- 利用PSoC 1系列芯片中的可編程模擬單元可實現對步進電機的高細分數和精確的正弦波形控制。圖1為利用PSoC 1實現以上步進電機驅動器方案電路圖，只需一個芯片，就可實現可編程模擬電路，例如高速/低速比較器，DAC等功能模塊，以及可編程數字電路，并且利用芯片內的模擬/數字總線非常方便靈活地進行互聯。
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PSoC DAC MOSFET
- 全球領先的半導體及解決方案供應商瑞薩電子株式會社(TSE：6723)于日前宣布推出三種新型的低通態電阻 MOSFET 產品，包括在網絡服務器和存儲系統內的電源裝置中作為ORing FET使用的 μPA2766T1A。
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瑞薩 MOSFET
- 致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導體技術產品的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC)日前宣布，推出新一代工業溫度碳化硅(SiC)標準功率模塊。新產品非常適用于要求高性能和高可靠性的大功率開關電源、馬達驅動器、不間斷電源、太陽能逆變器、石油勘探和其他高功率高電壓工業應用。該功率模塊系列還擴展了溫度范圍，以滿足下一代功率轉換系統對于功率密度、工作頻率和效率的更高要求。
SiC技術比硅材料提供更高的擊穿電場強度和更好的熱傳導性
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Microsemi SiC
- 憑借在功率MOSFET領域的領先地位，恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.)(納斯達克代碼：NXPI)近日推出了其NextPower Live產品組合，設計出專門用于“熱插拔”環境的全新線性模式的功率MOSFET系列。NextPower Live系列同時提供出色的線性模式性能和極低的RDS(on)值，該獨特組合展示了恩智浦在該領域的技術能力。
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恩智浦 MOSFET NextPower 以太網
- 全球領先的整合單片機、混合信號、模擬器件和閃存專利解決方案的供應商——Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)宣布，推出全球第一款數字增強型電源模擬控制器MCP19111，它擴展了Microchip多元化的智能DC/DC電源轉換解決方案。此外，Microchip還宣布推出全新MCP87018、MCP87030、MCP87090和MCP87130，擴展其高速MOSFET系列。
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Microchip 控制器 MOSFET
- 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日推出配備IR最新功率MOSFET的300V器件系列，可為各種高效工業應用提供基準導通電阻 (Rds(on)) ，這些工業應用包括110V-120V交流電壓線性調節器和110V-120V交流電壓電源，以及直流-交流逆變器，如太陽能逆變器、不間斷電源 (UPS)等。
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IR MOSFET
- 全球功率半導體和管理方案領導廠商–國際整流器公司(InternationalRectifier，簡稱IR)近日推出配備IR最新...
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基準導通 300V功率 MOSFET
- 汽車應用MOSFET半導體制造商在金屬氧化物半導體（MOS）技術領域取得了重大進步，并繼續積極發展。先進的功率MOS...
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汽車應用 MOSFET 電機控制
- 1 引言
scale-2芯片組是專門為適應當今igbt與功率mosfet柵驅動器的功能需求而設計的。這些需求包括：可擴展的分離式開通與關斷門級電流通路;功率半導體器件在關斷時的輸出電壓可以為有源箝位提供支持;多電平變
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MOSFET IGBT 驅動器 芯片
- 11、請問：HCPl-316產品如何做到短路時軟關斷？謝謝！ HCPL-316J 飽和閾值的頂點設置在7V，這是對通過一個比較 ...
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IGBT Power MOSFET 功率器件
- 功率器件，如IGBT，Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等，都需要有充分的保護，以避免如欠壓，缺失飽和，米勒效 ...
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IGBT Power MOSFET 功率器件
- 進入21世紀以來，隨著摩爾定律的失效大限日益臨近，尋找半導體硅材料替代品的任務變得非常緊迫。在多位選手輪番登場后，有兩位脫穎而出，它們就是氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)——并稱為第三代半導體材料的雙雄。
SiC早在1842年就被發現了，但直到1955年，才有生長高品質碳化硅的方法出現;到了1987年，商業化生產的SiC進入市場;進入21世紀后，SiC的商業應用才算全面鋪開。相對于Si，SiC的優點很多：有10倍的電場強度，高3倍的熱導率，寬3倍禁帶寬度，高一倍的飽和漂
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ROHM SiC 半導體
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