碳化硅(SiC)是比較新的半導體材料。本文來了解一下它的物理特性和特征。
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SiC 碳化硅
意法半導體(ST)作為全球領先的汽車半導體供應商之一,多年前就開始布局新能源汽車領域,在2019年正式成立新能源車技術創新中心,推出了SiC牽引電機逆變器的整體解決方案。該方案按照功能安全IS026262標準流程開發,滿足ASIL D等級。基于AutoSAR的軟件架構和模型化的軟件算法,為客戶前期方案評估和后續開發提供了便利,大大縮短了整個研發周期。
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SiC 碳化硅 牽引逆變器
電源與能源管理對人類社會未來的永續發展至關重要。意法半導體汽車和離散組件產品部(ADG)執行副總裁暨功率晶體管事業部總經理Edoardo MERLI說明,從圖二可以看到由于全球能源需求正在不斷成長,我們必須控制碳排放,并將氣溫上升控制在1.5度以下,減排對此非常重要,但要實現這些要有科技的支持,包括可再生能源的利用,ST對此也有制定一些具體的目標。?圖二圖三顯示的是一些關于如何利用電力科技實現各種節能目標的具體數據,圖中是對全球電力消耗狀況的統計。僅就工業領域來說,如果能將電力利用效率提升1%,
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ST 碳化硅 汽車 工業 SiC
電源與能源管理對人類社會未來的永續發展至關重要。意法半導體汽車和離散組件產品部(ADG)執行副總裁暨功率晶體管事業部總經理Edoardo MERLI指出,由于全球能源需求正在不斷成長,我們必須控制碳排放,并將氣溫上升控制在1.5度以下,減排對此非常重要,但要實現這些要有科技的支持,包括可再生能源的利用,ST對此也有制定一些具體的目標。 意法半導體汽車和離散組件產品部(ADG)執行副總裁暨功率晶體管事業部總經理Edoardo MERLI僅就工業領域來說,如果能將電力利用效率提升1%,就能節省95.
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ST GaN SiC
隨著第三代半導體的工藝越來越成熟和穩定,應用在工業和電動汽車上的產品也變得多樣化。作為半導體行業中的佼佼者,意法半導體同樣重視第三代半導體帶來的優勢作用,推出了有關氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)的一系列產品,有力地推動了第三代半導體在電動汽車和工業領域上的應用發展。2022年2月意法半導體召開媒體交流會,介紹了意法半導體在全球碳中和理念的背景下,如何通過創新技術和推出新的產品系列,為世界控制碳排放做出貢獻。 據調查,工業領域中將電力利用效率提升1%,就能節約95.6億千瓦時的能源。這意味著節約了
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意法半導體 ST 碳化硅 氮化鎵 202203
離線反激式電源在變壓器初級側需要有鉗位電路(有時稱為緩沖器),以在正常工作期間功率MOSFET開關關斷時限制其兩端的漏源極電壓應力。設計鉗位電路時可以采用不同的方法。低成本的無源網絡可以有效地實現電壓鉗位,但在每個開關周期必須耗散鉗位能量,這會降低效率。一種改進的方法就是對鉗位和功率開關采用互補驅動的有源鉗位技術,使得能效得以提高,但它們會對電源的工作模式帶來限制(例如,無法工作于CCM工作模式)。為了克服互補有源鉗位電路所帶來的設計限制,可以采用另外一種更先進的控制技術,即非互補有源鉗位。該技術可確保以
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MOSFET
2022年2月15日,Power Integrations召開新品發布會,推出業界首款內部集成1700V SiC MOSFET的汽車級高壓開關IC——InnoSwitch3-AQ 1700V。新產品是業界首款采用碳化硅(SiC)初級開關MOSFET的汽車級開關電源IC,可提供高達70W的輸出功率,主要用于600V和800V純電池和燃料電池乘用車,以及電動巴士、卡車和各種工業電源應用。在ACDC消費類應用中積累了深厚經驗的Power Integrations,此次將目光聚焦到電動汽車領域的ACDC應用上
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PI MOSFET 電動汽車 ACDC 開關電源
高功率密度、出色的性能和易用性是當前電源系統設計的關鍵要求。為此,英飛凌科技股份公司近日推出了新一代OptiMOS? 源極底置(Source-Down,簡稱SD)功率MOSFET,為解決終端應用中的設計挑戰提供切實可行的解決方案。該功率MOSFET采用PQFN 封裝,尺寸為3.3 x 3.3 mm2,支持從25 V到100 V的寬電壓范圍。此種封裝可實現更高的效率、更高的功率密度以及業內領先的熱性能指標,并降低BOM成本,在功率MOSFET的性能方面樹立了新的行業標桿。該器件的應用領域十分廣泛,涵蓋電機驅
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MOSFET
新年第一個月,中國首條碳化硅全產業鏈垂直整合制造平臺 -- 湖南三安“喜提”多個好消息。長沙制造碳化硅二極管量產出貨并順利通過客戶驗證,車規級二極管接連獲得汽車行業客戶訂單。新能源汽車迎來“碳化硅元年”,湖南三安駛入發展快車道在化石燃料資源和環境問題面前,各國都發布了“雙碳”計劃。歐盟各國決定在2040-2060年間徹底禁止燃油車,拜登政府也計劃拿出超過600億美元用于推動家用車和公交車的電動化,日本則是通過提高行業燃油經濟性標準以促進新能源車普及。碳化硅功率器件以其出色的能源轉換效率,在充電樁、車載充電
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三安集成 碳化硅 車規產品
搭配電動車市場的快速成長,近年環旭電子(上海證券交易所股票代碼: 601231)開始布局切入功率半導體國際大廠的電源模塊的組裝生產與測試,近期獲得相當多歐美與日系客戶青睞,預計在2022正式量產電動車用逆變器(Inverter)使用的IGBT與SiC電源模塊。根據調研機構Canalys的報告指出,2021年上半年全球電動車銷量為260萬輛,與去年同期相比大幅成長160%,成長率遠高于全球整體汽車市場的26%。電動汽車市場成長帶動關鍵功率半導體組件和模塊需求,其中第三代半導體擁有高效低耗能、高頻、高功率、高
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環旭電子 電動車用逆變器 IGBT SiC 電源模塊
搭配電動車市場的快速成長,近年環旭電子(上海證券交易所股票代碼: 601231)開始布局切入功率半導體國際大廠的電源模塊的組裝生產與測試,近期獲得相當多歐美與日系客戶青睞,預計在2022正式量產電動車用逆變器(Inverter)使用的IGBT與SiC電源模塊。根據調研機構Canalys的報告指出,2021年上半年全球電動車銷量為260萬輛,與去年同期相比大幅成長160%,成長率遠高于全球整體汽車市場的26%。電動汽車市場成長帶動關鍵功率半導體組件和模塊需求,其中第三代半導體擁有高效低耗能、高頻、高功率、高
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環旭電子 電動車用逆變器 IGBT SiC 電源模塊
系統級封裝(System in Package,SiP)設計理念是實現電源小型化的有效方法之一。然而,SiP空間有限,功率開關MOSFET的集成封裝方案對電源性能影響大。本文討論同步開關電源拓撲中的半橋MOSFET的不同布局方法,包括基板表面平鋪、腔體設計、3D堆疊等;以及不同的電源互連方式,包括鍵合、銅片夾扣等。從封裝尺寸、載流能力、熱阻、工藝復雜度、組裝維修等方面,對比了不同方案的優缺點,為電源SiP的設計提供參考。
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系統級封裝 腔體 3D堆疊 鍵合 銅片夾扣 202112 MOSFET
本文闡述了大容量鋰離子電池包內部功率MOSFET的配置以及實現二級保護的方案;論述了其實現高功率密度使用的功率MOSFET所采用的晶圓技術和CSP封裝技術的特點;提出了保證電池包安全可靠工作,功率MOSFET必須具有的技術參數,以及如何正確測量MOSFET的工作溫度;最后,給出了輸出端并聯電阻以及提高控制芯片的輸出檢測電壓2種方案,避免漏電流導致電池包不正常工作的問題。
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電池充放電管理 雪崩 短路 漏電流 MOSFET 202112
電池供電電機控制方案為設計人員帶來多項挑戰,例如,優化印刷電路板熱性能目前仍是一項棘手且耗時的工作;現在,應用設計人員可以用現代電熱模擬器輕松縮短上市時間。
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MOSFET
碳化硅(sic)mosfet介紹
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