- 近日，晶盛機電在接受機構調研時表示，目前公司已基本實現8-12英寸大硅片設備的全覆蓋并批量銷售，6英寸碳化硅外延設備實現批量銷售且訂單量快速增長，成功研發出具有國際先進水平的8英寸單片式碳化硅外延生長設備，實現了成熟穩定的8英寸碳化硅外延工藝。同時公司基于產業鏈延伸，開發出了應用于8-12英寸晶圓及封裝端的減薄設備、外延設備、LPCVD設備、ALD設備等。晶盛機電自2017年開始碳化硅產業布局，聚焦碳化硅襯底片和碳化硅外延設備兩大業務。公司已掌握行業領先的8英寸碳化硅襯底技術和工藝，量產晶片的核心位錯達到
- 關鍵字：
半導體設備 晶盛機電 碳化硅
- 在本文中，我們通過研究MOSFET共源放大器的s域傳遞函數來了解其頻率響應。之前，我們了解了MOSFET共源放大器的大信號和小信號行為。這些分析雖然有用，但僅適用于低頻操作。為了了解共用源（CS）放大器在較高頻率下的功能，我們需要更詳細地研究其頻率響應。在本文中，我們將在考慮MOSFET寄生電容的情況下導出CS放大器的全傳遞函數。然而，在我們這么做之前，讓我們花點時間回顧頻域中更為普遍的傳遞函數（TF）分析。s域傳輸函數TF是表示如何由線性系統操縱輸入信號（x）以產生輸出信號（y）的方程式。其形式為：&n
- 關鍵字：
MOSFET 共源放大器
- 在關斷狀態下，功率MOSFET的體二極管結構的設計是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場使得漏極和源極端子之間有大量電流流動。典型的阻斷狀態漏電流在幾十皮安到幾百納安的數量級。根據電路條件不同，在雪崩、MOSFET漏極或源極中，電流范圍可從微安到數百安。
額定擊穿電壓，也可稱之為“BV”，通常是在給定溫度范圍（通常是整個工作結溫范圍）內定義的MOSFET器件的最小阻斷電壓（例如30V）。數據表中的BVdss值是在低雪崩電流（通常為
- 關鍵字：
MOSFET 雪崩 電流
- 奈梅亨，2024年2月29日：Nexperia再次在APEC上展示產品創新，今天宣布發布幾款新型MOSFET，以進一步拓寬其分立開關解決方案的范圍，可用于多個終端市場的各種應用。此次發布的產品包括用于PoE、eFuse和繼電器替代產品的100 V 應用專用MOSFET (ASFET)，采用DFN2020封裝，體積縮小60%，以及改進了電磁兼容性(EMC)的40 ?V NextPowerS3 MOSFETPoE交換機通常有多達48個端口，每個端口需要2個MOSFET提供保護。單個PCB上有多達96
- 關鍵字：
Nexperia APEC 2024 拓寬分立式FET MOSFET
- 在本文中，我們介紹了具有不同負載類型的MOSFET共源放大器的基本行為。模擬電路隨處可見，放大器基本上是每個模擬電路的一部分。MOSFET能夠制造出卓越的放大器件，這就是為什么有多種基于它們的單級放大器拓撲結構的原因。根據哪個晶體管端子是輸入端和哪個晶體管端子是輸出端來區分它們。在本文中，我們將討論共用源極（CS）放大器，它使用柵極作為其輸入端子，使用漏極作為其輸出。在交流信號方面，源端子對于輸入和輸出都是公共的，因此得名為共源。圖1顯示了具有理想電流源的CS放大器。具有理想電流源負載的共源放大器。&nb
- 關鍵字：
MOSFET 共源放大器
- 在本文中，我們介紹了具有不同負載類型的MOSFET共源放大器的基本行為。模擬電路隨處可見，放大器基本上是每個模擬電路的一部分。MOSFET能夠制造出卓越的放大器件，這就是為什么有多種基于它們的單級放大器拓撲結構的原因。根據哪個晶體管端子是輸入端和哪個晶體管端子是輸出端來區分它們。在本文中，我們將討論共用源極（CS）放大器，它使用柵極作為其輸入端子，使用漏極作為其輸出。在交流信號方面，源端子對于輸入和輸出都是公共的，因此得名為共源。圖1顯示了具有理想電流源的CS放大器。具有理想電流源負載的共源放大器。&nb
- 關鍵字：
MOSFET 共源放大器
- 本文的關鍵要點各行各業的工廠都在擴大生產線的智能化程度，在生產線上的裝置和設備旁邊導入先進信息通信設備的工廠越來越多。要將高壓工業電源線的電力轉換為信息通信設備用的電力，需要輔助設備用的高效率電源，而采用內置1700V耐壓SiC MOSFET的AC-DC轉換器IC可以輕松構建這種高效率的輔助電源。各行各業加速推進生產線的智能化如今，從汽車、半導體到食品、藥品和化妝品等眾多行業的工廠，既需要進一步提升生產效率和產品品質，還需要推進無碳生產（降低功耗和減少溫室氣體排放）。在以往的制造業中，提高工廠的生產效率和
- 關鍵字：
電力轉換 SiC MOSFET
- 近幾日，英飛凌在碳化硅合作與汽車半導體方面合作動態頻頻，再度引起業界對碳化硅材料關注。1月23日，英飛凌與Wolfspeed宣布擴大并延伸現有的長期150mm碳化硅晶圓供應協議（原先的協議簽定于2018年2月）。延伸后的合作將包括一個多年期產能預留協議。這將有助于保證英飛凌整個供應鏈的穩定，同時滿足汽車、太陽能、電動汽車充電應用、儲能系統等領域對于碳化硅半導體不斷增長的需求。據英飛凌科技首席執行官 JochenHanebeck 消息，為了滿足不斷增長的碳化硅器件需求，英飛凌正在落實一項多供應商戰略，從而在
- 關鍵字：
碳化硅 英飛凌 晶圓
- CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，規格為12-100mΩ。由于采用了.XT互聯技術，CoolSiC?技術的輸出電流能力強，可靠性提高。產品型號：???IMYH200R012M1H???IMYH200R024M1H???IMYH200R050M1H???IMYH200R075M1H???IMYH200R0100M1H產品特點■ VDSS=2000V，可用于最高母線電壓為1500VDC系統■ 開關損
- 關鍵字：
MOSFET CoolSiC Infineon
- 在電力電子的很多應用，如電機驅動，有時會出現短路的工況。這就要求功率器件有一定的扛短路能力，即在一定的時間內承受住短路電流而不損壞。目前市面上大部分IGBT都會在數據手冊中標出短路能力，大部分在5~10us之間，例如英飛凌IGBT3/4的短路時間是10us，IGBT7短路時間是8us。而 大 部 分 的 SiC MOSFET 都 沒 有 標 出 短 路 能 力 ， 即 使 有 ， 也 比 較 短 ， 例 如 英 飛 凌 的CoolSiCTM MOSFET單管封裝器件標稱短路時間是3us，EASY封裝器件標
- 關鍵字：
infineon MOSFET
- 2月1日消息，近日，浙江嘉興平湖市政府公示了“年產90萬片功率模塊、45萬片PCBA板和20萬臺電機控制器”建設項目規劃批前公告。據披露，該項目建設單位為臻驅科技的全資子公司——臻驅半導體（嘉興）有限公司，臻驅半導體擬投約資6.45億元在平湖市經濟技術開發區新明路南側建造廠房用于生產及研發等，項目建筑面積達45800m2。公開資料顯示，臻驅科技成立于2017年，是一家提供國產功率半導體及新能源汽車驅動解決方案的公司，總部位于上海浦東，在上海臨港、廣西柳州、浙江平湖及德國亞琛（Aachen）等地布局了多家子
- 關鍵字：
功率模塊 碳化硅 SiC
- MOSFET的小信號特性在模擬IC設計中起著重要作用。在本文中，我們將學習如何對MOSFET的小信號行為進行建模。正如我們在上一篇文章中所解釋的那樣，MOSFET對于現代模擬IC設計至關重要。然而，那篇文章主要關注MOSFET的大信號行為。模擬IC通常使用MOSFET進行小信號放大和濾波。為了充分理解和分析MOS電路，我們需要定義MOSFET的小信號行為。什么是小信號分析？當我們說“小信號”時，我們的確切意思是？為了定義這一點，讓我們參考圖1，它顯示了逆變器的輸出傳遞特性。逆變器的傳輸特性。 圖
- 關鍵字：
MOSFET 模擬IC
- 據外媒，1月23日，英飛凌與美國半導體制造商Wolfspeed發布聲明，宣布擴大并延長雙方2018年2月簽署的現有150mm碳化硅晶圓長期供應協議。根據聲明，雙方延長的的合作關系中包括一項多年期產能預留協議。新協議有助于提高英飛凌總體供應鏈的穩定性，同時滿足汽車、太陽能和電動汽車應用以及儲能系統對碳化硅晶圓產品日益增長的需求。英飛凌科技首席執行官Jochen Hanebeck表示，希望在全球范圍內保障對于150mm和200mm碳化硅晶圓的高品質、長期供應優質貨源。
- 關鍵字：
英飛凌 碳化硅 晶圓 Wolfspeed
- 摘要在無線收發器等應用中，系統一般處于偏遠地區，通常由電池供電。由于鮮少有人能夠前往現場進行干預，此類應用必須持續運行。系統持續無活動或掛起后，需要復位系統以恢復操作。為了實現系統復位，可以切斷電源電壓，斷開系統電源，然后再次連接電源以重啟系統。 本文將探討使用什么方法和技術可以監控電路的低電平有效輸出來驅動高端輸入開關，從而執行系統電源循環。 簡介為了提高電子系統的可靠性和穩健性，一種方法是實施能夠檢測故障并及時響應的保護機制。這些機制就像安全屏障，能夠減輕潛在損害，確保系統正常運行
- 關鍵字：
MOSFET 系統電源循環 ADI
- 2024年1月18日，中國--服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM) 宣布，與聚焦于碳化硅(SiC)半導體功率模塊和先進電力電子變換系統的中國高科技公司致瞻科技合作，為致瞻科技電動汽車車載空調中的壓縮機控制器提供意法半導體第三代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術。采用高能效的控制器可為新能源汽車帶來諸多益處，以動力電池容量60kWh~90kWh的中型電動汽車為例，續航里程可延長5到10公里，在夏冬
- 關鍵字：
致瞻 意法半導體 碳化硅 新能源汽車 空調壓縮機控制器
碳化硅 mosfet介紹
您好，目前還沒有人創建詞條碳化硅 mosfet!
歡迎您創建該詞條，闡述對碳化硅 mosfet的理解，并與今后在此搜索碳化硅 mosfet的朋友們分享。
創建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
