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碳化硅 mosfet 文章 最新資訊

英飛凌CoolSiC碳化硅MOSFET獲豐田bZ4X車型采用

  • 英飛凌宣布，其碳化硅功率半導(dǎo)體器件被豐田新款純電動車型 bZ4X 選用，旗下 CoolSiC 碳化硅 MOSFET 將應(yīng)用于該車的車載充電器（OBC）與直流 - 直流轉(zhuǎn)換器（DC/DC）中。對于歐洲電子工程新聞網(wǎng)的讀者而言，這一消息清晰體現(xiàn)出碳化硅的應(yīng)用正加速突破牽引逆變器領(lǐng)域，延伸至汽車核心的功率轉(zhuǎn)換模塊；同時也凸顯出車企正愈發(fā)廣泛地采用寬禁帶半導(dǎo)體器件，以實現(xiàn)電動汽車快充提速、續(xù)航提升等可量化的性能優(yōu)化。碳化硅深度融入豐田電動汽車功率電子系統(tǒng)據(jù)官方消息，豐田此次為 bZ4X 的車載充電器和直流 - 直
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安森美T2PAK封裝：破局熱管理瓶頸 重構(gòu)高功率生態(tài)

  • 在電動汽車、光伏儲能、AI數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域迎來功率需求爆發(fā)式增長的當(dāng)下，熱管理已成為制約電源產(chǎn)品功率密度與效率提升的核心瓶頸。傳統(tǒng)封裝方案往往在散熱性能與開關(guān)特性之間難以兼顧，行業(yè)迫切需要兼具創(chuàng)新結(jié)構(gòu)與卓越性能的解決方案。基于這樣的新應(yīng)用需求，安森美（ONSemi）推出采用T2PAK 頂部冷卻封裝的EliteSiC MOSFET，將業(yè)界領(lǐng)先的碳化硅技術(shù)與突破性封裝設(shè)計深度融合，為汽車和工業(yè)高功率應(yīng)用帶來性能與散熱的雙重飛躍，也折射出寬禁帶半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展新方向。1? ?行業(yè)趨勢驅(qū)動：高功
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柵極氧化層在SiC MOSFET設(shè)計中的重要作用

  • 碳化硅功率半導(dǎo)體在光伏、充電、電動汽車等行業(yè)得到了廣泛應(yīng)用，其潛力毋庸置疑。然而，從當(dāng)前高功率碳化硅MOSFET來看，仍存在一個難題：即如何實現(xiàn)平衡性能、魯棒性、可靠性和易用性的設(shè)計。比導(dǎo)通電阻是衡量SiC MOSFET技術(shù)先進(jìn)性的關(guān)鍵參數(shù)，但其它標(biāo)準(zhǔn)，例如可靠性，也是制約器件表現(xiàn)的重要因素。對于不同的應(yīng)用，導(dǎo)通電阻與可靠性之間的折衷也略有差異。因此，合理的器件定義應(yīng)當(dāng)保證設(shè)計靈活性，以滿足不同的任務(wù)需求，無需大量設(shè)計工作和設(shè)計布局變化。英飛凌CoolSiC?故障率比IGBT更低談到可靠性，人們往往會認(rèn)為
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碳化硅何以英飛凌？—— SiC MOSFET性能評價的真相

  • 在碳化硅（SiC）技術(shù)的應(yīng)用中，許多工程師對SiC的性能評價存在誤解，尤其是關(guān)于“單位面積導(dǎo)通電阻（Rsp）”和“高溫漂移”的問題。作為“碳化硅何以英飛凌”的系列文章，本文將繼續(xù)為您揭開這些誤區(qū)的真相（誤區(qū)一見：碳化硅何以英飛凌？—— 溝槽柵技術(shù)可靠性真相），并介紹英飛凌如何通過技術(shù)創(chuàng)新應(yīng)對這些挑戰(zhàn)。常見誤區(qū)2：“SiC的性能主要看單位面積導(dǎo)通電阻Rsp，電阻越小，產(chǎn)品越好。與平面柵相比，溝槽柵SiC的電阻在高溫下漂移更大，這是否會影響可靠性”01多元化的性能評價更全面Rsp并非唯一評價標(biāo)準(zhǔn)雖然Rsp越小
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散熱難題終結(jié)者！細(xì)數(shù)碳化硅T2PAK封裝的優(yōu)勢

  • 電動汽車 (EV)、可再生能源系統(tǒng)和人工智能 (AI) 數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域電氣化進(jìn)程的持續(xù)提速，正不斷給電源系統(tǒng)帶來更大壓力，對電源系統(tǒng)的效率、小型化及低溫運行能力提出了更高要求。這構(gòu)成了一個長期存在的難題：功率密度的提升與系統(tǒng)尺寸的縮減往往會造成嚴(yán)重的散熱瓶頸。這是當(dāng)下電源系統(tǒng)設(shè)計人員面臨的核心挑戰(zhàn)，高效的散熱管理已成為一大設(shè)計難關(guān)。全球市場正加速碳化硅 (SiC) 技術(shù)的應(yīng)用落地，但散熱設(shè)計卻時常成為掣肘 SiC 性能發(fā)揮的因素。傳統(tǒng)封裝方案往往力不從心，難以滿足大功率碳化硅
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安森美全鏈路碳化硅解決方案，賦能AI時代高效能源變革

  • 安森美（onsemi）憑借其業(yè)界領(lǐng)先的Si和SiC技術(shù)，從變電站的高壓交流/直流轉(zhuǎn)換，到處理器級的精準(zhǔn)電壓調(diào)節(jié)，為下一代AI數(shù)據(jù)中心提供了從3kW到25-30kW HVDC的供電全環(huán)節(jié)高能效、高密度電源解決方案。特別是近期，安森美攜手英偉達(dá)，共推下一代AI數(shù)據(jù)中心加速向800V直流供電方案轉(zhuǎn)型，這種技術(shù)能力的廣度和深度使安森美成為少數(shù)能以可擴(kuò)展、可實際落地的設(shè)計滿足現(xiàn)代AI基礎(chǔ)設(shè)施嚴(yán)苛供電需求的公司之一。在2025 PCIM Asia 展會期間，安森美 SiC JFET產(chǎn)品市場經(jīng)理Brandon Beck
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onsemi 與 FORVIA HELLA 在汽車動力 MOSFET 領(lǐng)域進(jìn)一步展開合作

  • Onsemi與FORVIA HELLA延續(xù)了長期的戰(zhàn)略合作，正式簽署了一項專注于下一代汽車動力MOSFET技術(shù)的新長期協(xié)議。該交易重點在于將Onsemi的PowerTrench T10 MOSFET應(yīng)用于FORVIA HELLA的先進(jìn)汽車平臺，反映出高效且可擴(kuò)展的電力設(shè)備在車輛電氣化中日益重要。這一公告具有相關(guān)意義，因為它強調(diào)了一級供應(yīng)商和半導(dǎo)體廠商如何將功率半導(dǎo)體路線圖與新興汽車架構(gòu)（包括分區(qū)設(shè)計和軟件定義車輛）對齊。它還為設(shè)備層面的漸進(jìn)式改進(jìn)如何影響未來車輛平臺的系統(tǒng)效率和成本目標(biāo)提供了見解。Powe
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英飛凌推出采用Q-DPAK和TOLL封裝的全新工業(yè)CoolSiC MOSFET 650V G2，實現(xiàn)更高的功率密度

  • 簡介CoolSiC MOSFET G2 溝槽式 MOSFET 發(fā)揮碳化硅的性能優(yōu)勢，通過降低能量損耗來提高功率轉(zhuǎn)換過程中的效率。將 SiC 性能提升到一個新水平，同時滿足所有常見電源方案組合的最高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)： AC-DC、DC-DC 和 DC-AC。與 Si 替代品相比，SiC MOSFET 可以在許多應(yīng)用中提供額外的性能，其中包括光伏逆變器、熱量存儲系統(tǒng)、電動汽車充電、電源、電機驅(qū)動、牽引逆變器、板載充電器、DC 對 DC 轉(zhuǎn)換器等。碳化硅器件必備要素 —— 立足當(dāng)下布局，引領(lǐng)未來市場豐富的 CoolSi
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年終盤點：英飛凌2025年碳化硅領(lǐng)域重磅產(chǎn)品與技術(shù)驚艷亮相

  • 歲末將至，回顧2025年科技領(lǐng)域，英飛凌在碳化硅（SiC）賽道成績斐然，憑借一系列創(chuàng)新產(chǎn)品與前沿技術(shù)，為行業(yè)發(fā)展注入強勁動力，成為行業(yè)矚目的焦點。小編貼心地按照產(chǎn)品發(fā)布和技術(shù)發(fā)布這兩大板塊，給大家挑選部分亮點產(chǎn)品，方便各位看官全方位了解，咱們這就開整！01產(chǎn)品發(fā)布：多元布局，精準(zhǔn)覆蓋多領(lǐng)域需求1CoolSiC? MOSFET G2 1200V和1400V單管：多種封裝組合全面升級，滿足多樣化應(yīng)用場景11.8CoolSiC? MOSFET G2 1200V單管CoolSiC? MOSFET G2 1400V
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英飛凌OptiMOS 6 80V MOSFET樹立領(lǐng)先AI服務(wù)器平臺DC-DC功率轉(zhuǎn)換效率新標(biāo)準(zhǔn)

  • 簡介英飛凌OptiMOS? 6 80 V——最新的功率MOSFET技術(shù)，通過廣泛的產(chǎn)品組合設(shè)定了新的行業(yè)基準(zhǔn)性能，包括PQFN 3.3x3.3，SuperSO8、雙面散熱PQFN 5x6 以及源極向下 PQFN 3.3x3.3封裝。 OptiMOS? 6 80 V 系列非常適合電信、服務(wù)器和太陽能等高頻開關(guān)應(yīng)用。OptiMOS? 6 80 V 的性能改進(jìn)也體現(xiàn)了其在電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的優(yōu)勢。關(guān)鍵特性l??與 SSO8 中的 5 相比，RDS(on) OptiMOS?減少24%
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MOSFET失效分析

  • MOSFET 是芯片的基本單元，MOSFET是為了實現(xiàn)數(shù)字電路中0和1的開關(guān)，他有三個電極，源極、柵極和漏極，簡化模型如下 圖
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ROHM車載40V/60V MOSFET產(chǎn)品陣容中新增高可靠性小型新封裝產(chǎn)品

  • 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）近日宣布，適用于主驅(qū)逆變器控制電路、電動泵、LED前照燈等應(yīng)用的車載低耐壓（40V/60V）MOSFET產(chǎn)品陣容中，又新增HPLF5060（4.9mm×6.0mm）封裝產(chǎn)品。新封裝產(chǎn)品與車載低耐壓MOSFET中常見的TO-252（6.6mm×10.0mm）等封裝產(chǎn)品相比，體積可以更小，通過采用鷗翼型引腳*1，還提高了其在電路板上安裝時的可靠性。另外，通過采用銅夾片鍵合*2技術(shù)，還能支持大電流。采用本封裝的產(chǎn)品已于2025年11月起陸續(xù)投入量產(chǎn)（樣品單價50
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英飛凌高功率碳化硅技術(shù)升級優(yōu)化 助力Electreon動態(tài)無線充電道路系統(tǒng)升級

  • ●? ?動態(tài)無線充電道路系統(tǒng)可在客車與卡車行駛于道路及高速公路上時為其充電●? ?英飛凌定制碳化硅模塊可大幅提高功率密度，使電動汽車搭載更小的電池，實現(xiàn)24小時全天候運行●? ?動態(tài)無線充電道路系統(tǒng)解決方案是減少交通運輸領(lǐng)域碳排放的一項關(guān)鍵創(chuàng)新Electreon?的動態(tài)無線充電系統(tǒng)采用英飛凌的碳化硅模塊，大幅提升了其性能、可靠性與能效英飛凌科技股份公司將為領(lǐng)先的電動汽車（EV）無線充電解決方案提供商 Electreon提供定制碳化硅（S
  • 關(guān)鍵字： 英飛凌  碳化硅  Electreon  無線充電道路  動態(tài)無線充電道路  

Boost電路的工作過程

  • Boost電源電路是一種DC-DC升壓電路，能夠?qū)⒌碗妷荷叩捷^高電壓。其基本原理是利用電感儲能和電容儲能的方式，通過開關(guān)管的開關(guān)控制，將輸入電壓進(jìn)行短時間內(nèi)的變化，從而使輸出電壓得到升壓。通過調(diào)整開關(guān)管的開關(guān)頻率和占空比，可以控制輸出電壓的大小和穩(wěn)定性。開關(guān)電源的主要部件包括：輸入源、開關(guān)管、儲能電感、控制電路、二極管、負(fù)載和輸出電容。如果功率不是特別大，IC廠家會將開關(guān)管、控制電路、二極管集成到一顆電源管理芯片中，極大簡化了外部電路。按照是否集成MOSFET，可以將電源IC分類為轉(zhuǎn)換器、控制器。從集成
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全硅RC緩沖器，用于碳化硅MOSFET

  • Melexis正在制造全硅RC緩沖器，用于集成在碳化硅動力模塊中。目前正在向潛在客戶采樣，所有零件將是新零件編號“MLX91299”的變體，并以裸芯片形式交付，準(zhǔn)備與電源模塊內(nèi)的MOSFET和二極管芯片進(jìn)行頂部線連接。反金屬化兼容燒結(jié)和焊接。該硅吸收器設(shè)計用于直流鏈路，最高可達(dá)1000伏直流，峰值可達(dá)1200伏，擊穿額定值將超過1500伏。據(jù)公司介紹，它們“在電壓超過150伏時保持恒定電容，并在10nA附近表現(xiàn)出泄漏電流”。“有多種R和C組合，比如4.3nF在1.45Ω或1.1nF在5.23Ω。”具體生產(chǎn)
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碳化硅 mosfet介紹

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