服務器、電信、計算等高端的AC-DC開關模式電源(SMPS)應用以及工業電源應用需要較高的功率密度，因此要獲得成功，設計人員需要采用占據更小電路板空間并能提高穩定性的高性價比解決方案。
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飛兆 MOSFET SuperFET
如何提升數字控制電源性能？MOSFET驅動器有辦法,UCD9110或UCD9501等新上市的數字電源控制器需要具備新型的智能型集成MOSFET驅動器的支持。電源設計人員仍然對數字電源控制技術心存疑慮。他們經常將PC的藍屏現象歸咎于軟件沖突。當然，這種爭議會阻礙數字控制電源以
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在這篇《電源設計小貼士》中，我們將研究在同步降壓功率級中如何對傳導功耗進行折中處理，而其與占空比和F...
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同步降壓 MOSFET 電阻比
汽車動力轉向系統的設計工程師需要能夠提供更高效率和更佳功率控制的解決方案。 飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)的40V N溝道PowerTrench? MOSFET可幫助設計人員應對這些挑戰。
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飛兆 MOSFET FDB9403
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日推出具有超低導通電阻 (RDS(on)) 的 StrongIRFET功率MOSFET系列，適合各種工業應用，包括電池組、逆變器、不間斷電源 (UPS) 、太陽能逆變器、叉車、電動工具、代步車，以及ORing和熱插拔應用等。
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IR MOSFET
半導體業者競相開發高整合度發光二極體(LED)照明驅動IC方案。在高壓金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)產能吃緊之下，LED照明系統商正面臨出貨遞延的窘境，因此晶片商正加緊發表整合高壓MOSFET的LED照明驅動IC方案，讓LED照明系統客戶免于高壓MOSFET缺貨之苦。
恩智浦區域市場總監王永斌表示，調光與非調光LED驅動IC和LED燈具的諧振控制器皆需要高壓MOSFET，因此恩智浦將透過高整合LED驅動IC方案確?？蛻粽莆肇浽礋o虞。
恩智浦(NXP)區域市場總監王永斌表示，20
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恩智浦 LED MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出采用業內最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT?封裝的CSP規格尺寸，具有業內最低導通電阻的新款12V和20V 的N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET。
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Vishay MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，將參加11月24日在西安皇后酒店舉行的中國西部電源技術論壇。論壇與中國電源行業協會合辦，由Vishay技術專家做4場技術報告，探討在新能源、軍工、通信、工業電源和其他行業中電容器、電阻、電感器、MOSFET、功率模塊和二極管的應用。
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Vishay 電容器 電感器 MOSFET
前言
為了防止地球溫室化，減少CO2排放量已成為人類的課題。為了減少CO2排放量，節電與提高電壓的轉換效率是當務之急。在這種背景下，羅姆通過用于LED照明的技術貢獻于節電，通過功率元器件提升轉換效率。
而提高轉換效率就需要減少損耗。發電站產生幾十萬伏的電壓，通過電線和變壓器將這些電壓降低為如我們所熟悉的手機充電器所提供的約5V的電壓進行使用。從發電站到充電器之間電壓被多次轉換，每次轉換都會發生損耗。這些損耗的原因之一是功率元器件的損耗。只要這些損耗變成零，就可以大幅消減CO2排放量。雖然不
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羅姆 功率元器件 MOSFET
摘要：本文介紹了一種“零電壓開關(ZVS)降壓”的新型降壓穩壓器拓撲，說明了其給系統帶來的優勢和其在Picor Cool-Power ZVS降壓穩壓器系列產品中的集成。
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穩壓器 柵極驅動 MOSFET 201211
為努力實現更高的功率密度并滿足嚴格的效率法規要求以及系統正常運行時間要求，工業和功率電子設計人員在進行設計時面臨著不斷降低功率損耗和提高可靠性的難題。 然而，在可再生能源、工業電機驅動器、高密度電源、汽車以及井下作業等領域，要想增強這些關鍵設計性能，設計的復雜程度就會提高，同時還會導致總體系統成本提高。
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飛兆 SiC 晶體管
致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導體技術產品的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC) 推出采用碳化硅(SiC)材料和技術的全新1200 V 肖特基二極管系列，新的二極管產品瞄準廣泛的工業應用，包括太陽能逆變器、電焊機、等離子切割機、快速車輛充電、石油勘探。
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美高森美 碳化硅 二極管
在功率元器件的發展中，主要半導體材料當然還是Si。同樣在以Si為主體的LSI世界里，在“將基本元件晶體管的尺寸縮小到1/k，同時將電壓也降低到1/k，力爭更低功耗”的指導原理下，隨著微細加工技術的發展，實現了開關更加高速、大規模集成化。在功率元器件領域中，微細加工技術的導入滯后數年，需要確保工作電壓的極限(耐壓)并改善模擬性能。
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羅姆 功率元器件 MOSFET
記者從東莞市天域半導體科技有限公司獲悉，該公司投資碳化硅(SiC)材料這一高科技領域，連續砸進1.8億元，正與中科院半導體研究所聯合，進行“第三代半導體碳化硅外延晶片研發及產業化”，是我國首家、全球第五家專業從事第三代半導體碳化硅(SiC)外延片生產、研發和銷售的高科技企業。
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