銀河微電12月20日在互動平臺表示，功率MOSFET器件已實現Clip Bond技術的量產；IPM模塊已完成一款封裝的量產，未來將根據市場情況逐步系列化；DFN0603無框架封裝已完成工藝驗證，性能指標符合開發目標要求；CSP0603封裝已完成技術開發，未來芯片線改擴建時將進行成果轉化。
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銀河微電 MOSFET
在相當長的一段時間內，硅一直是世界各地電力電子轉換器所用器件的首選半導體材料，但 1891 年碳化硅 (SiC) 的出現帶來了一種替代材料，它能減輕對硅的依賴。SiC 是寬禁帶 (WBG) 半導體：將電子激發到導帶所需的能量更高，并且這種寬禁帶具備優于標準硅基器件的多種優勢。由于漏電流更小且帶隙更大，器件可以在更寬的溫度范圍內工作，而不會發生故障或降低效率。它還具有化學惰性，所有這些優點進一步鞏固了 SiC 在電力電子領域的重要性，并促成了它的快速普及。SiC 功率器件目前已廣泛用于眾多應用，例如電源、純
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安森美 碳化硅
日前，英飛凌科技繼續擴大了與碳化硅（SiC）供應商的合作。英飛凌是一家總部位于德國的半導體制造商，此次與Resonac Corporation（原昭和電工）簽署了全新的多年期供應和合作協議。早在2021年，雙方就曾簽署合作協議，此次的合作是在該基礎上的進一步豐富和擴展，將深化雙方在SiC材料領域的長期合作伙伴關系。協議顯示，英飛凌未來十年用于生產SiC半導體的SiC材料中，約占兩位數份額將由Resonac供給。前期，Resonac將主要供應6英寸SiC材料，協議后期則會助力英飛凌向8英寸晶圓的過渡。合作過
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英飛凌 碳化硅
英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）持續擴大與碳化硅（SiC）供應商的合作。英飛凌是一家總部位于德國的半導體制造商，此次與Resonac Corporation（原昭和電工）簽署了全新的多年期供應和合作協議。早在2021年，雙方就曾簽署合作協議，此次的合作是在該基礎上的進一步豐富和擴展，將深化雙方在SiC材料領域的長期合作伙伴關系。協議顯示，英飛凌未來十年用于生產SiC半導體的SiC材料中，約占兩位數份額將由Resonac供給。前期，Resonac將主要供應6英寸SiC
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英飛凌 Resonac 碳化硅 SiC
_____“?動態特性是功率器件的重要特性，在器件研發、系統應用和學術研究等各個環節都扮演著非常重要的角色。故對功率器件動態參數進行測試是相關工作的必備一環，主要采用雙脈沖測試進行。”按照被測器件的封裝類型，功率器件動態參數測試系統分為針對分立器件和功率模塊兩大類。長期以來，針對功率模塊的測試系統占據絕大部分市場份額，針對分立器件的測試系統需求較少，選擇也很局限。隨著我國功率器件國產化進程加快，功率器件廠商和系統應用企業也越來越重視功率器件動態參數測試，特別是針對分立器件的測試系統提出了越來越多
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MOSFET
高頻高效是開關電源及電力電子系統發展的趨勢，高頻工作導致功率元件開關損耗增加，因此要使用軟開關技術，保證在高頻工作狀態下，減小功率元件開關損耗，提高系統效率。高頻高效是開關電源及電力電子系統發展的趨勢，高頻工作導致功率元件開關損耗增加，因此要使用軟開關技術，保證在高頻工作狀態下，減小功率元件開關損耗，提高系統效率。功率MOSFET開關損耗有2個產生因素：1）開關過程中，穿越線性區（放大區）時，電流和電壓產生交疊，形成開關損耗。其中，米勒電容導致的米勒平臺時間，在開關損耗中占主導作用。圖1 功率MOSFET
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MOSFET ZVS
Diodes 公司?(Diodes)近日宣布推出首款碳化硅?(SiC) 蕭特基勢壘二極管?(SBD)。產品組合包含?DIODES DSCxxA065系列，共有十一項?650V 額定電壓?(4A、6A、8A 和?10A) 的產品，以及?DIODES DSCxx120系列，共有八款?1200V 額定電壓?(2A、5A 和?10A) 產品。這些寬帶隙?SBD 的優點包括可大幅提高效率和高溫可靠
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Diodes 碳化硅 肖特基勢壘二極管 SBD
碳化硅（SiC）金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）作為寬禁帶半導體單極型功率 器件，具有頻率高、耐壓高、效率高等優勢，在高壓應用領域需求廣泛，具有巨大的研究價值。回顧了高壓 SiC MOSFET 器件的發展歷程和前沿技術進展，總結了進一步提高器件品質因數的元胞優化結構，介紹了針對高壓器件的幾種終端結構及其發展現狀，對高壓 SiC MOSFET 器件存在的瓶頸和挑戰進行了討論。1 引言電力電子變換已經逐步進入高壓、特高壓領域，高壓功率器件是制約變換器體積、功耗和效率的決定性因素。特高壓交直流輸電、
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SiC MOSFET
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布推出采用新型L-TOGL?（大型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝的車載40V N溝道功率MOSFET---“XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB”。這兩款MOSFET具有高額定漏極電流和低導通電阻。產品于今日開始出貨。近年來，隨著社會對電動汽車需求的增長，產業對能滿足車載設備更大功耗的元器件的需求也在增加。這兩款新品采用了東芝的新型L-TOGL?封裝，支持大電流、低導通電阻和高散熱。上述產品未采用內部接線柱[1]結構，通過引入一個銅夾片將源極連接件和外
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東芝 MOSFET
●? ?Wolfspeed 將與采埃孚在德國建立聯合研發中心，旨在進一步提升在全球碳化硅系統和器件創新領域的領先地位。●? ?采埃孚將向 Wolfspeed 投資，以支持全球最先進、最大的碳化硅器件工廠的建設。全球碳化硅（SiC）技術引領者 Wolfspeed, Inc.和與致力于打造下一代出行的全球性技術公司采埃孚集團宣布建立戰略合作伙伴關系。這其中包括建立一座聯合創新實驗室，共同推動碳化硅系統和器件技術在出行、工業和能源應用領域的進步。此次合作還包括采埃孚將向
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Wolfspeed 采埃孚 碳化硅
功率半導體器件，也稱為電力電子器件，主要用于電力設備的電能變換和控制電路方面大功率的電子器件。逆變（直流轉換成交流）、整流（交流轉換成直流）、斬波（直流升降壓）、變頻（交流之間轉換）是基本的電能轉換方式。MOSFET 和 IGBT 是主流的功率分立器件。一 新能源汽車是功率器件增量需求主要來源01 下游應用領域廣泛，新能源汽車為主作為電能轉化和電路控制的核心器件，功率器件下游應用十分廣泛，包括新能源（風電、光伏、儲能和電動汽車）、消費電子、智能電網、軌道交通等，根據每個細分領域性能要求
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功率器件 IGBT MOSFET 國產替代
?·??????? 將成為全球最大的200mm 半導體工廠，采用創新性制造工藝來生產下一代碳化硅器件。·??????? 擴展至歐洲的碳化硅器件制造布局，將支持不斷加速中的客戶需求，同時也將支持公司在 2027 財年達成 40 億美元的長期營收展望。·??????? 將成為公司先前宣布的 6
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Wolfspeed 碳化硅 制造工廠
羅姆今年發布了他們的第4代（Gen4）金氧半場效晶體管（MOSFET）產品。新系列包括額定電壓為750 V（從650 V提升至750 V）和1200 V的金氧半場效晶體管，以及多個可用的TO247封裝元件，其汽車級合格認證達56A/24m?。這一陣容表明羅姆將繼續瞄準他們之前取得成功的車載充電器市場。在產品發布聲明中，羅姆聲稱其第4代產品“通過進一步改進原有的雙溝槽結構，在不影響短路耐受時間的情況下，使單位面積導通電阻比傳統產品降低40%。”他們還表示，“此外，顯著降低寄生電容使得開關損耗比我們的上一代碳
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羅姆 ROHM MOSFET
美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2023年1月30日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出兩款新型30 V對稱雙通道n溝道功率MOSFET---SiZF5300DT和SiZF5302DT，將高邊和低邊TrenchFET? Gen V MOSFET組合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR? 3x3FS單體封裝中。Vishay Siliconix SiZF5300DT和SiZF5302DT適用于計算和通信應
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Vishay 對稱雙通道 MOSFET
全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）近日宣布，推出一款全新柵極驅動IC——RAJ2930004AGM，用于驅動電動汽車（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高壓功率器件。柵極驅動IC作為電動汽車逆變器的重要組成部分，在逆變器控制MCU，及向逆變器供電的IGBT和SiC MOSFET間提供接口。它們在低壓域接收來自MCU的控制信號，并將這些信號傳遞至高壓域，快速開啟和關閉功率器件。為適應電動車輛電池的更高電壓，RAJ2930004AGM內置3.75kV
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瑞薩 柵極驅動IC EV逆變器 IGBT SiC MOSFET
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