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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)mosfet

碳化硅(sic)mosfet 文章 最新資訊

Maxim Integrated發布來自Trinamic子品牌的3相MOSFET柵極驅動器，可最大程度地延長電池壽命并將元件數量減半

  • TRINAMIC Motion Control GmbH & Co. KG (Maxim Integrated Products, Inc子公司)近日宣布推出完全集成的TMC6140-LA ?3相MOSFET柵極驅動器，有效簡化無刷直流(DC)電機驅動設計，并最大程度地延長電池壽命。TMC6140-LA 3相MOSFET柵極驅動器為每相集成了低邊檢流放大器，構成完備的電機驅動方案；與同類產品相比元件數量減半，且電源效率提高30%，大幅簡化設計。TMC6140-LA針對較寬的電壓范圍進行性
  • 關鍵字： MOSFET  

意法半導體制造首批8吋碳化硅晶圓

  • 意法半導體（STMicroelectronics）宣布，ST瑞典Norrkoping工廠制造出首批8吋（200mm）碳化硅（SiC）晶圓，這些晶圓將用于生產下一代功率電子芯片產品原型。將SiC晶圓升級到8吋代表著ST針對汽車和工業客戶的擴產計劃獲得重要階段性的成功，其鞏固了ST在此一開創性技術領域的領導地位，且提升了功率電子芯片的輕量化和效能，降低客戶獲取這些產品的擁有總成本。 意法半導體制造首批8吋碳化硅晶圓意法半導體首批8吋SiC晶圓質量十分優良，對于芯片良率和晶體位錯誤之缺陷非常低。其低缺
  • 關鍵字： 意法半導體  碳化硅  

鄭有炓院士：第三代半導體迎來新發展機遇

  • 半導體材料是信息技術的核心基礎材料，一代材料、一代技術、一代產業，半個多世紀來從基礎技術層面支撐了信息技術翻天覆地的變化，推動了電子信息科技產業可持續蓬勃發展。同樣地，信息技術和電子信息科技產業發展需求又驅動了半導體材料與技術的發展。第三代半導體材料及其應用第三代半導體是指以GaN、SiC為代表的寬禁帶半導體材料，它是繼20世紀50年代以Ge、Si為代表的第一代半導體和70年代以GaAs、InP為代表的第二代半導體之后于90年代發展起來的新型寬禁帶半導體材料，即禁帶寬度明顯大于Si（1.12 eV）和Ga
  • 關鍵字： 第三代半導體  SiC  

電動汽車用SiC和傳統硅功率元器件都在經歷技術變革

  • 近年來，在全球“創建無碳社會”和“碳中和”等減少環境負荷的努力中，電動汽車（xEV）得以日益普及。為了進一步提高系統的效率，對各種車載設備的逆變器和轉換器電路中使用的功率半導體也提出了多樣化需求，超低損耗的SiC 功率元器件（SiC MOSFET、SiC SBD等）和傳統的硅功率元器件（IGBT、SJ-MOSFET 等）都在經歷技術變革。在OBC（車載充電機）方面，羅姆以功率器件、模擬IC 以及標準品這三大產品群進行提案。羅姆半導體（上海）有限公司 技術中心 副總經理 周勁1? ?Si
  • 關鍵字： MOSFET  202108  

汽車電氣化的部分關鍵技術及ST的解決方案

  • 1? ?汽車電氣化的趨勢和挑戰汽車市場中與電氣化相關的應用是減少交通碳排放影響的關鍵因素。中國領導人在2020年9 月提出中國要在2030年碳達峰，2060 年實現碳中和的目標。為了實現碳中和，減少能源使用中的碳排放是其中的重要一環。電能是清潔、高效的能源品種，用電能作為主要的能源消耗可以大幅減少碳排放。同時也要發展低排放的清潔能源作為主要發電的能源。中國交通運輸行業碳排放占比達10%，而公路運輸占其中的74%，主要來自燃油車的排放。因此，發展電動汽車并逐漸從燃油車過渡到電動汽車對減少
  • 關鍵字： 202108  SiC  BMS  

清潔安全的汽車將由功能電子化和自動駕駛賦能

  • 未來的汽車將是清潔和安全的汽車，由先進的汽車功能電子化和自動駕駛技術賦能。安森美半導體汽車戰略及業務拓展副總裁 Joseph Notaro1? ?功率器件賦能電動汽車電動車可幫助實現零排放，其市場發展是令人興奮和充滿生機的，隨著電動車銷售不斷增長，必須推出滿足駕駛員需求的基礎設施，以提供一個快速充電站網絡，使他們能夠快速完成行程，而沒有“續航里程焦慮癥”。這一領域的要求正在迅速發展，需要超過350 kW 的功率水平和95% 的能效成為“常規”。鑒于這些充電樁部署在不同的環境和地點，緊湊
  • 關鍵字： 202108  SiC  汽車  OBC  

功率因素校正電路旁路二極管的作用

  • 本文總結了功率因素校正電路加旁路二極管作用的幾種不同解釋：減少主二極管的浪涌電流；提高系統抗雷擊的能力；減少開機瞬間系統的峰值電流，防止電感飽和損壞功率MOSFET。具體分析了輸入交流掉電系統重起動，導致功率MOSFET驅動電壓降低、其進入線性區而發生損壞，才是增加旁路二極管最重要、最根本的原因。給出了在這種模式下，功率MOSFET發生損壞的波形和失效形態，同時給出了避免發生這種損壞的幾個措施。
  • 關鍵字： 功率因素校正  旁路二極管  線性區  欠壓保護  202103  MOSFET  

簡易直流電子負載的設計與實現*

  • 隨著電力電子技術的飛速發展，傳統負載測試電源性能的方法在高科技產品的生產中逐漸暴露出許多的不足之處。為了解決采用傳統負載測試方法存在功耗較大、效率與調節精度低、體積大等問題，設計并制作一款適合隨頻率、時間變化而發生改變的被測電源的簡潔、實用、方便的直流電子負載。系統主要由STC12C5A60S2單片機主控、增強型N溝道場效應管IRF3205功率管、矩陣按鍵、D/A和A/D電路等部分組成。實現了在一定電壓與電流范圍內恒壓恒流任意可調，并通過LCD12864液晶顯示屏顯示被測電源的電壓值、電流值及相應的設定值
  • 關鍵字： STC12C5A60S2單片機  恒流恒壓  IRF3205  負載調整率  202105  MOSFET  

適用于熱插拔的Nexperia新款特定應用MOSFET

  • 新推出的80 V和100 V器件最大限度降低額定值，并改善均流，從而提供最佳性能、高可靠性并降低系統成本。基礎半導體器件領域的專家Nexperia今日宣布推出新款80 V和100 V ASFET，新器件增強了SOA性能，適用于5G電信系統和48 V服務器環境中的熱插拔與軟啟動應用以及需要e-fuse和電池保護的工業設備。 ASFET是一種新型MOSFET，經過優化，可用于特定應用場景。通過專注于對某一應用至關重要的特定參數，有時需要犧牲相同設計中其他較不重要的參數，以實現全新性能水平。新款熱插拔ASFET
  • 關鍵字： Nexperia  MOSFET  

瑞能半導體舉行CEO媒體溝通會

  • 近日，瑞能半導體CEO Markus Mosen（以下簡稱Markus）的媒體溝通會在上海靜安洲際酒店舉行，瑞能半導體全球市場總監Brian Xie同時出席本次媒體溝通會。溝通會上首先回顧了瑞能半導體自2015年從恩智浦分離出后，從全新的品牌晉升為如今的知名國際品牌的過程中，在六年內保持的相當規模的成長，并取得的驕人成績；結合瑞能半導體近期推出的第六代碳化硅二極管、碳化硅MOSFET、IGBT、TVS/ESD等多種系列產品，明確了在碳化硅器件行業內的領先地位；在分享后續發展策略的同時，強調了瑞能半導體未來
  • 關鍵字： MOSFET  

基本半導體——第三代半導體前景無限

  • 相比于數字半導體，我國在模擬與功率半導體的差距要更大一些，因為功率器件不僅僅是產品設計的問題，還涉及到材料等多個技術環節的突破。其中第三代功率器件也是我們重點迎頭趕上的領域之一。作為國內第三代半導體領軍企業，基本半導體技術營銷副總監劉誠表示，公司致力于碳化硅功率器件的研發與產業化，核心產品包括碳化硅肖特基二極管、碳化MOSFET和車規級全碳化硅功率模塊等，基本半導體碳化硅功率器件產品性能處于國內領先水平。新能源汽車是碳化硅功率器件最為重要的應用領域，市場潛力大，也是基本半導體要重點發力的市場。站在劉誠的角
  • 關鍵字： 基本半導體  MOSFET  中國芯  

變頻電源開關芯片炸裂的失效分析與可靠性研究

  • 隨著科技的發展，電器設備使用越來越廣泛，功能越來越強大，體積也越來越小，對電源模塊的要求不斷增加。開關電源具有效率高、成本低及體積小的特點，在電氣設備中獲得了廣泛的應用。經分析，開關電源電路多個器件失效主要是電路中高壓瓷片電容可靠性差，導致開關芯片失效。本文通過增加瓷片電容材料的厚度提高其耐壓性能和其他性能，使產品各項性能有效提高，滿足電路設計需求，減少售后失效。
  • 關鍵字： 開關電源  高壓瓷片電容  芯片  耐壓提升  可靠性  202105  MOSFET  

特定工作條件下的開關電源模塊失效分析

  • 針對在某特定工作條件下發生的短路失效問題，進行了開關電源模塊及其外圍電路的工作原理分析，通過建立故障確定了失效原因，運用原理分析與仿真分析的方法找到了開關電源模塊的損傷原因與機理，并給出了對應的改進措施。
  • 關鍵字： 開關電源模塊  電源振蕩  失效分析  MOSFET  202105  

Microchip推出業界耐固性最強的碳化硅功率解決方案，取代硅IGBT，現已提供1700V版本

  • 如今為商用車輛推進系統提供動力的節能充電系統，以及輔助電源系統、太陽能逆變器、固態變壓器和其他交通和工業應用都依賴于高壓開關電源設備。為了滿足這些需求，Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）今日宣布擴大其碳化硅產品組合，推出一系列高效率、高可靠性的1700V碳化硅MOSFET裸片、分立器件和電源模塊。Microchip的1700V碳化硅技術是硅IGBT的替代產品。由于硅IGBT的損耗問題限制了開關頻率，之前的技術要求設計人員在性能上做出妥協并使用復雜的拓撲結構。此外，電力電
  • 關鍵字： MOSFET  MCU  IGBT  

原廠MOSFET價格一年漲3倍：還會繼續漲價

  • 相比去年，已有多款MOSFET產品漲價幅度超過3倍，而供貨周期也無限延長。由于缺貨的確定短期內得不到解決，有業內人士認為下半年該產品依舊會漲價。芯研所7月24日消息，自2020年以來，在供需層面多種因素的疊加作用下，功率器件MOSFET價格持續大漲。近日由于馬來西亞、臺灣等地區新冠肺炎疫情延燒，導致產能下降，在過去的一個月，英飛凌、意法半導體、安森美等IDM大廠又再度將產品的價格上調了10~15%。芯研所采編目前MOSFET原廠年內訂單已全部排滿，各大MOSFET廠仍在不斷上調MOSFET價格。相比去年，
  • 關鍵字： MOSFET  
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碳化硅(sic)mosfet介紹

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