- 英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用TO-220 FullPAK封裝的第二代SiC(碳化硅)肖特基二極管。新的TO220 FullPak產品系列不僅延續了第二代ThinQ! SiC肖特基二極管的優異電氣性能，而且采用全隔離封裝，無需使用隔離套管和隔離膜，使安裝更加簡易、可靠。
獨具特色的是，新的TO220 FullPAK器件的內部結到散熱器的熱阻與標準非隔離TO-220器件類似。這要歸功于英飛凌已獲得專利的擴散焊接工藝，該技術大大降低了內部芯片到管腳的熱阻，有效地彌補了FullPAK內部隔離層的散
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英飛凌 肖特基二極管 SiC
- 英飛凌科技股份公司近日推出600 V和1200V高速3(第三代)IGBT產品系列。該系列經過優化，適用于高頻和硬開關應用，在降低開關損耗、實現出類拔萃的效率方面，樹立了行業新標桿，并可滿足開關頻率高達100 kHz的應用需求。
近年來，各種產品對分立式IGBT的需求促使設計者尋求具備優化特性的IGBT，比如開關和通態損耗優化，以期充分發揮產品的性能。英飛凌的全新600 V 和1200 V高速3系列IGBT可適用于電焊機、太陽能逆變器、開關電源和不間斷電源(SMPS 和UPS)等高頻應用，幫助最大
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英飛凌 IGBT UPS
- 根據Strategy Analytics公布的最新研究結果，英飛凌科技股份公司成為當今世界頭號汽車電子芯片供應商。這家位于美國的市場研究機構稱，2009年，英飛凌獲得9%的全球市場份額，總銷售額達到13.1億美元。盡管2009年汽車行業遭遇重創，但英飛凌卻進一步鞏固了自己的市場地位。2009年，汽車芯片市場規?？s小21%，從2008的183億美元降至144億美元。
英飛凌公司汽車部總裁Jochen Hanebeck指出:“在行業困難時期，我們憑借廣泛的產品創新占據汽車電子芯片領域第一
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英飛凌 汽車電子
- 據國外媒體報道，《金融時報》德國版(Financial Times Deutschland)周一援引消息人士的話稱，德國芯片制造商英飛凌正在與英特爾進行談判，考慮向后者出售自己的無線芯片業務。
英飛凌無線芯片業務的供貨對象包括了蘋果、諾基亞、三星電子和RIM。英飛凌目前尚不明確剝離無線芯片業務，是否會對自身有一定的意義。截至目前，上述兩家公司均對此未置可否。
一些分析師認為，英特爾收購英飛凌無線芯片業務有一定的意義。不過英飛凌首席執行官彼得•鮑爾(Peter Bauer)在今年3
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英飛凌 無線芯片
- 根據Strategy Analytics公布的最新研究結果，英飛凌科技股份公成為當今世界頭號汽車電子芯片供應商。這家位于美國的市場研究機構稱，2009年，英飛凌獲得9%的全球市場份額，總銷售額達到13.1億美元。盡管2009年汽車行業遭遇重創，但英飛凌卻進一步鞏固了自己的市場地位。2009年，汽車芯片市場規?？s小21%，從2008的183億美元降至144億美元。
英飛凌公司汽車部總裁Jochen Hanebeck指出:“在行業困難時期，我們憑借廣泛的產品創新占據汽車電子芯片領域第一的
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英飛凌 汽車電子
- 英飛凌科技股份公司近日在紐倫堡舉行的2010 PCIM歐洲展會(2010年5月4日至6日)上，推出了專為實現最高功率密度和可靠性而設計的新款IGBT模塊：采用PrimePACK 3封裝、電壓為1700 V、電流為1400 A的PrimePACK模塊，和EconoDUAL系列的最新旗艦產品、電壓為1200V、電流為600 A的EconoDUAL 3。
英飛凌公司副總裁兼工業電源部總經理Martin Hierholzer指出：“通過推出這兩款新產品，英飛凌再次鞏固了其在提供具備最高功率密
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英飛凌 IGBT PrimePACK
- 英飛凌科技股份公司與三菱電機公司同意簽署一份服務協議，針對全球工業運動控制與驅動市場，提供采用SmartPACK和SmartPIM封裝的先進的IGBT模塊。利用英飛凌新近開發的這種革命性封裝概念，兩大領導廠商將會采用最新功率芯片推出新一代模塊產品。
根據協議規定，三菱電機將新一代功率芯片，應用與英飛凌Smart1、Smart2和Smart3封裝中，推出的具備不同額定電流和電壓(電流范圍：15A 至150A，電壓等級：600V和1200V)的產品。作為SmartPACK/PIM全新模塊概念的創造者
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英飛凌 IGBT
- 英飛凌科技股份公司近日推出適用于高壓功率MOSFET的全新無管腳SMD封裝ThinPAK 8x8。新封裝的占板空間僅為64平方毫米(D2PAK的占板空間為150平方毫米)，高度僅為1毫米(D2PAK的高度為4.4毫米)。大幅縮小的封裝尺寸結合低寄生電感，使設計者能以全新方式有效降低高功率密度應用所需的系統解決方案尺寸。
全新封裝采用表面貼裝方式，在8x8毫米的無管腳封裝內，貼裝業界標準TO-220晶粒，并具備金屬裸焊盤，便于內部高效散熱。其低矮外形便于設計者設計出更薄的電源外殼，滿足當今市場對時
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英飛凌 MOSFET SMD ThinPAK
- 英飛凌科技股份公司近日公布2010財年(截至2010年3月31日)第二季度的財務結果。
英飛凌第二季度的營收為10.35億歐元，相對于第一季度大幅提高10%，同比提高55%。各業務部的合并財務結果1為1.1億歐元，較上一季度增長25%。凈收入為7,900萬歐元，而上一季度的凈收入為6,600萬歐元。
2010財年第三季度，英飛凌預計公司銷售額的增長百分比將會達到較高的個位數，相對于第二季度，各業務部的合并利益率將提高兩至四個百分點。
2010財年，英飛凌調整了對本年度的展望，因為20
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英飛凌 芯片
- 英飛凌科技股份公司在紐倫堡舉行的2010 PCIM歐洲展會(2010年5月4日至6日)上，推出創新的IGBT內部封裝技術。該技術可大幅延長IGBT模塊的使用壽命。全新的.XT技術可優化IGBT模塊內部所有連接的使用壽命。依靠這些全新的封裝技術，英飛凌可滿足具備更高功率循環的新興應用的需求，并為提高功率密度和實現更高工作結溫鋪平道路。
英飛凌副總裁兼工業電源部總經理Martin Hierholzer指出：“通過推出全新的.XT技術，英飛凌再次鞏固了自己在IGBT模塊設計和制造領域的技術
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英飛凌 IGBT 封裝
- 英飛凌科技股份公司與三菱電機公司同意簽署一份服務協議，針對全球工業運動控制與驅動市場，提供采用SmartPACK和SmartPIM封裝的先進的IGBT模塊。利用英飛凌新近開發的這種革命性封裝概念，兩大領導廠商將會采用最新功率芯片推出新一代模塊產品。
根據協議規定，三菱電機將新一代功率芯片，應用與英飛凌Smart1、Smart2和Smart3封裝中，推出的具備不同額定電流和電壓(電流范圍：15A 至150A，電壓等級：600V和1200V)的產品。作為SmartPACK/PIM全新模塊概念的創造者
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英飛凌 IGBT SmartPACK SmartPIM
- 據國外媒體報道，歐洲第二大芯片制造商英飛凌(Infineon Technologies AG)近日公布的財報顯示，結束于3月份的本財年第二財季凈利潤為7900萬歐元(約合1.042億美元)，去年同期虧損2.39億歐元;第二財季營收為 10億歐元，同比增長55%。
第二財季凈利潤好于分析師預期，營收與分析師預期相當。據彭博社調查的分析師此前曾預計，該公司第二季度經調整凈利潤7130萬歐元。第二財季為英飛凌連續第三季度實現盈利，而在那之前10個季度該公司累計虧損額高達39億歐元。
英飛凌上調了
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英飛凌 MOSFET
- 英飛凌科技股份公司與飛兆半導體公司近日宣布，兩家公司就采用Power Stage 3x3和MLP 3x3 (Power33™)封裝的功率MOSFET達成封裝合作伙伴協議。
兼容協議旨在保證供貨穩定性，同時滿足對同級最佳的DC-DC轉換效率和熱性能的需求。這項協議利用了兩家企業的專業技術，為3A至20A的DC-DC應用提供非對稱MOSFET、雙MOSFET和單MOSFET。
英飛凌低壓MOSFET產品總監兼產品線經理Richard Kuncic表示：“我們的客戶將從功
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英飛凌 MOSFET 飛兆半導體
- 全球領先的高性能功率和移動產品供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司就采用MLP 3x3 (Power33™)和Power Stage 3x3封裝的功率MOSFET達成封裝合作伙伴協議。
兼容協議旨在保證供貨穩定性，同時滿足對同級最佳的DC-DC轉換效率和熱性能的需求。這項協議利用了兩家企業的專業技術，為3A至20A的DC-DC應用提供非對稱、單一n溝道MOSFET。
飛兆半
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英飛凌 MOSFET DC-DC
- 英飛凌科技股份公司近日宣布公司2009/10財年(截止到2010年9月30日)第二季度業績和營收優于預期水平，并且前景看好。
2009/10財年第二季度，英飛凌預計公司營收額將環比增長約10%。與此同時，英飛凌還預計，在剛結束的這個季度，公司分部利潤率有望達到10%以上。
在本財年第三季度，英飛凌預計公司營收將取得持續增長，而分部業績將實現大幅攀升。
英飛凌有望上調2009/10全年預期。公司將于4月28日公布第二季度財務數據時提供相關細節。
英飛凌科技股份公司首席執行官Pet
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英飛凌 無線
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