- 香港科技園公司與微電子企業杰平方半導體簽署合作備忘錄，設立以第三代半導體為主的全球研發中心。大半導體產業網消息，10月13日，香港科技園公司（科技園公司）與微電子企業杰平方半導體（上海）有限公司（杰平方半導體）簽署合作備忘錄，在科學園設立以第三代半導體為主的全球研發中心，并投資開設香港首間碳化硅（SiC）8寸先進垂直整合晶圓廠，共同推進香港微電子生態圈及第三代半導體芯片產業的發展。據悉，該項目總投資額約69億港元，計劃到2028年年產24萬片碳化硅晶圓，帶動年產值超過110億港元，并創造超過700個本地和
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晶圓 碳化硅 第三代半導體
- 由創新科技及工業局和引進重點企業辦公室共同推動，香港科技園公司（科技園公司）與微電子企業杰平方半導體（上海）有限公司（杰平方半導體）簽署合作備忘錄，在科學園設立以第三代半導體為主的全球研發中心，并投資開設香港首間碳化硅（SiC）8寸先進垂直整合晶圓廠，共同推進香港微電子生態圈及第三代半導體芯片產業的發展。香港特區政府創新科技及工業局去年公布的《香港創科發展藍圖》中，明確指出應加強支持具策略性的先進制造產業發展，譬如半導體芯片，促進香港「新型工業化」的發展。作為全球最大的半導體進出口市場之一，香港更是位處大
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香港科技園公司 杰平方半導體 碳化硅 SiC 垂直整合晶圓廠
- Denso和三菱電機宣布將分別投資5億美元，入股Coherent的碳化硅（SiC）業務子公司。據外媒，日本電裝株式會社(Denso)和三菱電機宣布，將分別投資5億美元，入股美國半導體材料、網絡及激光供應商Coherent的碳化硅（SiC）業務子公司Silicon Carbide，并分別取得12.5%股權（兩家日企合計取得25%股權）。據悉，Silicon Carbide主要從事SiC晶圓等產品的制造，是于2023年4月從Coherent公司分拆出來設立的SiC業務子公司。Denso與三菱電機將向該公司采購
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三菱電機 Denso 碳化硅
- 隨著我們尋求更強大、更小型的電源解決方案，碳化硅 (SiC) 等寬禁帶 (WBG) 材料變得越來越流行，特別是在一些具有挑戰性的應用領域，如汽車驅動系統、直流快速充電、儲能電站、不間斷電源和太陽能發電。這些應用有一點非常相似，它們都需要逆變器（圖 1）。它們還需要緊湊且高能效的輕量級解決方案。就汽車而言，輕量化是為了增加續航里程，而在太陽能應用中，這是為了限制太陽能設備在屋頂上的重量。圖 1.典型的 EV 動力總成，其中顯示了逆變器半導體損耗決定逆變器效率的主要因素之一是所使用的半導體器件（IGBT /
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安森美 碳化硅
- Littelfuse擁有廣泛的產品系列、具有競爭力的產品性能和先進的技術，在高壓（HV）分立Si MOSFET市場具有領導地位，特別是在1700V以上產品，包括電壓阻斷能力高達4700V的器件，能夠支持客戶開發需求嚴苛的應用。Littelfuse擁有廣泛的產品系列、具有競爭力的產品性能和先進的技術，在高壓（HV）分立Si MOSFET市場具有領導地位，特別是在1700V以上產品，包括電壓阻斷能力高達4700V的器件，能夠支持客戶開發需求嚴苛的應用。Littelfuse提供廣泛的分立HV硅(Si) MOSF
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Littelfuse MOSFET
- 熱插拔是指將電子設備插入帶電電源；這可能會損壞相關電子設備。電容性負載可能會產生較大的負載電流，從而給電源、電纜組件和任何限流電路帶來壓力。此外，電纜寄生電感上的電壓變化會引起電壓尖峰，從而進一步損壞電子設備。熱插拔是指將電子設備插入帶電電源；這可能會損壞相關電子設備。電容性負載可能會產生較大的負載電流，從而給電源、電纜組件和任何限流電路帶來壓力。此外，電纜寄生電感上的電壓變化會引起電壓尖峰，從而進一步損壞電子設備。簡介熱插拔是指將電子設備插入帶電電源；這可能會損壞相關電子設備。電容性負載可能會產生較大的
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MOSFET 導通電阻
- 1.方案介紹:NCD57000 是一種具有內部電流隔離的高電流單通道驅動器，專為高功率應用的高系統效率和高可靠性而設計。其特性包括互補的輸入端（IN+ 和 IN-）、漏極開路或故障偵測功能、有源米勒箝位功能、也配備了精確的 UVLO和DESAT保護能力(Programmable Delay) ，其中DESAT 時的軟關斷以及獨立的高低驅動器輸出（OUTH 和 OUTL）皆可用以方便系統設計及開發。 NCD57000 可在輸入側提供 5
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NCD57000 驅動器 IGBT MOSFET onsemi 馬達控制
- 碳化硅（SiC MOSFET）和氮化鎵(GaN)因其高頻率、低損耗的特性得到廣泛的應用，但對驅動系統的性能提出了更高的要求。英飛凌最新一代增強型EiceDRIVER? 1ED34X1系列可提供高的輸出電流、米勒鉗位保護、精準的短路保護、可調的軟關斷等功能，為新一代的功率器件保駕護航。EiceDRIVER?增強型1ED34X1主要特色：●? 單通道隔離型柵極驅動芯片●? 輸出電流典型值+3/6/9A●? 功能絕緣電壓高達2300V●? 帶米勒鉗位、Desat短路保護、
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MOSFET EiceDRIVER MOSFET
- 在工業、汽車和可再生能源應用中，基于寬禁帶 (WBG) 技術的組件，比如 SiC，對提高能效至關重要。在本文中，安森美 (onsemi) 思考下一代 SiC 器件將如何發展，從而實現更高的能效和更小的尺寸，并討論對于轉用 SiC 技術的公司而言，建立穩健的供應鏈為何至關重要。在廣泛的工業系統（如電動汽車充電基礎設施）和可再生能源系統（如太陽能光伏 (PV)）應用中，MOSFET 技術、分立式封裝和功率模塊的進步有助于提高能效并降低成本。然而，平衡成本和性能對于設計人員來說是一項持續的挑戰，必須在不增加太陽
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碳化硅 SiC
- 近期，三安半導體發布消息稱，公司攜碳化硅全產業鏈產品亮相SEMICON Taiwan
2023。除了推出650V-1700V寬電壓范圍的SiC
MOSFET外，三安半導體還首發了8英寸碳化硅襯底。三安半導體表示，展會上有多家重要客戶在詳細詢問三安半導體產品參數后，表示已經確認采購意向。圖：三安半導體湖南三安半導體屬于三安光電下屬子公司，主要業務涵蓋碳化硅、氮化鎵化合物半導體功率芯片的研發、設計、制造及服務，目前建立具有自主知識產權的襯底（碳化硅）、外延、芯片及封裝產業生產基地。湖南三安半導體是三安
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8英寸 碳化硅
- 隨著新能源汽車和電動飛機概念的興起，在可預見的未來里，電能都將會是人類社會發展的主要能源。然而，隨著電氣化在各行各業的滲透率不斷提升，每年全社會對電能的消耗量都是一個天文數字。比如在中國，根據國家能源局發布的數據，2022年全社會用電量86,372億千瓦時，同比增長3.6%；其中，高速發展的新能源汽車在整車制造方面，用電量大幅增長71.1%。圖1：全社會用電量統計（圖源：貿澤電子）各行業電氣化進程逐漸深入后，我們也必須要考慮到一個嚴峻的問題，那就是節能。當前，任何一種用電設備在設計之初，都會將高能效和低能
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Mouser 碳化硅 功率器件
- 我們設計了一個使用 MOSFET 的功率放大電路，可產生 100W 的輸出功率，驅動約 8 歐姆的負載。 所設計的功率放大電路具有效率高、交叉失真和總諧波失真的優點。工作原理：該電路采用多級功率放大原理，包括前置放大器、驅動器和使用 MOSFET 的功率放大。 前置放大器采用差分放大器，驅動級是帶有電流鏡負載的差分放大器，功率放大采用 MOSFET AB 類工作方式。與 BJT 相比，MOSFET 具有驅動電路簡單、熱穩定性較低、輸入阻抗高等優點。前置放大器由兩級差分放大器電路組成，用于產生無噪聲放大信號
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功率放大器 MOSFET
- 隨著碳化硅（SiC）在電動汽車、新能源等領域的應用日益廣泛，市場需求不斷增長。近期，一批碳化硅項目集中開工，部分公司接到批量訂單，推動了碳化硅加速量產。傳播星球App聯合創始人由曦向《證券日報》記者介紹，碳化硅的應用場景主要包括電動汽車、光伏發電、充電樁、電力電子等領域。近年來，我國在碳化硅領域的研究和應用取得快速發展，一些項目已經落地實施。例如，在新能源汽車的高壓充電技術方面，碳化硅作為其中的關鍵材料，其需求正日益增長。“碳化硅作為一種優良的半導體材料，具有耐高壓、導熱好、耐高溫等優點，是實現高壓快充技
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碳化硅 新能源
- 在半導體行業的下行周期中，也并非一片低迷之聲，碳化硅就是萎靡之勢中的一個反例。隨著電動汽車功率半導體價值量的提升，以碳化硅為代表的第三代半導體正在逆勢而上。需求殷切令各路廠商競相投資擴大產能，并且在未來的五年里，它的熱度只會增不會減。這一趨勢在最近兩年碳化硅行業的投資并購動作中也可窺見一二。國內上半年融資創三年之最2021 年有多家碳化硅企業獲得了投資機構的青睞，相繼宣布完成融資，行業內也隨之激起一番融資浪潮。2021 年全年投融資及并購金額達到 21.32 億元，數量達到 15 起。2022 年也是碳化
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碳化硅
- 合適的設備概念應允許一定的設計自由度，以便適應各種任務概況的需求，而無需對處理和布局進行重大改變。然而，關鍵性能指標仍然是所選器件概念的低面積比電阻，與其他列出的參數相結合。圖 1 列出了一些被認為必不可少的參數，還可以添加更多參數。合適的設備概念應允許一定的設計自由度，以便適應各種任務概況的需求，而無需對處理和布局進行重大改變。然而，關鍵性能指標仍然是所選器件概念的低面積比電阻，與其他列出的參數相結合。圖 1 列出了一些被認為必不可少的參數，還可以添加更多參數。圖 1：必須與 SiC MOSF
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MOSFET
碳化硅 mosfet介紹
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