據外媒報道，知名汽車電子廠商采埃孚（ZF）近日宣布將從意法半導體(ST)采購碳化硅模塊。雙方簽署的多年期合同據報道涉及供應數量達數百萬的SiC模塊。報道稱，到2030年，采埃孚在電動汽車領域的訂單總額預計將超過300億歐元，公司高管Stephan
von Schuckmann表示，為了應對蓬勃增長的需求，采埃孚需要多家可靠的SiC供應商。“在
意法半導體，我們現在找到了這樣一家供應商，其在復雜系統方面的經驗符合我們的要求，最重要的是，該供應商能夠以極高質量和所需數量生產模塊。”意法半導體汽車和分立
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據外媒報道，近日，德國汽車Tier-1廠商采埃孚（ZF）和功率半導體廠商意法半導體（ST）共同發布新聞稿稱，雙方簽訂了車用碳化硅多年采購合同。根據合同條款，采埃孚將自2025年起向ST采購數千萬顆第三代SiC MOSFET器件，滿足汽車逆變器對車規級SiC器件在量和質上的需求。采埃孚將于2025年量產新型模塊化逆變器架構，這些SiC器件將集成到該平臺中。截至目前，采埃孚的在手訂單（到2023年）金額總計超過300億歐元（約合人民幣2274億元），其中一個汽車逆變器訂單來自歐洲一家車企，該車企計劃2025年
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近期，媒體報道進化半導體完成近億元人民幣融資。據悉，進化半導體是以國際首創無銥工藝制備超寬禁帶材料氧化鎵為特色的化合物半導體襯底企業，創立于2021年5月，專注于以創新技術制備氧化鎵為代表的新一代半導體材料。稍早之前，鎵仁半導體宣布完成數千萬天使輪融資。該公司是一家專注于氧化鎵等超寬禁帶半導體單晶襯底及外延材料研發、生產和銷售的科技型企業。為滿足日益增長的多元需求，半導體從以硅、鍺為代表的第一代材料，以砷化鎵、磷化銦為代表的第二代材料，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代材料，發展至以氧化鎵為代表的第四代半導體
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4月7日，中國汽車芯片產業創新戰略聯盟功率半導體分會在長沙成立，將加快汽車功率芯片的國產化。在成立大會暨汽車功率芯片發展研討會期間，第一財經記者獲悉，汽車結構性缺芯給國產芯片帶來機會，降本提質是國產功率芯片尤其是碳化硅功率半導體“上車”的關鍵；三安光電用于電動車主驅的碳化硅功率半導體有望今年四季度正式“上車”。 汽車結構性缺芯給國產芯片帶來機會 有行業專家向第一財經記者表示，一輛電動車如果前驅與后驅都用功率半導體，功率半導體約占電機控制器的成本50%。奇瑞汽車研發總院芯片規劃總監郭宇輝告訴第一財經記者
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【2023 年 4 月 13 日美國德州普拉諾訊】Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 推出碳化硅 (SiC) 系列最新產品：DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。這款裝置可以滿足工業馬達驅動、太陽能逆變器、數據中心及電信電源供應、直流對直流 (DC-DC) 轉換器和電動車 (EV) 電池充電器等應用，對更高效率與更高功率密度的需求。?DMWS120H100SM4 在高電壓 (1200V) 和汲極電流 (可達 37A) 的條件下運作，同時維持低導
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2023年4月12日 – 專注于引入新品的全球半導體和電子元器件授權代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨安森美 (onsemi) EliteSiC碳化硅 (SiC) 系列解決方案。EliteSiC產品系列包括二極管、MOSFET、IGBT和SiC二極管功率集成模塊 (PIM)，以及符合AEC-Q100標準的器件。這些器件經過優化，可為能源基礎設施和工業驅動應用提供高可靠性和高性能。可再生能源和大功率工業應用需要高擊穿電壓 (BV)，1700V NTH4L028N170M1
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IT之家?3 月 22 日消息，TechInsights（前 Strategy Analytics）今日發布報告稱，隨著電池電動汽車的發展，汽車半導體的需求激增，寬帶隙技術的使用也有所增加。SiC MOSFET 為動力系統提供了 Si IGBT 和 SiC MOSFET 的替代方案。TechInsights 表示，碳化硅市場收益在 2022 年至 2027 年期間將以 35% 的復合年增長率從 12 億美元（IT之家注：當前約 82.44 億元人民幣）增長到 53 億美元（當前約 364.11
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碳化硅
一直以來，“里程焦慮”、“充電緩慢”都是卡住新能源汽車脖子的關鍵問題，是車企和車主共同的焦慮；但隨著高壓電氣技術的不斷進步和快充時代的到來，將SiC(碳化硅）一詞推向了市場的風口浪尖。繼2019年4月保時捷Taycan Turbo S 全球首發三年后，800V高壓超充終于開始了普及。相比于400V，800V帶來了更高的功效，大幅提升功率，實現了15分鐘的快充補能。而構建800V超充平臺的靈魂就是材料的革新，基于碳化硅的新型控制器，便引領著這一輪高壓技術的革命。小鵬發布的800V高壓SiC平臺Si（硅）早已
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領先于智能電源和智能感知技術的安森美（onsemi）近日宣布與寶馬集團（BMW）簽署長期供貨協議（LTSA），將安森美的EliteSiC技術用于這家德國高端汽車制造商的400?V直流母線電動動力傳動系統。安森美最新的EliteSiC 750 V M3芯片被集成到一個全橋功率模塊中，可提供幾百千瓦的功率。兩家公司的戰略合作針對電動動力傳動系統的開發和整合，使安森美能為特定應用提供差異化的芯片方案，包括優化尺寸和布局以及高性能和可靠性。優化的電氣和機械特性實現高效率和更低的整體損耗，同時提供極高的系
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3 月 3 日消息，美國電動汽車制造商特斯拉在首次投資者日活動上表示，計劃減少下一代電動汽車動力系統中碳化硅晶體管的使用量，當地時間周四相關芯片制造商的股價紛紛下跌。本周三舉行的特斯拉投資者日活動討論的一個主要內容是效率提升和成本控制。特斯拉動力系統工程負責人科林?坎貝爾（Colin Campbell）登臺展示了公司計劃如何在保持高性能和轉化效率的同時降低汽車動力系統的成本。坎貝爾透露，“在我們的下一代動力系統中，作為關鍵部件的碳化硅晶體管價格昂貴，但我們找到了一種方法，可以在不影響汽車性能或效率的情況下
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在相當長的一段時間內，硅一直是世界各地電力電子轉換器所用器件的首選半導體材料，但 1891 年碳化硅 (SiC) 的出現帶來了一種替代材料，它能減輕對硅的依賴。SiC 是寬禁帶 (WBG) 半導體：將電子激發到導帶所需的能量更高，并且這種寬禁帶具備優于標準硅基器件的多種優勢。由于漏電流更小且帶隙更大，器件可以在更寬的溫度范圍內工作，而不會發生故障或降低效率。它還具有化學惰性，所有這些優點進一步鞏固了 SiC 在電力電子領域的重要性，并促成了它的快速普及。SiC 功率器件目前已廣泛用于眾多應用，例如電源、純
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日前，英飛凌科技繼續擴大了與碳化硅（SiC）供應商的合作。英飛凌是一家總部位于德國的半導體制造商，此次與Resonac Corporation（原昭和電工）簽署了全新的多年期供應和合作協議。早在2021年，雙方就曾簽署合作協議，此次的合作是在該基礎上的進一步豐富和擴展，將深化雙方在SiC材料領域的長期合作伙伴關系。協議顯示，英飛凌未來十年用于生產SiC半導體的SiC材料中，約占兩位數份額將由Resonac供給。前期，Resonac將主要供應6英寸SiC材料，協議后期則會助力英飛凌向8英寸晶圓的過渡。合作過
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英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）持續擴大與碳化硅（SiC）供應商的合作。英飛凌是一家總部位于德國的半導體制造商，此次與Resonac Corporation（原昭和電工）簽署了全新的多年期供應和合作協議。早在2021年，雙方就曾簽署合作協議，此次的合作是在該基礎上的進一步豐富和擴展，將深化雙方在SiC材料領域的長期合作伙伴關系。協議顯示，英飛凌未來十年用于生產SiC半導體的SiC材料中，約占兩位數份額將由Resonac供給。前期，Resonac將主要供應6英寸SiC
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Diodes 公司?(Diodes)近日宣布推出首款碳化硅?(SiC) 蕭特基勢壘二極管?(SBD)。產品組合包含?DIODES DSCxxA065系列，共有十一項?650V 額定電壓?(4A、6A、8A 和?10A) 的產品，以及?DIODES DSCxx120系列，共有八款?1200V 額定電壓?(2A、5A 和?10A) 產品。這些寬帶隙?SBD 的優點包括可大幅提高效率和高溫可靠
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●? ?Wolfspeed 將與采埃孚在德國建立聯合研發中心，旨在進一步提升在全球碳化硅系統和器件創新領域的領先地位。●? ?采埃孚將向 Wolfspeed 投資，以支持全球最先進、最大的碳化硅器件工廠的建設。全球碳化硅（SiC）技術引領者 Wolfspeed, Inc.和與致力于打造下一代出行的全球性技術公司采埃孚集團宣布建立戰略合作伙伴關系。這其中包括建立一座聯合創新實驗室，共同推動碳化硅系統和器件技術在出行、工業和能源應用領域的進步。此次合作還包括采埃孚將向
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碳化硅介紹
碳化硅（SiC）為由硅與碳相鍵結而成的陶瓷狀化合物，碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。
制造
由于天然含量甚少，碳化硅主要多為人造。最簡單的方法是將氧化硅砂與碳置入艾其遜電弧爐中，以1600至2500°C高溫加熱。
發現
愛德華·古德里希·艾其遜在1893年制造出此化合物，并發展了生產碳化硅用之艾其遜電弧爐，至今此技術仍為眾人使用中。
性質
碳化硅至少有70種 [
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