電池可以用來儲存太陽能和風能等可再生能源在高峰時段產生的能量，這樣當環境條件不太有利于發電時，就可以利用這些儲存的能量。本文回顧了住宅和商用電池儲能系統 (BESS) 的拓撲結構，然后介紹了安森美(onsemi) 的EliteSiC 方案，可作為硅MOSFET 或IGBT開關的替代方案，改善 BESS 的性能。BESS的優勢最常用的儲能方法有四種，分別是電化學儲能、化學儲能、熱儲能和機械儲能。鋰離子電池是家喻戶曉的電化學儲能系統，具有高功率密度、高效率、外形緊湊、模塊化等特點。此外，鋰離子電池技術成熟，因
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202310 碳化硅 SiC 電池儲能系統
10月25日，中芯集成發布公告稱，新設立合資公司芯聯動力科技（紹興）有限公司（以下簡稱“芯聯動力”）已完成了工商注冊登記手續，并取得紹興市越城區市場監督管理局核發的《營業執照》。根據中芯集成公告，芯聯動力將運營碳化硅（SiC）業務項目，注冊資本人民幣5億元，中芯集成使用自有資金出資人民幣2.55億元，占注冊資本總額51.00%。基于合資公司的股權結構，合資公司將被納入公司合并報表范圍，系公司控股子公司。從投資股東上看，芯聯動力創始股東包括中芯集成、芯聯合伙和博原資本、立訊精密家族辦公室立翎基金、上汽集團旗
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中芯集成 碳化硅
安森美位于韓國富川的先進碳化硅超大型制造工廠的擴建工程已經完工，該晶圓廠每年將能生產超過一百萬片200mm SiC晶圓。10月25日消息，安森美發布消息稱，其位于韓國富川的先進碳化硅（SiC）超大型制造工廠的擴建工程已經完工，目標明年完成設備安裝，到2025年該廠SiC半導體產量預計將增至每年100萬顆。富川SiC生產線目前主力生產150mm晶圓，在2025年完成200mm SiC工藝驗證后，將轉為生產200mm晶圓。為了支持SiC產能的提升，安森美計劃在未來三年內雇傭多達1000名當地員工來填補大部分高
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安森美 韓國 碳化硅
10月24日，安森美宣布其位于韓國富川的先進碳化硅(SiC)超大型制造工廠的擴建工程已經完工。全負荷生產時，該晶圓廠每年將能生產超過一百萬片200mmSiC晶圓。據介紹，新的150mm/200mmSiC先進生產線及高科技公用設施建筑和鄰近停車場于2022年中期開始建設，并于2023年9月竣工。150mm/200mmSiC外延(Epi)和晶圓廠的擴建，體現了安森美致力于在棕地（既有地點）建立垂直整合碳化硅制造供應鏈的戰略。富川SiC生產線目前主力生產150mm晶圓開始，在2025年完成200mmSiC工藝驗
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安森美 碳化硅
2023 年，中國化合物半導體產業實現歷史性突破。在碳化硅（SiC）晶體生長領域，中國尤其獲得國際 IDM 的認可，導致產量大幅增長。此前中國碳化硅材料僅占全球約 5% 的產能，然而業界樂觀預計，2024 年中國碳化硅晶圓在全球的占比有望達到 50%。天岳先進、天科合達、三安光電等公司均斥資提高碳化硅晶圓/襯底產能，目前這些中國企業每月的總產能約為 6 萬片。隨著各公司產能釋放，預計 2024 年月產能將達到 12 萬片，年產能 150 萬。根據行業消息和市調機構的統計，此前天岳先進、天科合達合計占據全球
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碳化硅 晶圓
日前，瑞能半導體CEO Markus Mosen先生受邀出席在上海隆重舉行的2023中國國際半導體高管峰會（ISES，原CISES）。作為半導體原廠和設備制造商云集的平臺，ISES專注于高層管理，來自世界各地的半導體領域高管和領袖受邀聚集于此，旨在探討行業的未來趨勢和挑戰，分享他們如何在迅速創新和變化的行業中推動技術進步。ISES通過推動整個微電子供應鏈的創新、商業和投資機會，為半導體制造業賦能，促進中國半導體產業的發展。在峰會以“寬禁帶功率半導體在汽車應用中的機遇”為主題的單元中，Markus Mose
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瑞能 ISES CHINA 2023 碳化硅 新能源汽車
2023年，中國化合物半導體產業實現歷史性突破。 在碳化硅（SiC）晶體生長領域，尤其得到國際IDM廠商的認可，中國廠商產能大幅提升。 此前，來自中國的SiC材料僅占全球市場的5%。 然而，到2024年，預計將搶占可觀的市場份額。該領域的主要中國公司，包括SICC、TankeBlue和三安，幾乎都將產能擴大了千倍。我國大約有四到五家從事SiC晶體生長的龍頭企業，為測算我國SiC晶體生長產能提供了依據。 目前，他們的月產能合計約為60,000單位。 隨著各公司積極增產，預計到2024年月產能將達到12萬單位
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SiC 碳化硅
本應用筆記涵蓋了計算柵極驅動光耦合器 IC 的柵極驅動器功率和熱耗散的主題。柵極驅動光耦合器用于驅動、開啟和關閉功率半導體開關、MOSFET/IGBT。柵極驅動功率計算可分為三部分；驅動器內部電路中消耗或損失的功率、發送至功率半導體開關(IGBT/MOSFET)的功率以及驅動器IC和功率半導體開關之間的外部組件處（例如外部柵極電阻器上）損失的功率。在以下示例中，我們將討論使用 Avago ACPL-332J（2.5nApeak 智能柵極驅動器）的 IGBT 柵極驅動器設計。本應用筆記涵蓋了計算柵極驅動光耦
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IGBT MOSFET
功率MOSFET是便攜式設備中大功率開關電源的主要組成部分。此外，對于散熱量極低的筆記本電腦來說，這些MOSFET是最難確定的元件。本文給出了計算MOSFET功耗以及確定其工作溫度的步驟，并通過多相、同步整流、降壓型CPU核電源中一個30A單相的分布計算示例，詳細說明了上述概念。也許，今天的便攜式電源設計者所面臨的最嚴峻挑戰就是為當今的高性能CPU提供電源。CPU的電源電流最近每兩年就翻一番。事實上，今天的便攜式核電源電流需求會高達60A或更多，電壓介于0.9V和1.75V之間。但是，盡管電流需求在穩步增
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MOSFET 開關電源
不斷增長的消費需求、持續提高的環保意識/環境法規約束，以及越來越豐富的可選方案，都在推動著人們選用電動汽車 (EV)，令電動汽車日益普及。高盛近期的一項研究顯示，到 2023 年，電動汽車銷量將占全球汽車銷量的 10%；到 2030 年，預計將增長至 30%；到 2035 年，電動汽車銷量將有可能占全球汽車銷量的一半。然而，“里程焦慮”，也就是擔心充一次電后行駛里程不夠長，則是影響電動汽車普及的主要障礙之一。克服這一問題的關鍵是在不顯著增加成本的情況下延長車輛行駛里程。本文闡述了如何在主驅逆變器中使用碳化
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電動汽車 逆變器 SiC MOSFET
英飛凌、現代汽車和起亞汽車三方發布官方聲明稱，已簽署一項多年期碳化硅和硅功率半導體供應協議。據外媒，10月18日，英飛凌、現代汽車和起亞汽車三方發布官方聲明稱，已達成戰略合作，簽署一項多年期碳化硅和硅功率半導體供應協議，以確保功率半導體的供應。根據戰略合作協議，英飛凌將在2030年前向現代、起亞供應碳化硅和硅功率模塊與芯片，而現代、起亞則會出資支持英飛凌的產能建設與儲備，三方也計劃在提升電動汽車的性能上緊密合作。
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英飛凌 現代 起亞 碳化硅 硅功率模塊
對于高壓開關電源應用，碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優勢。開關超過 1,000 V的高壓電源軌以數百 kHz 運行并非易事，即使是最好的超結硅 MOSFET 也難以勝任。IGBT 很常用，但由于其存在“拖尾電流”且關斷緩慢，因此僅限用于較低的工作頻率。因此，硅 MOSFET 更適合低壓、高頻操作，而 IGBT 更適合高壓、大電流、低頻應用。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開關性能優勢。它是電壓控制的場效應器件，能夠像 IGBT 一樣進行高壓
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SiC MOSFET IGBT WBG
10月16日，根據韓媒ETNEWS的報道，三星電子近期聘請安森美半導體前董事洪錫俊(Stephen Hong)擔任副總裁，負責監督SiC功率半導體業務，并在其內部組織了SiC功率半導體業務V-TF部門。Stephen Hong是功率半導體專家，在加入三星電子之前，曾在英飛凌、仙童、安森美半導體等全球主要功率半導體公司工作約25年。目前，Stephen Hong正在尋找SiC商業化的團隊成員，同時通過與韓國功率半導體產業生態圈和學術界互動，進行市場和商業可行性研究。早先三星宣布正式進軍GaN業務的時候也曾提
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三星 碳化硅！
假如有人將24V電源連接到您的12V電路上，將發生什么？倘若電源線和接地線因疏忽而反接，電路還能安然無恙嗎？您的應用電路是否工作于那種輸入電源會瞬變至非常高壓或甚至低于地電位的嚴酷環境中?即使此類事件的發生概率很低，但只要出現任何一種就將徹底損壞電路板。為了隔離負電源電壓，設計人員慣常的做法是布設一個與電源相串聯的功率二極管或 P 溝道 MOSFET。然而——◇ 二極管既占用寶貴的板級空間，又會在高負載電流下消耗大量的功率。◇ P 溝道 MOSFET 的功耗雖然低于串聯二極管，但 MOSFET 以及所需的
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MOSFET 二極管 LTC4365
碳化硅（SiC）具有高擊穿場強、高熱導率、高飽和電子漂移速率等特點，可很好地滿足新能源汽車與充電樁、光伏新能源、智能電網、軌道交通等應用需求，對我國“新基建”產業發展具有重要意義，是未來五年“中國芯”最好的突破口之一，當下我國應該集中優勢資源重點發展。
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