中國上海，2025年8月28日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出三款650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。這三款產品配備其最新[1]第3代SiC MOSFET芯片，并采用表面貼裝TOLL封裝，適用于開關電源、光伏發電機功率調節器等工業設備。三款器件于今日開始支持批量出貨。 三款新產品是東芝第3代SiC MOSFET，采用通用表面貼裝TOLL封裝，與TO-247和TO-247-4L(X)
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東芝 SiC MOSFET
電容-電壓 (C-V) 測量廣泛用于半導體材料和器件表征，可提取氧化物電荷、界面陷阱、摻雜分布、平帶電壓等關鍵參數。傳統基于 SMU 施加電壓并測量電流的準靜態方法適用于硅 MOS，但在?SiC MOS 器件上因電容更大易導致結果不穩定。為解決這一問題，Keithley 4200A-SCS 引入?Force-I QSCV 技術，通過施加電流并測量電壓與時間來推導電容，獲得更穩定可靠的數據。Force-I QSCV 技術在 SiC 功率 MOS 器件上體現出多項優勢。比如僅需 1 臺帶前
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202509 SiC MOSFET 界面陷阱檢測 QSCV 泰克
山東大學和華為技術有限公司在中國使用氟（F）離子注入端接（FIT）在全垂直氮化鎵（GaN）硅基硅（Si）溝槽金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）中實現了1200V擊穿性能[Yuchuan 馬等人，IEEE Electron Device Letters，2025年7月8日在線發表]。通常，臺面蝕刻端接 （MET） 用于電隔離 GaN 半導體器件。然而，這會導致相對尖銳的拐角，電場往往會擁擠，導致過早擊穿。MET-MOS全垂直MOSFET的擊穿電壓約為650V。功率氮化鎵器件正在與碳化硅 （SiC）
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1200V 全垂直 硅基氮化鎵 MOSFET
全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司近日推出了采用頂部散熱（TSC）Q-DPAK封裝的CoolSiC? MOSFET 1200 V G2。這款新型半導體器件能夠提供更加出色的熱性能、系統效率和功率密度，專為應對工業應用的高性能和高可靠性要求而設計，例如電動汽車充電機、光伏逆變器、不間斷電源、電機驅動和固態斷路器等。采用Q-DPAK封裝的CoolSiC??MOSFET 1200V G2這款CoolSiC 1200 V G2所采用的技術相較于上一代產品有顯著的提升，可在導通電阻（
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英飛凌 CoolSiC MOSFET 1200V
繼推出首批基于 SuperQ 的芯片之后，此舉標志著自 25 多年前超級結技術以來，硅 MOSFET 架構的首次重大進步。賓夕法尼亞州里海谷，2025 年 7 月 31 日 – iDEAL Semiconductor 是一家專注于實現突破性效率的無晶圓廠功率半導體公司，該公司宣布將與電力和射頻專家 Richardson Electronics 合作。根據該協議，iDEAL 將獲得 Richardson Electronics 的設計團隊和銷售專家的支持，以擴展其基于公司新型專利、最先進 SuperQ 技術
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iDEAL Richardson SuperQ MOSFET
固態繼電器 （SSR） 是各種控制和電源開關應用中的關鍵組件，涵蓋白色家電、供暖、通風和空調 （HVAC） 設備、工業過程控制、航空航天和醫療系統。固態隔離器利用無芯變壓器技術在 SSR 的高壓側和低壓側之間提供隔離。基于 CT 的固態隔離器 （SSI） 包括發射器、模塊化部分和接收器或解調器部分。每個部分包含一個線圈，兩個線圈由二氧化硅 （SiO2） 介電隔離柵隔開（圖 1）。磁耦合用于在兩個線圈之間傳輸信號。該技術與標準CMOS處理兼容，可用于分立隔離器或集成柵極驅動器IC。圖 1.分立 SSI 中使
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固態隔離器 MOSFET IGBT 優化SSR
隨著人工智能（AI）快速發展與萬物電氣化進程加速，市場對更高的電源效率與可靠性的需求持續增長。Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）近日宣布與全球電源管理與智能綠色解決方案領導者臺達電子工業股份有限公司（Delta Electronics, Inc.）（以下簡稱“臺達電子”）簽署全新合作協議。雙方將攜手在臺達設計中應用Microchip的mSiC?產品與技術，通過雙方合作加速創新型碳化硅（SiC）解決方案、節能產品及系統的開發，助力構建更可持續的未來。Microchip負責高功
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Microchip 臺達 碳化硅 SiC 電源管理
iDEAL Semiconductor的SuperQ?技術現已全面量產，首款產品為150V MOSFET。同時，一系列200V MOSFET產品也已進入送樣階段。SuperQ是過去25年來硅基MOSFET設計領域的首次重大突破，在硅功率器件中實現了前所未有的性能與效率提升。該架構突破了硅材料在導通與開關方面的物理瓶頸，將n型導電區域擴大至高達95%，并將開關損耗較競爭產品降低高達2.1倍。該結構不僅改善了器件的電阻與功率損耗，同時保留了硅材料的諸多優勢，包括高強度、量產能力強以及在175°C結溫下的可靠性
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iDEAL MOSFET SuperQ
幾乎所有的書籍資料，在講解MOSFET的時候，都喜歡先從微觀結構去分析MOSFET基于半導體特性的各種結構，然后闡述這些結構導致其參數的成因。但是這種方式對于物理基礎較弱的應用型硬件工程師是非常不友好的，導致大家看了大量的表述沒有理解，沒有汲取到營養。各種三維、二維的圖形，各式各樣，也不統一。本章節，我們從應用的角度，來看我們選擇一個開關的器件，當選擇了一個MOSFET之后，他并不是一個完全理想的開關器件。通過其不理想的地方，理解他的一些關鍵參數。后續的內容，我們再通過微觀結構去理解一下導致這些參數的原因
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選型指南 MOSFET 無源器件
7月9日，深圳基本半導體股份有限公司子公司——基本封裝測試（深圳）有限公司完成工商變更登記，公司注冊資本從1000萬元大幅增至2.1億元人民幣，由母公司基本半導體和深圳市投控基石新能源汽車產業私募股權投資基金合伙企業（有限合伙）共同注資。此舉標志著基本半導體在車規級碳化硅領域的戰略布局又邁出重要一步，為后續研發創新和產能擴充奠定堅實基礎。戰略資本加持 助力新能源汽車產業發展本次增資得到了深圳市投控基石新能源汽車產業基金的戰略支持，是對基本半導體在新能源汽車功率器件領域技術積累和市場優勢的充分認可。該基金是
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基本半導體 碳化硅 車規級
NCP51752是隔離單通道柵極驅動器系列,源極和吸收峰電流分別為+4.5
A/-9A。 它們設計用于快速切換以驅動功率MOSFET和SiC MOSFET功率開關。
NCP51752提供短而匹配的傳播延遲。為了提高可靠性、dV/dt免疫力，甚至更快地關閉，NCP51752具有嵌入式負偏置軌機制在GND2和VEE引腳之間。 本用戶指南支持NCP51752的評估板。 它應該與NCP51752數據表以及onsemi的應用說明和技術支持團隊一起使用。 本文檔描述了孤立單體的擬
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onsemi NCP51752 隔離式 SiC MOSFET 閘極驅動器 評估板
在幾乎所有電機驅動、電動汽車、快速充電器和可再生能源系統中，都會配備低功耗輔助電源。雖然相比于主要的功率級，此類電源通常受到的關注較少，但它們仍是幫助系統高效運行的關鍵組成部分。提高系統可靠性、減小系統尺寸以及縮減系統成本，同時最大限度地降低風險并支持多源采購——設計人員不斷面臨這些經常相互矛盾的挑戰。Wolfspeed 推出的工業級 C3M0900170x 和獲得車規級認證 (AEC-Q101) 的 E3M0900170x 碳化硅 MOSFET 產品系列，可在 20 至 200 W 范圍內增強輔助電源的
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Wolfspeed MOSFET 輔助電源系統
之前兩篇文章我們分別介紹了CoolSiC? MOSFET G2的產品特點及導通特性 （參考閱讀： CoolSiC? MOSFET Gen2性能綜述 ， CoolSiC? MOSFET G2導通特性解析 ） ，今天我們分析一下在軟開關和硬開關兩種場景下，如何進行CoolSiC? MOSFET G2的選型。G2在硬開關拓撲中的應用除了R DS(on) ，開關損耗在SiC MOSFET的選型中也扮演著非常重要的角色。因為SiC往往工
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英飛凌 MOSFET
近日，深圳基本半導體股份有限公司（簡稱“基本半導體”）宣布完成D輪融資，融資金額達1.5億元人民幣。本輪融資由中山火炬開發區科創產業母基金與中山金控聯合投資，資金將主要用于碳化硅功率器件的技術研發、產能擴張以及市場拓展。基本半導體成立于2016年，是一家專注于碳化硅功率器件研發與制造的高新技術企業。其核心產品包括1200V/20A JBS碳化硅二極管、1200V平面柵碳化硅器件以及10kV/2A SiC PiN二極管等。這些產品以低損耗、高頻率等優勢，廣泛應用于電動汽車、軌道交通、光伏逆變器和航空航天等領
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基本半導體 碳化硅
全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）今日宣布，搭載了羅姆第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模塊，已應用于豐田汽車公司（TOYOTA MOTOR CORPORATION.，以下簡稱“豐田”）面向中國市場的全新跨界純電動汽車（BEV)“bZ5”的牽引逆變器中。“bZ5”作為豐田與比亞迪豐田電動車科技有限公司（以下簡稱“BTET”）、一汽豐田汽車有限公司（以下簡稱“一汽豐田”）聯合開發的跨界純電動汽車，由一汽豐田于2025年6月正式發售。此次采用的功率模塊由羅姆與正海集團的合資企業——上海海姆希科
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