在本文中，我們使用90nm CMOS的SPICE模型來繪制NMOS晶體管的關鍵電學關系。在前一篇文章中，我解釋了如何獲得集成電路MOSFET的高級SPICE模型，并將其納入LTspice仿真中。然后，我們使用這個模型來研究NMOS晶體管的閾值電壓。在本文中，我們將使用相同的模型來生成直觀地傳達晶體管電氣行為的圖。繪制漏極電流與漏極電壓我們將從生成漏極電流（ID）與漏極-源極電壓（VDS）的基本圖開始。為此，我們將柵極電壓設置為遠高于閾值電壓的固定值，然后執行直流掃描模擬，其中VDD的值逐漸增加。圖1顯示了
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LTspice MOSFET NMOS
據日經中文網報道，日本中央硝子（Central Glass）開發出了用于功率半導體材料“碳化硅（SiC）”襯底的新制造技術。據介紹，中央硝子開發出了利用含有硅和碳的溶液（液相法）來制造SiC襯底的技術。與使用高溫下升華的SiC使單晶生長（升華法）的傳統技術相比，液相法在增大襯底尺寸以及提高品質方面更具優勢。該技術可使襯底的制造成本降低10%以上，良率也會大幅度提升。由于利用液相法制備SiC襯底較為復雜，此前該技術一直未應用在實際生產中。中央硝子運用基于計算機的計算化學，通過推算溶液的動態等，成功量產出了6
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碳化硅 襯底
6月28日，據韓媒報道，意法半導體（ST）將從明年第三季度開始將其碳化硅（SiC）功率半導體生產工藝從6英寸升級為8英寸。該計劃旨在提高產量和生產率，以具有競爭力的價格向市場供應SiC功率半導體。意法半導體功率分立與模擬產品部副總裁Francesco Muggeri近日接受記者采訪時表示：“目前，生產SiC功率半導體的主流尺寸為6英寸，但我們計劃從明年第三季度開始逐步轉向8英寸。”隨著晶圓尺寸的增加，每片可以生產更多的芯片，每顆芯片的生產成本降低。SiC晶圓正在從6英寸逐步轉變到8英寸。意法半導體計劃明年
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碳化硅 意法半導體
英飛凌科技股份公司近日推出600 V CoolMOS??8?高壓超結（SJ）MOSFET產品系列。該系列器件結合了600 V CoolMOS??7 MOSFET系列的先進特性，是P7、PFD7、C7、CFD7、G7?和?S7產品系列的后續產品。全新超結MOSFET實現了具有高成本效益的硅基解決方案，豐富了英飛凌的寬帶隙產品陣容。該系列產品配備集成式快速體二極管，適用于服務器和工業開關模式電源裝置（SMPS）、電動汽車充電器、微型太陽能等廣泛應用。這些元件采
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英飛凌 oolMOS 8 SJ MOSFET 電源應用
6月23日，瞻芯電子宣布，公司基于第三代工藝平臺開發的1200V 13.5mΩ SiC
MOSFET產品已經通過車規級可靠性(AEC-Q101)測試認證。同時，瞻芯電子第三代1200V SiC
MOSFET工藝平臺正式量產，后續將依托浙江義烏的車規級SiC晶圓廠推出更多第三代SiC MOSFET產品。瞻芯電子成立于2017年，是一家聚焦于碳化硅(SiC)半導體領域的高科技芯片公司，致力于開發碳化硅(SiC)功率器件、驅動和控制芯片、碳化硅(SiC)功率模塊產品。瞻芯電子表示，第三代1200V 13
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瞻芯電子 SiC MOSFET 車規認證
隨著人工智能（AI）處理器對功率的要求日益提高，服務器電源（PSU）必須在不超出服務器機架規定尺寸的情況下提供更高的功率，這主要是因為高級GPU的能源需求激增。到本十年末，每顆高級GPU芯片的能耗可能達到2千瓦或以上。這些需求以及更高要求的應用和相關特定客戶需求的出現，促使英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）開發電壓650 V以下的SiC MOSFET產品。現在，英飛凌基于今年早些時候發布的第二代（G2）CoolSiCTM技術，推出全新CoolSiC??MOS
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英飛凌 CoolSiC MOSFET AI服務器電源
全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司近日推出適用于汽車功率管理應用的600 V CoolMOS? S7TA超級結MOSFET。S7TA專為滿足汽車電子部件的特殊要求而設計，其集成溫度傳感器在工業應用同類產品（CoolMOS? S7T）取得的進步基礎上，顯著提高了結溫傳感的精度，因此具有諸如更高的耐用性、安全性和效率等對于汽車領域至關重要的優勢。與同系列中的工業級產品一樣，車規級CoolMOS? S7TA?尤其適合固態繼電器（SSR）應用。它具有出色的RDS(on)?
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英飛凌 溫度傳感器 CoolMOS MOSFET
●? ?安森美 (onsemi) 將實施高達 20 億美元的多年投資計劃，鞏固其面向歐洲和全球客戶的先進功率半導體供應鏈●? ?垂直整合的碳化硅工廠將為當地帶來先進的封裝能力，使安森美能夠更好地滿足市場對清潔、高能效半導體方案日益增長的需求 ? ? ?●? ?安森美與捷克共和國政府合作制定激勵方案，以支持投資計劃落實●? ?該投資將成為捷克共和國歷史上最大的私營企業投資項目之一，屬于對中歐先進半導
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安森美 碳化硅 功率半導體
作為第三代半導體產業發展的重要基礎材料，碳化硅MOSFET具有更高的開關頻率和使用溫度，能夠減小電感、電容、濾波器和變壓器等組件的尺寸，提高系統電力轉換效率，并且降低對熱循環的散熱要求。在電力電子系統中，應用碳化硅MOSFET器件替代傳統硅IGBT器件，可以實現更低的開關和導通損耗，同時具有更高的阻斷電壓和雪崩能力，顯著提升系統效率及功率密度，從而降低系統綜合成本。圖 SiC/Si器件效率對比一、行業典型應用碳化硅MOSFET的主要應用領域包括：充電樁電源模塊、光伏逆變器、光儲一體機、新能源汽車空調、新能
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SiC MOS 碳化硅 MOSFET
英飛凌科技股份公司正在擴大其用于汽車應用的下一代OptiMOS? 7 MOSFET產品組合，在40 V?產品組合中新增了采用穩健且無鉛封裝的器件，并且推出了80 V和100 V型號的OptiMOS? 7 MOSFET。這些MOSFET針對各項標準和未來的48 V汽車應用進行了優化，包括電動助力轉向、制動系統、新區域架構中的功率開關、電池管理、電子保險絲盒，以及各種12 V和48 V電氣系統應用中的直流/直流和BLDC驅動器等。這些產品還適用于輕型電動汽車（LEV）、電動二輪車、電動踏板車、電動摩
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英飛凌科技 汽車應用 OptiMOS? 7 MOSFET
為特定CMOS工藝節點設計的SPICE模型可以增強集成電路晶體管的模擬。了解在哪里可以找到這些模型以及如何使用它們。我最近寫了一系列關于CMOS反相器功耗的文章。該系列中的模擬采用了LTspice庫中預加載的nmos4和pmos4模型。雖然這種方法完全適合這些文章，但如果我們的主要目標是準確模擬集成電路MOSFET的電學行為，那么結合一些外部SPICE模型是有意義的。在本文中，我將介紹下載用于IC設計的高級SPICE模型并在LTspice原理圖中使用它們的過程。然后，我們將使用下載的模型對NMOS晶體管進
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CMOS，MOSFET 晶體管，Spice模型
安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列專注于提高開關性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，還針對工業電源系統中的高功率應用進行了優化。此前我們描述了M3S的一些關鍵特性以及與第一代相比的顯著性能提升，本文則將重點介紹M3S產品的設計注意事項和使用技巧。寄生導通問題由于NTH4L022N120M3S的閾值電壓具有 NTC，因此在最高結溫TJ(MAX) = 175°C時具有最低值。即使數據表中的典型V
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SiC MOSFET RSP
在技術進步和低碳化日益受到重視的推動下，電子行業正在向結構更緊湊、功能更強大的系統轉變。英飛凌科技股份公司推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封裝正在積極支持并加速這一趨勢。這些產品能夠更大程度地利用PCB主板和子卡，同時兼顧系統的散熱要求和空間限制。目前，英飛凌正在通過采用?Thin-TOLL 8x8?和?TOLT?封裝的兩個全新產品系列，擴展其?CoolSiC? MOSFET分立式半導體器件?650 V產品組合。這兩個產品系列基于Coo
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英飛凌 CoolSiC MOSFET
本文提出一個用尺寸緊湊、高成本效益的DC/AC逆變器分析碳化硅功率模塊內并聯裸片之間的熱失衡問題的解決方案，該分析方法是采用紅外熱像儀直接測量每顆裸片在連續工作時的溫度，分析兩個電驅逆變模塊驗證，該測溫系統的驗證方法是，根據柵源電壓閾值選擇每個模塊內的裸片。我們將從實驗數據中提取一個數學模型，根據Vth選擇標準，預測當逆變器工作在電動汽車常用的電壓和功率范圍內時的熱不平衡現象。此外，我們還能夠延長測試時間，以便分析在電動汽車生命周期典型電流負荷下的芯片行為。
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電驅逆變器 碳化硅 電動汽車 大功率
作為天岳先進三大SiC材料生產基地之一，與其位于山東濟南和濟寧的兩大基地相比，其上海基地項目似乎更受關注。近日，天岳先進上海基地項目披露了最新進展，再次成為焦點。2024年5月，天岳先進位于上海臨港重裝備產業區的生產基地第一個項目完成驗收，意味著該生產基地由此進入新的發展階段。01天岳先進“瘋狂”擴產據悉，天岳先進上海基地項目最初于2021年第二季度備案和申報，規劃投資25億元，項目全部達產后，SiC襯底的產能約為30萬片/年。從投資規模和產能規劃來看，上海基地項目有望讓天岳先進的市場地位再進一步。近年來
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天岳先進 碳化硅
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