3月31日，在深圳市委市政府的大力支持下，由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟、基本半導體和南方科技大學等單位發起共建的深圳第三代半導體研究院在五洲賓館宣布正式啟動。深圳第三代半導體研究院的成立具有里程碑意義，將對中國乃至全球第三代半導體產業發展產生深遠影響?！ 】萍疾吭辈块L、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟決策委員會主任、深圳第三代半導體研究院理事長曹健林，廣東省委常委、深圳市委書記王偉中，深圳市委副書記、市長陳如桂，科技部高新司原司長、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟決策委員會副主任、深圳第三代半
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青銅劍科技 半導體 碳化硅 功率器件
碳化硅電力電子器件的發展現狀分析-SiC電力電子器件中，SiC二極管最先實現產業化。2001年德國Infineon公司率先推出SiC二極管產品，美國Cree和意法半導體等廠商也緊隨其后推出了SiC二極管產品。
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碳化硅
效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系統成本更低：這是基于碳化硅(SiC)的晶體管的主要優勢。c科技股份公司開始批量生產EASY 1B——英飛凌在2016年PCIM上推出的首款全碳化硅模塊。在紐倫堡2017年PCIM展會上，英飛凌展出了1200 V CoolSiC? MOSFET產品系列的其他模塊平臺和拓撲。如今，英飛凌能夠更好地發揮碳化硅技術的潛力?！ ∮w凌工業功率控制事業部總裁Peter Wawer博士指出：“碳化硅已達到轉折點，考慮到成本效益，它
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英飛凌 碳化硅
效率更高、功率密度更大、尺寸更小且系統成本更低：這是基于碳化硅(SiC)的晶體管的主要優勢。英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)開始批量生產EASY 1B——英飛凌在2016年PCIM上推出的首款全碳化硅模塊。在紐倫堡2017年PCIM展會上，英飛凌展出了1200 V CoolSiC? MOSFET產品系列的其他模塊平臺和拓撲。如今，英飛凌能夠更好地發揮碳化硅技術的潛力。 英飛凌工業功率控
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英飛凌 碳化硅
三菱電機于6月27至29日在上海世博展覽館舉行的PCIM Asia 2017(上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會)展會中，以十款新型功率器件強勢登場，其中第7代IGBT模塊更首次作全電壓、全封裝及全系列展出(三菱電機展位號：E06)?！ ∪怆姍C以“創新功率器件構建可持續未來”為主題，今年展出的功率器件應用范圍跨越五大領域，包括：變頻家電、鐵道牽引及電力傳輸、電動汽車、工業應用和新能源發電，致力為客戶提供高性能及低損耗的產品。 變頻家電市場 在變頻家電應用方面，三菱電機展出
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三菱電機 碳化硅
功率因數校正（PFC）市場主要受與降低諧波失真有關的全球性規定影響。歐洲的EN61000-3-2是交直流供電市場的基本規定之一，在英國、日本和中國也存在類似的標準。EN61000-3-2規定了所有功耗超過75W的離線設備的諧波標準。由于北美沒有管理PFC的規定，能源節省和空間/成本的考慮成為在消費類產品、計算機和通信領域中必須使用PFC的
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碳化硅 肖特基二極管 電源 DCM PFC
伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生，以碳化硅和氮化鎵為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。
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氮化鎵 碳化硅
從2英寸、3英寸、4英寸到如今的6英寸碳化硅單晶襯底，陳小龍團隊花了10多年時間，在國內率先實現了碳化硅單晶襯底自主研發和產業化。
不久前，中國科學院物理研究所研究員陳小龍研究組與北京天科合達藍光半導體有限公司(以下簡稱天科合達)合作，解決了6英寸擴徑技術和晶片加工技術，成功研制出了6英寸碳化硅單晶襯底。
從2英寸、3英寸、4英寸到如今的6英寸碳化硅單晶襯底，陳小龍團隊花了10多年時間，在國內率先實現了碳化硅單晶襯底自主研發和產業化。
第三代半導體材料
研究人員告訴記者，上世紀
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碳化硅 晶片
5月29日，國內首批產業化6英寸碳化硅外延晶片在位于廈門火炬高新區的瀚天天成電子科技(廈門)有限公司投產，并交付第一筆商業訂單產品， 成為國內首家提供商業化6英寸碳化硅外延晶片的生產商。
據悉，碳化硅是繼第一代硅、鍺和第二代砷化鎵等材料之后的第三代新型半導體材料。碳化硅半導體儀器大禁帶寬度、高臨界場強和高熱導率等優良特性，成為制作高溫、高頻和大功率電力電子器件的理想半導體材料。
瀚天天成電子科技(廈門)有限公司總經理鄭忠惠介紹，6英寸碳化硅外延晶片相對于4英寸碳化硅外延晶片具有巨大
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碳化硅 外延晶片
三菱電機今年以“創新功率器件構建可持續未來”為題，攜帶六款全新產品，于6月17至19日在上海世博展覽館舉行的PCIM亞洲展2014中隆重亮相。 今年展出的產品范圍跨越六大領域，包括：工業應用、變頻家電應用、可再生能源應用、鐵路牽引和電力應用、電動汽車應用以及碳化硅器件應用。 在新產品方面，這次展出的全新第7代IGBT模塊，適合應用在工業驅動和太陽能發電上。它采用了第7代IGBT硅片和二極管硅片;具有650V、1200V和1700V三種電壓等級;提高利用門極電阻優化dv/dt的可控性;涵蓋模塊電流7
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東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布將擴充其650V碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)系列，為其現有的6A、8A和12A產品陣容中增添一款10A產品。該產品將于即日起批量交付。
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Mouser Electronics宣布備貨Cree公司的CAS100H12AM1，這是業界首款在單個半電橋封裝中結合SiC MOSFET和SiC肖特基二極管的產品。
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致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導體技術產品的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC) 推出采用碳化硅(SiC)材料和技術的全新1200 V 肖特基二極管系列，新的二極管產品瞄準廣泛的工業應用，包括太陽能逆變器、電焊機、等離子切割機、快速車輛充電、石油勘探。
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記者從東莞市天域半導體科技有限公司獲悉，該公司投資碳化硅(SiC)材料這一高科技領域，連續砸進1.8億元，正與中科院半導體研究所聯合，進行“第三代半導體碳化硅外延晶片研發及產業化”，是我國首家、全球第五家專業從事第三代半導體碳化硅(SiC)外延片生產、研發和銷售的高科技企業。
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LED 領域的市場領先者科銳公司(Nasdaq: CREE)日前宣布推出其最新低基面位錯(LBPD)100毫米4H碳化硅外延片。該款低基面位錯材料的外延漂移層的總基面位錯密度小于1 cm-2，引起Vf偏移的基面位錯容量小于0.1 cm-2。
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碳化硅介紹
碳化硅（SiC）為由硅與碳相鍵結而成的陶瓷狀化合物，碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。
制造
由于天然含量甚少，碳化硅主要多為人造。最簡單的方法是將氧化硅砂與碳置入艾其遜電弧爐中，以1600至2500°C高溫加熱。
發現
愛德華·古德里?！ぐ溥d在1893年制造出此化合物，并發展了生產碳化硅用之艾其遜電弧爐，至今此技術仍為眾人使用中。
性質
碳化硅至少有70種 [
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