- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出采用PowerPAK? ChipFET?和PowerPAK 1212-8S封裝的新器件，擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。
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Vishay MOSFET 導通電阻
- 最近，碳化硅(SiC)的使用為BJT賦予了新的生命，生產出一款可實現更高功率密度、更低系統成本且設計更簡易的...
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光伏逆變器 SiC BJT
- 摘要：傳統高功率LED驅動電源大多采用直流并聯LED的方式工作，成本低，容易實現，但目前高亮度LED消耗的電流可達350mA甚至更高，因此傳統方法的損耗極大，效率低;本文提出了一種串聯輸入多并聯驅動電源的實現方法，具有高性價比，輸出電流大，失真度低，且具有優異的串電流調節功能等優點。
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LED 照明驅動 DC/DC SIMPLE MOSFET 201312
- 2013年11月22日，日本半導體制造商株式會社東芝(Toshiba)旗下東芝半導體&存儲產品公司宣布，在第十五屆中國國際高新技術成果交易會(簡稱高交會)電子展上圍繞“智慧與科技的雙贏，盡在東芝智能社區”這一主題，重點展示了面向移動終端、家用電器、汽車電子、工業電子以及存儲等五大應用領域的創新技術與解決方案。
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東芝 存儲卡 MOSFET
- 引言對電能轉換而言，可再生能源電子細分市場是一個復雜且多樣化的競技場。在一些負載點應用中，開關型功率轉換...
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IGBT MOSFET
- 通過減薄SiC二極管的基片厚度來減小導通電阻的研發日趨活躍。這一趨勢在耐壓1.2kV以下的低中耐壓產品中最為突出。其背景在于，越是低耐壓產品，基片上層積的漂移層就越薄，因此在SiC二極管的導通電阻中，基片的電阻成分所占比例就越大。
目前，SiC基片的厚度以350μm為主流，超薄產品也要達到230μm左右。為了進一步減薄厚度，許多大型SiC功率元件廠商都在致力于相關研發。
比如，羅姆通過研磨等工序將SiC基片減薄至50μm，并用其試制出了耐壓700V的SiC肖特基勢壘二極管
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三菱電機 SiC
- 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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MOS管 驅動電路 MOSFET 導通特性 AN799
- 一、LED的出現打破了傳統光源的設計方法與思路，目前有兩種最新的設計理念。1.情景照明:是2008年由飛...
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LED MOSFET
- 在功率MOSFET的數據表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩電流IAR，重復脈沖雪崩能量EAR等參數，而許多電子工...
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MOSFET 電源設計
- 通過減薄SiC二極管的基片厚度來減小導通電阻的研發日趨活躍。這一趨勢在耐壓1.2kV以下的低中耐壓產品中最為突出。其背景在于，越是低耐壓產品，基片上層積的漂移層就越薄，因此在SiC二極管的導通電阻中，基片的電阻成分所占比例就越大。
目前，SiC基片的厚度以350μm為主流，超薄產品也要達到230μm左右。為了進一步減薄厚度，許多大型SiC功率元件廠商都在致力于相關研發。
比如，羅姆通過研磨等工序將SiC基片減薄至50μm，并用其試制出了耐壓700V的SiC肖特基勢壘二極管
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SiC 二極管
- 用于高能效電源轉換的高壓集成電路業界的領導者 Power Integrations公司(納斯達克股票代號：POWI)日前宣布推出HiperTFS?-2系列IC - 一款同時集成了高壓MOSFET、雙管正激和反激電源控制器的IC。如此高的集成度可節省超過20個元件，從而減小外形尺寸并提高功率密度。
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Power MOSFET HiperTFS-2
- 在電路板尺寸不斷縮小的新一代服務器和電信系統供電應用中，提高效率和功率密度是設計人員面臨的重大挑戰。
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飛兆 MOSFET SPS 驅動器
- 新日本無線的這款新MUSES音頻系列產品 MUSES7001 是采用了粗銅線絲焊方式的音頻碳化硅肖特基二極管(SiC-SBD:Silicon Carbide-Schottky Barrier Diode)，粗銅線有利于降低損耗提高效率，SiC-SBD專長于高速開關動作，再加上注重最佳音質的制造工藝技術，能夠實現高音質音響效果。
- 關鍵字：
新日本無線 SiC-SBD MUSES
- 日前，德州儀器 (TI) 宣布面向智能手機與平板電腦等空間有限手持應用推出業界最小型低導通電阻 MOSFET。該最新系列 FemtoFET? MOSFET 晶體管采用超小型封裝，支持不足 100 毫歐的導通電阻。
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TI MOSFET 導通電阻
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