近日消息，全球最大8英寸碳化硅晶圓廠啟動。功率半導體大廠英飛凌于8月8日宣布，已正式啟動位于馬來西亞新晶圓廠的第一階段，該晶圓廠將成為全球最大、最具競爭力的200毫米（8英寸）碳化硅(SiC)功率半導體晶圓廠，預計2025年開始量產。碳化硅尺寸越大，單位芯片成本越低，故6英寸向8英寸轉型升級是技術發展的必然趨勢。業界人士稱，預計從2026年至2027年開始，現在的6英寸碳化硅產品都將被8英寸產品替代。當前來看，第三代半導體碳化硅加速邁進8英寸時代，并引得“天下群雄”踴躍進軍。據全球半導體觀察不完全統計，英
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碳化硅
據外媒報道，8月5日，印度首家半導體芯片制造商Polymatech Electronics宣布已正式收購美國公司Nisene
Technology Group Inc。此次收購由Polymatech位于新加坡的全資子公司Artificial Electronics
Intelligent Materials Pte Ltd.執行。Nisene即將上任的首席執行官Ryan
Young表示，此次收購補充了Polymatech的尖端產品組合，并推動了新產品的開發。資料顯示，Nisene自20世紀70
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印度 碳化硅
●? ?馬來西亞總理、吉打州州務大臣與英飛凌管理層共同出席了新晶圓廠一期項目的生產運營啟動儀式。●? ?新晶圓廠將進一步鞏固和增強英飛凌在全球功率半導體市場的領導地位。●? ?強有力的客戶支持與承諾以及重要的設計訂單為持續擴建提供了支撐。●? ?居林晶圓廠100%使用綠電并在運營實踐中采取先進的節能和可持續舉措。馬來西亞總理拿督斯里安瓦爾·易卜拉欣、吉打州州務大臣拿督斯里莫哈末·沙努西與英飛凌科技首席執行官Jochen Han
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英飛凌 碳化硅 晶圓廠
IT之家 8 月 8 日消息，英飛凌今日宣布，其位于馬來西亞的居林第三廠區（Kulim 3）一期正式啟用。該階段聚焦碳化硅（SiC）功率半導體的生產，也將關注氮化鎵（GaN）外圍晶圓。▲ 英飛凌居林第三廠區英飛凌在 2022 年宣布了 Kulim 3 的一期建設計劃，投資額達 20 億美元（IT之家備注：當前約 143.43 億元人民幣），可創造 900 個高價值工作崗位。英飛凌此后又在 2023 年 8 月宣布了價值 50 億美元（當前約 358.57 億元人民幣）的 Kulim 3 二期計劃
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英飛凌 碳化硅 功率器件
Nexperia近日宣布，公司正在持續擴充其NextPower 80 V和100 V MOSFET產品組合，并推出了幾款采用行業標準5x6 mm和8x8 mm尺寸的新型LFPAK器件。這些新型NextPower 80/100 V MOSFET針對低RDS(on)和低Qrr進行了優化，可在服務器、電源、快速充電器和USB-PD等各種應用以及各種電信、電機控制和其他工業設備中提供高效率和低尖峰。設計人員可以從80 V和100 V器件中進行選擇，RDS(on)選型從1.8 mΩ到15 mΩ不等。許多MOSFET
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Nexperia NextPower MOSFET
~符合汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101，有助于車載應用的高效運行和小型化~全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發出具有低導通電阻*1優勢的車載Nch MOSFET*2“RF9x120BKFRA”、“RQ3xxx0BxFRA”和“RD3x0xxBKHRB”。新產品非常適用于汽車門鎖和座椅調節裝置等所用的各種電機以及LED前照燈等應用。目前，3種封裝10種型號的新產品已經開始銷售，未來會繼續擴大產品陣容。在汽車領域，隨著安全性和便捷性的提高，電子產品逐漸增加，使得所安裝的電子元器件數量也
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ROHM Nch MOSFET 汽車車門 座椅 電機 LED前照燈
半導體三極管中參與導電的有兩種極性的載流子，所以也稱為雙極型三極管。本文將介紹另一種三極管，這種三極管只有一種載流子參與導電，所以也稱為單極型三極管，因為這種管子是利用電場效應控制電流的，所以也叫場效應三極管（FET），簡稱場效應管。場效應管可以分成兩大類，一類是結型場效應管（JFET），另一類是絕緣柵場效應管（MOSFET）。在如果你在某寶里搜索“場效應管”你會發現，搜索出來的基本上是絕緣柵場效應管。即使搜索“結型場效應管”，出來的也只有幾種，你是不是懷疑結型場效應管已經被人類拋棄了的感覺，沒錯，JFE
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三極管 MOSFET JFET
隨著社會經濟發展、能源結構變革，近幾年全球對家用儲能系統的需求量一直保持相當程度的增長。2023年，全球家用儲能系統市場銷售額達到了87.4億美元，預計2029年將達到498.6億美元，年復合增長率（CAGR）為33.68%（2023-2029）；便攜儲能市場經過了一輪爆發式增長的狂歡后，現在也迎來了穩定增長期，從未來看，預計在2027年便攜儲能市場將達到900億元；AI
Server市場規模持續增長，帶來了數字化、智能化服務器所需的高功率服務器電源的需求，現在單機3KW的Power也成為了標配。對于
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Infineon XMC1400 CoolSiC Mosfet 高功率密度 雙向圖騰柱 PFC 數字電源
毋庸置疑，從社會發展的角度，我們必須轉向采用可持續的替代方案。日益加劇的氣候異常和極地冰蓋的不斷縮小，清楚地證明了氣候變化影響的日益加劇。但有一個不幸的事實是，擺脫化石燃料正被證明極其困難，向綠色技術的轉變也帶來了一系列技術挑戰。無論是生產要跟上快速擴張的市場步伐，還是新解決方案努力達到現有系統產出水平，如果我們要讓化石燃料成為過去，這些難題都必須被克服。對于電動汽車（EV）和太陽能電池板等應用，工程師面臨著更多的挑戰，因為敏感的電子元件必須在惡劣的環境中持續可靠地運行。為了進一步推動這些可持續解決方案，
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安森美 碳化硅
全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）將于8月28日～30日參加在深圳國際會展中心（寶安新館）舉辦的2024深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會（以下簡稱PCIM Asia）（展位號：11號館D14）。屆時，將聚焦碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導體，展示其面向工業設備和汽車領域的豐富產品陣容及解決方案。同時，羅姆工程師還將在現場舉辦的“寬禁帶半導體器件— 氮化鎵及碳化硅論壇”以及“電動汽車論壇”等同期論壇上發表演講，分享羅姆最新的功率電子技術成果。展位效果圖羅姆擁有世界先進的碳化硅
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羅姆 SiC 氮化鎵 GaN
JFET 與 MOSFET的區別JFET 和 MOSTFET 之間的主要區別在于，通過 JFET 的電流通過反向偏置 PN 結上的電場引導，而在 MOSFET 中，導電性是由于嵌入在半導體上的金屬氧化物絕緣體中的橫向電場。JFET 與 MOSFET的區別兩者之間的下一個關鍵區別是，JFET 允許的輸入阻抗比 MOSFET 小，因為后者嵌入了絕緣體，因此漏電流更少。JFET?通常被稱為“ON 器件”是一種耗盡型工具，具有低漏極電阻，而?MOSFET?通常被稱為“OFF 器件”，
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結型場效應管 jfet MOSFET 電路設計
潮流就是即便你放棄了我，也不妨礙我越來越火。距離特斯拉宣布放棄碳化硅已經過去了一年，這個市場非但沒有被拋棄，反而以 GaN、SiC 為代表的第三代半導體發展備受關注：Yole 數據顯示，2026 年 GaN 市場規模預計可達 6.72 億美元。SiC 碳化硅 2027 年全球 SiC 功率半導體市場規模有望突破 60 億美元。預測是人算不如天算，第三代半導體優勢已經被講的翻來覆去了，市場的反饋是最真實和殘酷的—很火但不是主流。碳化硅與新能源車能不能齊飛？新能源是第三代半導體應用的重要驅動力。新能源車的最大
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GaN SiC
7月22日，蘇州悉智科技有限公司（以下簡稱“悉智科技”）宣布，其首批車規級功率模塊量產產品正式下線投產。悉智科技表示，此次下線的首批量產模塊，是悉智科技自研的高端電驅SiC塑封功率模塊產品。在SiC DCM塑封功率模塊的定制化開發上，悉智科技取得了顯著進展，目前該產品已獲取到客戶的量產訂單，并會在今年四季度實現大規模量產。資料顯示，悉智科技自2022年1月1日正式運營以來，始終專注于車規級功率與電源模塊的研發與生產，致力于為智能電動汽車、光儲新能源等客戶提供深度定制化的解決方案。目前，該公司已在蘇州建成具
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悉智科技 DCM封裝 8并 SiC
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碳化硅
專注于引入新品的全球電子元器件和工業自動化產品授權代理商貿澤電子?(Mouser Electronics)?即日起開售英飛凌公司的CoolSiC? G2 MOSFET。CoolSiC? G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅?(SiC) MOSFET溝槽技術，開啟了電力系統和能量轉換的新篇章，適用于光伏逆變器、能量儲存系統、電動汽車充電、電源和電機驅動應用。貿澤供貨的英飛凌CoolSiC? G2?MOSFET可在所有常見電源方案組合（AC-DC、DC-DC和DC-A
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貿澤 英飛凌 CoolSiC G2 MOSFET
碳化硅(sic)mosfet介紹
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