服務器電源主要用在數據中心場景中，主要應用于服務器、存儲器等設備。它和PC電源一樣，都是一種開關電源。服務器電源按照標準可以分為ATX電源和SSI電源兩種。ATX標準是Intel在1997年推出的一個規范，使用較為普遍，輸出功率一般在125瓦～350瓦之間主要用于臺式機、工作站和低端服務器。SSI（Server System Infrastructure）規范是Intel聯合一些主要的IA架構服務器生產商推出的新型服務器電源規范，SSI規范的推出是為了規范服務器電源技術，降低開發成本，延長服務器的使用壽命
關鍵字：
MOSFET 服務器電源
●? ?ST將在意大利卡塔尼亞新建8英寸碳化硅功率器件和模塊大規模制造及封測綜合基地●? ?這項多年長期投資計劃預計投資總額達50億歐元，包括意大利政府按照《歐盟芯片法案》框架提供的20億歐元資金●? ?卡塔尼亞碳化硅產業園將實現ST的碳化硅制造全面垂直整合計劃，在一個園區內完成從芯片研發到制造、從晶圓襯底到模塊的碳化硅功率器件全部生產，賦能汽車和工業客戶的電氣化進程和高能效轉型服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體?
關鍵字：
意法半導體 碳化硅
PANJIT?推出最新的60V、100V?和?150V?車規級?MOSFET，此系列通過先進的溝槽技術設計達到優異性能和效率。此系列?MOSFET?專為汽車和工業電力系統設計，提供優異的品質因數（FOM），顯著降低?RDS(ON)?和電容。這確保了最低的導通和開關損耗，從而提升了整體性能。新系列?MOSFET?提供多種封裝，包括DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L、T
關鍵字：
PANJIT MOSFET
自意法半導體（STMicroelectronics）官方獲悉，當地時間5月31日，意法半導體宣布，將在意大利卡塔尼亞新建一座大批量200mm碳化硅（SiC）工廠，用于功率器件和模塊以及測試和封裝。新碳化硅工廠的建設是支持汽車、工業和云基礎設施應用中碳化硅器件客戶向電氣化過渡并尋求更高效率的關鍵里程碑。據悉，該項目預計總投資約為50億歐元（約合人民幣392.61億元），意大利政府將提供約20億歐元的補助支持。新工廠的目標是在2026年投入生產，到2033年達到滿負荷生產，滿產狀態下每周可生產多達15,000
關鍵字：
ST 意大利 碳化硅
1MOSFET基本工作原理1.1小功率MOSFET場效應管（FET）是利用輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種半導體器件，由于緊靠半導體中的多數載流子導電，又稱單極型晶體管。場效應管分為結型和絕緣柵兩種，因為絕緣柵型晶體管（MOSFET，下面簡稱MOS管）的柵源間電阻比結型大得多且比結型場效應管溫度穩定性好、集成化時工藝簡單，因而目前普遍采用絕緣柵型晶體管。MOS管分為N溝道和P溝道兩類，每一類又分為增強型和耗盡型兩種，只要柵極-源極電壓uGS為零時漏極電流也為零的管子均屬于增強型管，只要柵極-源極
關鍵字：
MOSFET 參數 米勒效應
功率MOSFET的開通和關斷過程原理(1)開通和關斷過程實驗電路(2)MOSFET 的電壓和電流波形：(3)開關過程原理：開通過程[ t0 ~ t4 ]：-- 在 t0 前，MOSFET 工作于截止狀態，t0 時，MOSFET 被驅動開通;-- [t0-t1]區間，MOSFET 的GS 電壓經Vgg 對Cgs充電而上升，在t1時刻，到達維持電壓Vth，MOSFET 開始導電;-- [t1-t2]區間，MOSFET 的DS 電流增加，Millier 電容在該區間內因DS 電容的放電而放電，對GS 電容的充電
關鍵字：
功率 MOSFET 工作原理
第三代電力電子半導體SiC MOSFET：聚焦高效驅動方案相比傳統的硅MOSFET，SiC
MOSFET可實現在高壓下的高頻開關。新能源、電動汽車、工業自動化等領域，SiC
MOSFET（碳化硅-金屬氧化物半導體場效應晶體管）憑借高頻、高功率、低損耗等卓越性能，SiC MOSFET驅動方案備受關注。然而，SiC
MOSFET的獨特器件特性，也意味著它們對柵極驅動電路有特殊的要求。本文將圍繞SiC MOSFET的驅動方案展開了解，其中包括驅動過電流、過電壓保護以及如何為SiC MOSFET選擇合
關鍵字：
第三代半導體 SiC MOSFET 高效驅動 電力電子
Nexperia近日宣布，公司現推出業界領先的1200 V碳化硅(SiC) MOSFET，采用D2PAK-7表面貼裝器件(SMD)封裝，有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供選擇。這是繼Nexperia于2023年底發布兩款采用3引腳和4引腳TO-247封裝的SiC MOSFET分立器件之后的又一新產品，它將使其SiC MOSFET產品組合迅速擴展到包括RDSon值為17、30、40、60和80 mΩ 且封裝靈活的器件。隨著NSF0xx120D7A0的發布，Nexperia正在滿足市場對采用D2
關鍵字：
Nexperia SiC MOSFET D2PAK-7
Littelfuse公司是一家工業技術制造公司，致力于為可持續發展、互聯互通和更安全的世界提供動力。公司隆重宣布推出IX4352NE低側SiC MOSFET和IGBT柵極驅動器。 這款創新的驅動器專門設計用于驅動工業應用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。IX4352NE的主要優勢在于其獨立的9A拉/灌電流輸出，支持量身定制的導通和關斷時序，同時將開關損耗降至最低。 內部負電荷調節器還能提供用戶可選的負柵極驅動偏置，以實現更高的dV/dt抗擾度和更快的關斷速度。 該驅動器
關鍵字：
SiC MOSFET IGBT 低側柵極驅動器
根據合肥安賽思半導體有限公司（以下簡稱：安賽思）官方消息，5月18日，安賽思與新加坡三福半導體科技有限公司（以下簡稱：三福半導體）簽署戰略合作備忘錄儀式暨安徽大學與三福半導體聯合實驗室揭牌儀式正式舉行。據介紹，安賽思是一家致力于研發新一代半導體功率器件智能驅動技術及衍生產品的高新技術企業，目前已成功開發了IGBT和SiC智能驅動模塊以及工業電力電子變換器、電力電子繼電器等產品，應用領域涵蓋電動汽車、智能制造、機電設備和航空航天等。三福半導體聚焦集成電路設計、制造和封裝測試，致力于先進技術研發、成果轉移轉化
關鍵字：
碳化硅 化合物半導體
作為第三代半導體兩大代表材料，SiC產業正在火熱發展，頻頻傳出各類利好消息；GaN產業熱度也正在持續上漲中，圍繞新品新技術、融資并購合作、項目建設等動作，不時有新動態披露。在關注度較高的擴產項目方面，上個月，能華半導體張家港制造中心（二期）項目在張家港經開區再制造基地正式開工建設。據悉，能華半導體張家港制造中心（二期）項目總投資6000萬元，總建筑面積約10000平方米，將新建GaN外延片產線。項目投產后，將形成月產15000片6英寸GaN外延片的生產能力。而在近日，又有一個GaN外延片項目取得新進展。5
關鍵字：
碳化硅 氮化鎵 化合物半導體
了解欠壓鎖定（UVLO）如何保護半導體器件和電子系統免受潛在危險操作的影響。當提到電源或電壓驅動要求時，我們經常使用簡化，如“這是一個3.3 V的微控制器”或“這個FET的閾值電壓為4 V”。這些描述沒有考慮到電子設備在一定電壓范圍內工作——3.3 V的微型控制器可以在3.0 V至3.6 V之間的任何電源電壓下正常工作，而具有4 V閾值電壓的MOSFET可能在3.5 V至5 V之間獲得足夠的導電性。但即使是這些基于范圍的規范也可能具有誤導性。當VDD軌降至2.95V時，接受3.0至3.6 V電源電壓的數字
關鍵字：
欠電壓閉鎖，UVLO MOSFET，IC
智能電源和智能感知技術的領先企業安森美(onsemi)，將于5月至6月舉辦面向新能源和電動汽車應用領域的技術經理、工程師和渠道合作伙伴的2024“碳”路先鋒技術日暨碳化硅(SiC) 和功率解決方案5城巡回研討會。該系列研討會將針對汽車電氣化和智能化以及工業市場可持續性能源發展的廣泛應用場景，共同探討最新的能效設計挑戰，展示針對更多縱深應用的SiC解決方案。安森美希望借此攜手中國的“碳”路先鋒們，加速先進功率半導體技術的落地，實現應用系統的最佳能效。在中國，市場對SiC的需求強勁，應用場景日益多樣化。新能源
關鍵字：
安森美 碳化硅 功率解決方案
隨著人工智能技術的飛速發展，越來越多的企業開始探索如何將人工智能技術融入業務流程中，以提升質量、降本增效。在高精尖制造業領域，人工智能、自動駕駛等新興產業對碳化硅材料的需求日益增多，大力發展碳化硅產業，可帶動原材料與設備2000億級產業，加快我國向高端材料、高端設備制造業轉型發展的步伐。廣東天域聯手浪潮信息，為MES關鍵業務打造穩定、高效、智能的數據存儲底座，讓數字機臺、智能制造"有底有數"。廣東天域半導體股份有限公司成立于2009年，是我國最早實現第三代半導體碳化硅外延片產業化的企業
關鍵字：
碳化硅 浪潮信息 MES 核心數據底座
本文將通過解釋MOSFET功耗的重要來源來幫助您優化開關模式調節器和驅動器電路。MOSFET的工作可以分為兩種基本模式：線性和開關。在線性模式中，晶體管的柵極到源極電壓足以使電流流過溝道，但溝道電阻相對較高?？鐪系赖碾妷汉土鬟^溝道的電流都是顯著的，導致晶體管中的高功耗。在開關模式中，柵極到源極電壓足夠低以防止電流流動，或者足夠高以使FET處于“完全增強”狀態，在該狀態下溝道電阻大大降低。在這種狀態下，晶體管就像一個閉合的開關：即使大電流流過通道，功耗也會很低或中等。隨著開關模式操作接近理想情況，功耗變得可
關鍵字：
MOSFET 開關損耗
碳化硅 mosfet介紹
您好，目前還沒有人創建詞條碳化硅 mosfet!
歡迎您創建該詞條，闡述對碳化硅 mosfet的理解，并與今后在此搜索碳化硅 mosfet的朋友們分享。
創建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473