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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅 mosfet

碳化硅 mosfet 文章 最新資訊

實現汽車器件0ppm目標的舉措

  • 汽車可靠性和AEC資格認證汽車可能是我們每個人擁有的最可靠的設備之一。這可能聽起來有失偏頗,并且如果您的...
  • 關鍵字: 汽車電子  IR  MOSFET  

雙柵極SET與MOSFET的混合特性

  • 雙柵極SET 與MOSFET 的混合特性  由SET 的周期振蕩特性和MOSFET 的閾值電壓特性可構成雙柵極SET/MOSFET ...
  • 關鍵字: 雙柵極  SET  MOSFET  

MOSFET柵漏電流噪聲分析

  • CMOS器件的等比例縮小發展趨勢,導致了柵等效氧化層厚度、柵長度和柵面積都急劇減小。柵氧化層越薄,柵漏電流越 ...
  • 關鍵字: MOSFET  柵漏電流  噪聲分析  

瑞薩電子推出工業用首個微控制器

  • 高級半導體解決方案的領軍廠商瑞薩電子株式會社(TSE:6723,以下簡稱“瑞薩”),于日前發布了最新的用于個人計算機CPU、服務器和儲存系統的供電穩壓器 (VR) 芯片集誕生。它包括行業首個集成微控制器(MCU)數字接口的VR控制器R2A30521NP和帶集成電流檢測電路的智能脈寬調制(PWM)- Driver - MOSFET功率器件DrMOS)R2J20759NP。
  • 關鍵字: 瑞薩  MCU  MOSFET  

安森美推出采用極緊湊、低厚度封裝的最小MOSFET

  • 應用于高能效電子產品的首要高性能硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ONNN)擴充公司寬廣的接口及電源管理產品陣容,推出一對優化的超小超薄小信號MOSFET,用于空間受限的便攜消費電子產品,如平板電腦、智能手機、GPS系統、數字媒體播放器及便攜式游戲機。
  • 關鍵字: 安森美  MOSFET  

Vishay的17款新器件擴充600V N溝道功率MOSFET系列

  • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,其E系列600V功率MOSFET新增采用8種封裝的17款新器件,將該系列MOSFET在10V下的導通電阻擴展到39m?~600m?,將最高電流等級擴展至7A~73A。
  • 關鍵字: Vishay  MOSFET  

Intersil擴展業內領先的“HIP”橋式驅動器產品系列

  • 全球高性能模擬混合信號半導體設計和制造領導廠商Intersil公司(納斯達克全球交易代碼:ISIL)日前宣布,推出面向電源和電機驅動應用的業內領先“HIP”系列MOSFET橋式驅動器新品---HIP212x系列。該100V、2A高頻半橋驅動器產品家族提供最短的上升/下降時間,可調節死區時間控制和靈活的控制輸出。
  • 關鍵字: Intersil  MOSFET  驅動器  

功率MOSFET管驅動變壓器設計

  • 摘要: 對具有驅動變壓器的功率MOSFET管驅動電路的動態過程進行了分析,推導了驅動變壓器設計參數(繞組電流有效值,變壓器功率)的計算方法,定量分析了變壓器漏感和電路雜散電感對開通過程的影響,并通過仿真和試
  • 關鍵字: MOSFET  驅動  變壓器設計    

Vishay推出新款單路12V器件--SiA447DJ

  • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新款采用熱增強型2mm x 2mm PowerPAK? SC-70封裝的單路12V器件--- SiA447DJ,以及采用3mm x 1.8mm PowerPAK ChipFET封裝、高度0.8mm的單片30V器件---Si5429DU,擴充其TrenchFET? Gen III系列P溝道功率MOSFET。
  • 關鍵字: Vishay  MOSFET  

Intersil推出業內最堅固ORing控制器

  • 全球高性能模擬混合信號半導體設計和制造領導廠商Intersil公司(納斯達克全球交易代碼:ISIL)日前宣布,<0}推出以最小功率耗散提供電源冗余和保護的堅固、緊湊型ORing FET控制器。
  • 關鍵字: Intersil  MOSFET  ISL6146  

同步降壓MOSFET電阻比的選擇

  • 在這篇《電源設計小貼士》中,我們將研究在同步降壓功率級中如何對傳導功耗進行折中處理,而其與占空比和 FET 電阻比有關。進行這種折中處理可得到一個用于 FET 選擇的非常有用的起始點。通常,作為設計過程的一個組
  • 關鍵字: MOSFET  同步降壓  電阻比    

恩智浦提供汽車認證雙通道Power-SO8 MOSFET

  • 恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.)(納斯達克代碼:NXPI)近日發布了LFPAK56D產品組合——多款雙通道Power-SO8 MOSFET,專為燃油噴射、ABS和穩定性控制等汽車應用而設計。恩智浦LFPAK56D系列產品完全符合AEC-Q101標準,具有一流的性能和可靠性;同時,與通常需要使用兩個器件的DPAK解決方案相比,節省了77%的占位面積。
  • 關鍵字: 恩智浦  LFPAK56D  MOSFET  

科銳推出低基面位錯4H碳化硅外延片

  • LED 領域的市場領先者科銳公司(Nasdaq: CREE)日前宣布推出其最新低基面位錯(LBPD)100毫米4H碳化硅外延片。該款低基面位錯材料的外延漂移層的總基面位錯密度小于1 cm-2,引起Vf偏移的基面位錯容量小于0.1 cm-2。
  • 關鍵字: 科銳  LED  碳化硅  

意法半導體發布先進功率MOSFET系列產品

  • 橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)推出最新系列高可靠性、高能效的功率晶體管,助力技術型企業滿足日益嚴格的生態設計標準對功率和能效的要求,瞄準太陽能微逆變器、光伏模塊串逆變器和電動汽車等綠色能源應用。
  • 關鍵字: 意法  晶體管  MOSFET  LED  

科銳推出150毫米4H N型碳化硅外延片

  •  科銳材料產品經理 Vijay Balakrishna博士表示:“科銳擁有在碳化硅領域100毫米外延片的強大量產能力。最新的150毫米技術將進一步提升碳化硅晶圓片的標準。科銳的垂直整合能力確保能夠為客戶提供針對高品質150毫米碳化硅外延片的完整解決方案,并為電力電子市場的領先企業提供穩定的供貨保障。
  • 關鍵字: 科銳  碳化硅  LED  
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碳化硅 mosfet介紹

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