全球功率半導體和管理方案領導廠商——國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)推出汽車級COOLiRFET功率MOSFET AUIRFN8403，適合需要極小占位面積和大電流性能的汽車應用，包括泵電機控制和車身控制等。 使用緊湊5x6mm PQFN封裝的AUIRFN8403，是IR運用該公司最先進的COOLiRFET 40V溝道技術的全新器件系列的首款產品，具有3.3 mΩ超低導通電阻和95A大電流承載能力。PQFN封裝具有加長管腳，管腳的端口通過電鍍進行焊接，從而
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IR MOSFET COOLiRFET
美國阿肯色大學研究人員已經設計出可在溫度高于350°C (大約660°F)時工作的集成電路。該研究由美國國家科學基金(NSF)提供資助，研究成果可以提高用于電力電子設備、汽車和航空航天設備領域的處理器、驅動器、控制器和其他模擬與數字電路的功能，因為所有這些應用場合的電子設備都必須在高溫甚至經常在極限溫度下運行。
阿肯色大學電子工程學院特聘教授Alan Mantooth說，“堅固性允許這些電路被放置在標準硅基電路部件無法工作的地方。我們設計了性能優越的信號處理電路模
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SiC 集成電路
東京—東芝公司(TOKYO：6502)旗下的半導體&存儲產品公司今天宣布，該公司將通過添加TO-220F-2L絕緣封裝產品擴大其650V碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)系列產品。四款新產品將擴大現有TO-220-2L封裝產品的6A、8A、10A和12A陣容。量產出貨即日啟動。 SBD適合各種應用，包括光伏發電系統用的服務器電源和功率調節器。此外，它還可作為開關電源中的硅二極管的替換件，能夠將效率提升50%(東芝調查)。 SiC功率器件提供比當前硅器件更加穩定的運行，即便是在高電壓
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東芝 SBD SiC
美國設計出可在溫度高于350°C 時工作的集成電路，該產品可以用于高溫甚至極溫下運行的航空航天設備......
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SiC 集成電路
]新日本無線的MEMS傳感器累計出貨量突破1億枚，這是新日本無線執行董事兼電子元器件事業部長村田隆明先生今年來訪時帶來的最新消息，同時在SAW濾波器、MOSFET、光電半導體器件、功率半導體器件和最新型運算放大器等各個方面都有了長足的進步。
記得去年七月份村田隆明來到本刊時，詳細介紹了新日本無線將向綜合電子元器件供應商轉型的發展戰略，而今表明這一戰略轉型已經初步完成。
電子元器件業務已占贏收85%
縱觀新日本無線公司歷長達50多年的發展歷程，可以看到其業務構成主要是獨特的模擬技術和微
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MEMS MOSFET 濾波器
球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出大罐式DirectFET MOSFET系列，適用于要求極低導通電阻 (RDS(on)) 的工業應用，包括大功率直流電機，直流/交流逆變器，以及動態ORing熱插拔和電熔絲等大電流開關應用。
全新7mm x 9mm x 0.7mm大罐式封裝器件提供卓越的導通電阻性能，從而實現較低的導通損耗和更理想的系統效率。這款大罐式產品與中罐式和小罐式DirectFET器件相似，具備
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IR MOSFET DirectFET
最高性能的金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)將不再由矽晶制成。根據近日在美國夏威夷檀香山舉行的2014VLSI技術研討會上的研究人員們表示，未來，這種MOSFET將改采三五(III-V)族材料在矽基板上生長而成。
在一場由Semiconductor Research Corporation(SRC)所舉行的產品展示中，美國加州大學圣塔巴巴拉分校(UCSB)的研究人員們展示他們所宣稱世界上最高性能的MOSFET──這種MOSFET是由在(InP)上的砷化銦鎵(InGaAs)所形成;這種
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III-V族 MOSFET
最高性能的金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)將不再由矽晶制成。根據近日在美國夏威夷檀香山舉行的2014 VLSI技術研討會上的研究人員們表示，未來，這種 MOSFET 將改采三五(III-V)族材料在矽基板上生長而成。
在一場由Semiconductor Research Corporation(SRC)所舉行的產品展示中，美國加州大學圣塔巴巴拉分校(UCSB)的研究人員們展示他們所宣稱世界上最高性能的 MOSFET ──這種 MOSFET 是由在 (InP)上的砷化銦鎵(InGaA
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矽晶 MOSFET
日本半導體制造商株式會社東芝(Toshiba)旗下東芝半導體&存儲產品公司宣布，將參加在上海舉行的“上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會”(PCIM Asia 2014 )。本次展會于2014年6月17日至19日在上海世博展覽館拉開帷幕，東芝半導體&存儲產品公司此次將展示其最新的、應用在電力領域的技術和產品。 展示產品簡介: 1. IEGT (Injection Enhanced Gate Transistor) 東芝在IGBT的基礎上成功研發出“注入增強”(IE：Inject
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東芝 IEGT SiC
功率器件一直都是由材料引導技術革新，硅材質的MOSFET已經應用多年，現在面臨在功率密度、工作溫度和更高電壓方面的技術挑戰，而解決這一問題最根本的辦法是采用更高性能的材料。
宜普電源轉換公司(EPC)是首家推出替代功率MOSFET器件的增強型氮化鎵(eGaN)場效應晶體管的公司，他們希望借助技術優勢快速推廣其技術和產品，并于未來數年間取代硅功率MOSFET器件及IGBT，搶奪超過百億美元的功率轉換市場份額。
增強型氮化鎵(eGaN)場效應晶體管作為寬頻隙器件，其優勢包括具有更高功率密度、更
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MOSFET EPC eGaN 201406
5月29日，國內首批產業化6英寸碳化硅外延晶片在位于廈門火炬高新區的瀚天天成電子科技(廈門)有限公司投產，并交付第一筆商業訂單產品， 成為國內首家提供商業化6英寸碳化硅外延晶片的生產商。
據悉，碳化硅是繼第一代硅、鍺和第二代砷化鎵等材料之后的第三代新型半導體材料。碳化硅半導體儀器大禁帶寬度、高臨界場強和高熱導率等優良特性，成為制作高溫、高頻和大功率電力電子器件的理想半導體材料。
瀚天天成電子科技(廈門)有限公司總經理鄭忠惠介紹，6英寸碳化硅外延晶片相對于4英寸碳化硅外延晶片具有巨大
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碳化硅 外延晶片
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，該公司的Si8851EDB TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET榮獲《電子產品世界》雜志的2013年度電源產品獎。 《電子產品世界》年度電源產品獎評選已經舉行了11年，面向全球的電源供應商征集參選產品。五個門類的最佳產品獎和最佳應用獎的獲獎產品是通過在線投票，以及《電子產品世界》的編輯、專家和工程師的嚴格評審選出的。Vishay的Si8851EDB能夠在便攜式計算設備中顯著提高效率
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Vishay MOSFET 電子產品世界
三菱電機今年以“創新功率器件構建可持續未來”為題，攜帶六款全新產品，于6月17至19日在上海世博展覽館舉行的PCIM亞洲展2014中隆重亮相。 今年展出的產品范圍跨越六大領域，包括：工業應用、變頻家電應用、可再生能源應用、鐵路牽引和電力應用、電動汽車應用以及碳化硅器件應用。 在新產品方面，這次展出的全新第7代IGBT模塊，適合應用在工業驅動和太陽能發電上。它采用了第7代IGBT硅片和二極管硅片;具有650V、1200V和1700V三種電壓等級;提高利用門極電阻優化dv/dt的可控性;涵蓋模塊電流7
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三菱電機 PCIM 碳化硅
致力于提供功率、安全、可靠與高性能半導體技術方案的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC) 推出全新碳化硅(Silicon Carbide, SiC) MOSFET產品系列 ─ 1200V解決方案。這系列創新SiC MOSFET器件設計用于效率至關重要的大功率工業應用，包括用于太陽能逆變器、電動汽車、焊接和醫療設備的解決方案。 美高森美擁有利用SiC半導體市場增長的良好條件，據市場研究機構Yole Développement預計，從201
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美高森美 MOSFET SiC
開關電源是利用現代電力電子技術，控制開關管開通和關斷的時間比率，維持穩定輸出電壓的一種電源，開關電源一般由脈沖寬度調制控制IC和MOSFET構成。隨著電力電子技術的發展和創新，使得開關電源技術也在不斷地創新。目前，開關電源以小型、輕量和高效率的特點被廣泛應用幾乎所有的電子設備，是當今電子信息產業飛速發展不可缺少的一種電源方式。
根據中國電源學會收集整理的數據，2008年全國開關電源(主要包含消費類開關電源、工業類開關電源、通信電源、PC電源，下同)產值達到855億元，2009年達931億元，
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開關電源 MOSFET
碳化硅(sic)mosfet介紹
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