- 22納米制程微顯影曝光設備業者Mapper傳出設備進度遞延，Mapper目前是與臺積電在新世代半導體曝光設備合作最密切的業者之一，Mapper的進度遞延已經讓原本預期進駐臺積電的22納米多重電子束(Multiple E-beam)設備向后延期。臺積電目前積極在深紫外光(EUV)與多重電子束方面尋求更具成本競爭的曝光技術，Mapper技術出現瓶頸，將為臺積電技術進程埋下未知數。
據了解，受到景氣沖擊，投資者資本支出保守，新興設備業者Mapper在22納米制程之后的曝光技術投資也受到影響，因而對于先
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- 羅切斯特大學與柯達公司的研究人員近日宣稱他們研發出了一種新的納米發光晶體材料，這種材料能在吸收能量后持續保持發光狀態，而不是像以前那樣將能量通過發熱方式耗散掉。該材料有望應用于高亮度LED照明，廉價激光器制造等應用場合，還可以被用來開發更薄的電視，顯示器產品。
羅切斯特大學教授Todd Krauss說：“納米晶體從光子吸收能量后，將通過發光或發熱兩種方式來耗散能量。”通過第一種方式耗散能量的晶體類型被稱為非閃爍型納米晶體(non-blinking nanocrystal)
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- 摘要：從原理上分析了納米氣相二氧化硅膠體鉛酸蓄電池的特性，介紹了一種研究成果，應用于鉛蓄電池的硅膠體的制造原理和方法。主要是利用表面化學的基本原理和電化學動力學催化的基本方法，應用納米氣相Si02溶膠的半
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- 在公布最新季度財報的同時，臺積電也第一次公開承認，其40nm制造工藝碰到了一些麻煩。
臺積電在去年底基本準時地上馬了40nm生產線，并在今年第一季度貢獻了大約1%的收入，高于預期水準，預計今年第二季度會達到2%左右。
臺積電CEO蔡力行在回答分析師的提問時說：“良品率是有些問題。對制造商而言40nm是一項非常困難的技術。(不過)我們已經找到了問題的根源，并且已經或正在解決。”
結合此前消息，臺積電40nm工藝可能無法很好地控制漏電率，難以制造高性能GPU芯片，
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- 東芝日前展示了基于32納米制造工藝的單芯片32Gb NAND Flash閃存芯片。首批32Gb芯片將主要被應用于記憶卡和USB存儲設備，未來會擴展到嵌入式產品領域。
隨著越來越多的移動設備在聲音和影像方面的逐步數字化，高容量、更小巧的內存產品在市場上的需求也越來越強勁。
新的芯片產品將在東芝位于日本三重縣四日市的工廠內制造。東芝公司將比原計劃提前2個月，從2009年7月起，大批量生產32Gb NAND Flash閃存芯片。16Gb產品則會從2009財年第三季度(2009年10月到12月)開
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- 韓聯社4月27日電稱，Hynix(海力士)半導體成功研發采用54納米技術的世界最高性能的1Gb移動低電雙倍速率(LPDDR2)動態隨機存儲器(DRAM)產品。Hynix表示，該產品是世界上第一款可以在平均1.2伏的低電壓下實現1066Mbps超高速數據傳輸速度的移動DRAM，在工藝技術、電壓、速度方面具備世界最高性能。
據介紹，該產品可在平均1.2伏、最低1.14伏的低電壓下工作，接近于現有的1.8伏移動DRAM的50%，并且僅為PC DDR2產品的30%。這意味著，1秒內下載5、6部普通長度的
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- 賽普拉斯-SRAM 領域的業界領先公司，日前宣布，該公司在業界率先推出采用 65 納米線寬的 Quad Data Rate™ (QDR™) 和 Double Data Rate (DDR) SRAM 器件樣品。新推出的 72-Mbit QDRII、QDRII+、DDRII 和 DDRII+ 存儲器采用了賽普拉斯合作伙伴制造商 UMC 開發的工藝技術。新型 SRAM 實現了目前市場上最快的 550 MHz時鐘速度，在 36 位 I/O 寬度的 QDRII+ 器件中可實現高達 80
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- 思源科技(SpringSoft)與聯華電子(UMC) 4月28日共同宣布，將提供已通過晶圓專業驗證的LakerTM制程設計套件(PDK)予聯華電子65nm制程技術使用，從而滿足了雙方共同客戶在特殊設計與尖端制程上的需求。
Laker-UMC PDK能支持聯華電子的65nm CMOS(互補金氧半導體制程)標準邏輯制程及混合模式技術與低介電值絕緣層。聯華電子65奈米標準效能制程能讓設計公司為各種不同的應用產品提供動力，包括消費產品與繪圖芯片。可以執行的技術選項包括混合信號/RFCMOS(射頻互補金氧
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- 東芝昨天宣布，于業界首家開始出貨32nm工藝NAND閃存顆粒。其中，全球首顆32nm工藝32Gb(4GB)NAND單芯片樣品即日起出貨，主流容量16Gb(2GB)顆粒樣品將于今年7月推出。東芝表示，首批32nm NAND閃存將主要用于存儲卡和USB存儲設備，未來會擴展到嵌入式產品領域。
目前，東芝是全球領先的32GB閃存供應商，使用8顆43nm工藝32Gb顆粒堆疊而成。而32nm工藝的應用將進一步提高生產效率，減小芯片體積，適應更高容量，更小巧的掌上產品需求。
東芝的32nm工藝32Gb
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- Toppan Printing公司在同IBM的合作下，開發出新的光刻掩膜制造技術，可用于制造32nm和28nm掩膜。
該公司稱，這些掩膜在日本Asaka工廠制成，通過了IBM的認證。
Toppan從45nm節點就開始和IBM合作，去年雙方簽署了32nm掩膜技術的最后階段的合作協議，以及22nm掩膜的合作開發協議。
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- 全球電子設計創新領先企業Cadence設計系統公司(Nasdaq: CDNS)與全球最大的專業積體電路制造服務公司-臺灣積體電路制造股份有限公司(TWSE: 2330 , NYSE: TSM) (以下簡稱臺積公司)今日共同宣布推出業界第一款的混合信號/射頻參考設計”錦囊”(MS/RF RDK)。這款錦囊采用Cadence? Virtuoso?混合信號技術研發完成，可提供矽芯片特性行為模型(silicon-characterized behavioral mode
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- 全球硅IP龍頭安謀(ARM)宣布與臺積電40納米泛用型制程合作實體IP。未來將鎖定磁碟機、機上盒、行動運算裝置、網絡應用、高傳真電視和繪圖處理器等芯片市場提供臺積電制程、安謀IP庫的制造服務。
安謀表示，與臺積電40納米泛用型制程合作的技術平臺包括高效能和高密度標準元件庫(Standard Cell libraries)、電源管理工具組和工具組元件庫，可以解決芯片設計所產生的漏電問題，進階電源管理是安謀存儲器架構不可或缺的一部分，有助于大幅降低系統單芯片設計動態功耗與漏電功耗，在多處理器架構下發
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- ARM公司近日宣布，開始向臺積電的40納米G制造工藝提供業界最完善的IP平臺。這一ARM® 最新的、已通過流片驗證的物理IP能夠滿足性能驅動消費產品的高成本效率開發;這些產品要求在不提高功耗的前提下提供先進的功能。這一平臺是為那些期望使用40納米工藝進行設計的開發者設計的，能夠促進更高水平的技術創新，同時保持性能驅動消費產品的功耗水平。這些消費產品包括：磁盤驅動器、機頂盒、移動計算設備、網絡應用、高清電視以及圖形處理器。
通過多通道的邏輯庫，ARM平臺提供了非常高的靈活性。這些庫包括高性
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- 人類一直試圖讓設備自動從周圍環境中獲取能量。早在20世紀初，研究人員就通過不同的途徑研究此類設備。如今，美國佐治亞理工學院教授王中林的研究小組開發出能同時收集太陽能和機械能的復合型納米發電機，并首次實現了能同時收集多種能源的單一集成器件。這一最新的研究成果發表在《美國化學會志》網絡版上。
王中林、王旭東博士和博士生許晨等在他們2006年發明的直流納米發電機的基礎上，集成了染料敏化太陽能電池的功能。兩個發電單元都基于氧化鋅納米陣列，共用同一個金屬電極。此外，通過不同的設計及組裝步驟，太陽能電池
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- 本報訊美國密歇根大學科學家開發出一種由納米級憶阻器構成的芯片，該芯片能存儲1千比特的信息。發表在《納米通訊》上的此項研究成果將有可能改變半導體產業，使成功研制出更小、更快、更低廉的芯片或電腦成為可能。
憶阻器是一種電腦元件，可在一簡單封裝中提供內存與邏輯功能。此前，由于可靠性和重復性問題，所展示的都是只有少數憶阻器的電路，而研究人員此次展示的則是基于硅憶阻系統并能與CMOS兼容的超高密度內存陣列。CMOS指互補金屬氧化物半導體，是一種大規模應用于集成電路芯片制造的原料。
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納米介紹
納米是長度單位，原稱毫微米，就是10^-9米（10億分之一米），即10^-6毫米（100萬分之一毫米）。納米科學與技術，有時簡稱為納米技術，是研究結構尺寸在1至100納米范圍內材料的性質和應用。納米效應就是指納米材料具有傳統材料所不具備的奇異或反常的物理、化學特性，如原本導電的銅到某一納米級界限就不導電，原來絕緣的二氧化硅、晶體等，在某一納米級界限時開始導電。這是由于納米材料具有顆粒尺寸小、比表面 [
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