載流能力或者可靠的短路耐用性。另一方面，柵極關斷電壓僅需確保器件保持安全關斷即可。英飛凌鼓勵設計人員在0V下關斷分立式MOSFET，從而簡化柵極驅動電路。為此，本文介紹了
關鍵字：
英飛凌 MOSFET
過去幾年，實際應用條件下的閾值電壓漂移（VGS(th)）一直是SiC的關注重點。英飛凌率先發現了動態工作引起的長期應力下VGS(th)的漂移現象，并提出了工作柵極電壓區域的建議，旨在最大限度地減少使用壽命內的漂移。[1]。引言過去幾年，實際應用條件下的閾值電壓漂移（VGS(th)）一直是SiC的關注重點。英飛凌率先發現了動態工作引起的長期應力下VGS(th)的漂移現象，并提出了工作柵極電壓區域的建議，旨在最大限度地減少使用壽命內的漂移。[1]。經過不斷研究和持續優化，現在，全新推出的CoolSiC? MO
關鍵字：
英飛凌 MOSFET
隨著制備技術的進步，在需求的不斷拉動下，碳化硅（SiC）器件與模塊的成本逐年降低。相關產品的研發與應用也得到了極大的加速。尤其在新能源汽車，可再生能源及儲能等應用領域的發展，更是不容小覷。富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專業的技術服務，為客戶打造個性化的解決方案，并縮短產品設計周期。在第三代半導體的實際應用領域，富昌電子結合自身的技術積累和項目經驗，落筆于SiC相關設計的系列文章。希望以此給到大家一定的設計參考，并期待與您進一步的交流。作為系列文章的第一部分，本文將先就SiC
關鍵字：
富昌電子 SiC MOSFET
碳化硅 mosfet介紹
您好，目前還沒有人創建詞條碳化硅 mosfet!
歡迎您創建該詞條，闡述對碳化硅 mosfet的理解，并與今后在此搜索碳化硅 mosfet的朋友們分享。
創建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473