2025年 10 月 23 日，愛達荷州博伊西市 — 在當今時代，人工智能（AI）實現了前所未有的創新和發展，整個數據中心生態系統正在向更節能的基礎設施轉型，以支持可持續增長。隨著內存在 AI 系統中逐漸發揮越來越重要的作用，低功耗內存解決方案已成為這一轉型的核心。美光科技股份有限公司（納斯達克股票代碼：MU）近日宣布其 192GB SOCAMM2（small outline compression attached memory modules，小型壓縮附加內存模塊）已正式送樣，以積極拓展低功耗內存在
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美光 SOCAMM2 DRAM
在人工智能（AI）熱潮帶動下，全球存儲器市場迎來三年來最強勁的復蘇，第四季DRAM報價漲幅可望擴大至三成以上。 財信傳媒董事長謝金河指出，韓國SK海力士憑借高帶寬記憶體（HBM）技術脫穎而出，從過去的DRAM老三躍升為全球第一，今年股價狂飆近500%，且海力士專注于高階制程，不僅拉高產品附加價值，也導致DDR4與DDR5大缺貨，同時帶旺整個存儲器產業。謝金河在臉書發文指出，韓國是今年全亞洲表現最亮眼的股市，尤其自總統李在明上任后，韓股從2284.71點一路漲到3617.86點，漲幅高達58.35%。 這波
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DRAM SK海力士
DRAM缺貨潮加速顯現，在中國十一長假期間，存儲器市場詢單備貨的動能不增反減，短期內現貨價格持續飆升。近一周來，DDR4 DRAM漲幅已逾1成，DDR5 16Gb也調漲約8%。 盡管終端消費市場需求平淡，但各家存儲器模組廠觀察到市場價格漲勢兇猛，包括臺系業者的威剛、十銓、宇瞻等先后均「蓋牌」暫停報價，等待長假結束后更明確的漲價行情。 據悉，此波暫停報價儼然已形成了連鎖效應，威剛率先從上周實施暫停報價，以缺貨最為嚴重的DDR4、DDR5為主，而NAND Flash、固態硬盤（SSD）等產品仍維持繼
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內存模組 DRAM
據悉，三星電子和海力士半導體（現SK海力士）前高管崔振錫因向中國泄露三星電子自主研發的投資4萬億韓元的DRAM工藝技術而被起訴，在接受一審期間被保釋。首爾中央地方法院刑事24庭（主審法官李英善，高級法官）15日批準崔某保釋。崔于去年9月因違反《防止泄露和保護工業技術法》等罪名被捕起訴，并于今年3月被額外起訴。根據《刑事訴訟法》，一審拘留期為六個月。法院在拘留期屆滿前依職權準予保釋。此外，據報道，與崔一起被捕并被起訴的前三星電子高級研究員吳氏已于 8 月 28 日被保釋。吳某于同月21日申請保釋，法院受理。
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DRAM 三星 海力士
各大存儲器企業正專注于1c DRAM量產的新投資和轉換投資。主要內存公司正在加快對 1c（第 6 代 10nm 級）DRAM 的投資。三星電子從今年上半年開始建設量產線，據報道，SK海力士正在討論其近期轉型投資的具體計劃。美光本月還獲得了日本政府的補貼，用于其新的 1c DRAM 設施。1c DRAM是各大內存公司計劃在今年下半年量產的下一代DRAM。三星電子已決定在其 HBM1（第 4 代高帶寬內存）中主動采用 6c DRAM。SK海力士和美光計劃在包括服務器在內的通用DRAM中使用1c DRAM。三星
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存儲器 1c DRAM AI HBM 三星 SK海力士 美光
存儲巨頭們正準備在 AI 熱潮引發的短缺背景下再次提價。在三星和美光之后，SK 海力士——雖然尚未正式宣布——據 SeDaily 和 Business Korea 報道，正與客戶協商根據市場條件調整價格。在三大巨頭中，美光是第一個宣布提價的，據 EE Times China9 月 12 日報道，美光最初已通知渠道合作伙伴，DRAM 的價格將上漲 20%-30%，提價不僅涉及消費級和工業級存儲，還包括汽車電子，后者的價格漲幅可能達到 70%。行業消息來源還表
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DRAM NAND 三星 AI 海力士
全球存儲器市場在生成式AI與大型云端服務商（CSP）急單帶動下，正式進入新一輪長線上行。 隨著業界開始惜售，業者預期，10月DDR4與DDR5合約價及現貨價，皆將出現雙位數漲幅。產業界大老指出，這一波內存行情漲得又快又急，可望一路延續到2026年底。根據業界對10月漲幅最新預估，DDR5合約價將上漲10~15%，現貨價漲15~25%; DDR4合約價將上漲逾10%，現貨價漲幅則超過15%，隨著市場供貨趨緊，現貨價漲幅還有進一步拉升的可能。業者分析，此波漲幅的原因有二：一是AI應用與儲存需求強勁，推升NAN
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存儲器 DRAM
隨著 ChatGPT 等人工智能應用的爆發式增長，全球對算力的需求正以指數級態勢攀升。然而，人工智能的發展不僅依賴于性能強勁的計算芯片，更離不開高性能內存的協同配合。傳統內存已難以滿足 AI 芯片對數據傳輸速度的要求，而高帶寬內存（HBM）憑借創新的堆疊設計，成功攻克了帶寬瓶頸、功耗過高以及容量限制這三大關鍵難題，為 AI 應用的高效運行提供了重要支撐。但如今，傳統 HBM 已經受限，3D DRAM 能夠提供更高帶寬。同時還能進一步優化功耗表現，全球的存儲廠商也普遍將 3D
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3D DRAM
據TrendForce集邦咨詢數據顯示，2025年第二季度，全球DRAM產業營收達到316.3億美元，相比第一季度增長了17.1%。這一增長主要得益于一般型DRAM（Conventional DRAM）合約價的上漲以及出貨量的顯著提升，同時HBM出貨規模的擴大也起到了推動作用。集邦咨詢分析稱，PC OEM、智能手機以及CSP廠商的采購需求逐步回升，推動DRAM原廠加速去庫存化，多數產品的合約價已止跌回升。在廠商排名方面，SK海力士、三星和美光繼續穩居前三。三星在第二季度的表現相對平穩，其售價和位元出貨量均
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DRAM SK海力士
根據 ZDNet 的報道，韓國可能在 DRAM 和 NAND 閃存等記憶產品領域領先，但它仍然嚴重依賴日本的關鍵材料。該報告援引消息人士的話警告說，除非本地化進程更快地推進，否則這種依賴可能會成為韓國在人工智能和 HBM 競賽中的結構性風險。報告指出，在 SK 海力士的 HBM 價值鏈中，超細 TSV（硅通孔）堆疊結構依賴于由日本公司主要壟斷的關鍵材料和設備。報告強調，用于 HBM 堆疊的底部填充劑——幾乎完全由日本的 NAMICS 提供。由于替代方案有限，本地化進展緩慢。此外，SK
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內存 NAND DRAM
在AI需求爆發與高價值產品滲透的雙重推動下，2025年第二季度全球DRAM市場實現量價齊升。根據CFMS最新數據，二季度市場規模環比增長20%至321.01億美元，同比增長37%，創歷史季度新高。頭部廠商中，SK海力士憑借HBM3E及高容量DDR5的先發優勢，二季度DRAM銷售收入達122.71億美元，環比增長25.1%，市場份額提升至38.2%，連續第二個季度穩居全球第一，并進一步拉開與三星的差距?！?三星以107.58億美元收入位列第二，環比增長13%，市場份額33.5%；· 美光科技收入70.71億
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DRAM SK海力士 三星 美光 HBM
SK海力士公司今天宣布，在日本京都舉行的20251年IEEE VLSI研討會上，該公司提出了未來30年的DRAM新技術路線圖和可持續創新的方向。SK海力士首席技術官（CTO）車善勇于6月10日發表了題為“推動DRAM技術創新：邁向可持續未來”的全體會議。首席技術官 Cha 在演講中解釋說，通過當前的技術平臺擴展來提高性能和容量變得越來越困難?！盀榱丝朔@些限制，SK海力士將在結構、材料和組件方面進行創新，將4F2 VG（垂直門）平臺和3D DRAM技術應用于10納米級或以下的技術。4F2 VG平臺是下一代
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SK海力士 IEEE VLSI 2025 DRAM
目前，在自動駕駛、智能家居系統和工業控制等領域，對邊緣智能硬件的需求日益增加，以在本地處理傳感器和智能設備生成的實時環境數據，從而最小化決策延遲。能夠精確模擬各種生物神經元行為的神經形態硬件有望推動超低功耗邊緣智能的發展?，F有研究已探索具有突觸可塑性（即通過自適應變化來增強或減弱突觸連接）的硬件，但要完全模擬學習和記憶過程，多種可塑性機制——包括內在可塑性——必須協同工作。為解決這一問題，由復旦大學微電子學院包文忠教授、集成電路與微納電子創新學院周鵬教授以及香港理工大學蔡陽教授領銜的聯合研究團隊提出了一種
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DRAM 閃存 半導體
三星電子因與英偉達的 HBM3E 驗證問題而面臨困境，據韓國媒體 outlets sedaily 和 The Hankyoreh 報道，該公司在其 8 月 14 日發布的半年度報告中稱，其 DRAM 市場份額按價值計算在 2025 年上半年降至 32.7%，較去年的 41.5%下降了 8.8 個百分點。值得注意的是，《韓民族日報》報道，三星的 DRAM 市場份額首次跌破 40%，自 2014 年以來，2025 年上半年降至 32.7%，而 2016 年曾達到 48%
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三星 DRAM 存儲
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