14nm ehv finfet 文章 最新資訊
FinFET改變戰(zhàn)局 臺(tái)積將組大聯(lián)盟抗三星/Intel
- 晶圓代工廠邁入高投資與技術(shù)門檻的鰭式場效電晶體(FinFET)制程世代后，與整合元件制造商(IDM)的競爭將更為激烈，因此臺(tái)積電正積極籌組大聯(lián)盟(Grand Alliance)，串連矽智財(cái)(IP)、半導(dǎo)體設(shè)備/材料，以及電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)供應(yīng)商等合作夥伴的力量，強(qiáng)化在FinFET市場的競爭力。 臺(tái)積電董事長暨總執(zhí)行長張忠謀提到，今年臺(tái)積電雖屢創(chuàng)季營收新高，但第四季因客戶調(diào)整庫存可能出現(xiàn)微幅下滑的情形。 臺(tái)積電董事長暨總執(zhí)行長張忠謀表示，臺(tái)積電在20奈米(nm)市場仍未看到具威脅性的對(duì)
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電 FinFET
IC業(yè)十大“芯”結(jié)求解：產(chǎn)業(yè)生態(tài)難成氣候?
- “萬物并作，吾以觀復(fù)?！比缤匀唤缟鷳B(tài)要和諧共處才能生生不息一樣，半導(dǎo)體業(yè)的生態(tài)系統(tǒng)更是“俱榮俱損”的關(guān)系，當(dāng)半導(dǎo)體業(yè)步入多元且全面的商業(yè)競爭時(shí)代，競爭已不局限于單純的產(chǎn)品和技術(shù)，而在于誰能構(gòu)建完整的產(chǎn)業(yè)生態(tài)系統(tǒng)。設(shè)備和材料在半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)中扮演“左右護(hù)法”的角色：全球每年在半導(dǎo)體業(yè)的投資約500億~600億美元，其中有70%是用來購買設(shè)備，因?yàn)楣に嚨倪M(jìn)步全要仰仗設(shè)備業(yè)的進(jìn)步。半導(dǎo)體材料的質(zhì)量和供應(yīng)則直接影響著IC的質(zhì)量和競爭力，
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體材料 14nm
英特爾：14nm開發(fā)順利并將提前投產(chǎn)
- 據(jù)外電報(bào)道，英特爾方面日前明確表示，在今年年底將正式投產(chǎn)14nm工藝，但此次的產(chǎn)品發(fā)布會(huì)和以往有所區(qū)別。 英特爾CEO科再奇已經(jīng)表示：“半導(dǎo)體工藝上的投資和技術(shù)優(yōu)勢(shì)為英特爾保證行業(yè)領(lǐng)先提供了基礎(chǔ)。22nm工藝的缺陷率、產(chǎn)出時(shí)間達(dá)到了歷時(shí)最低水平，在這種情況下，英特爾將在今年年底按期投產(chǎn)14nm?！? 這實(shí)際上和之前的路線圖有所出入，按照之前的計(jì)劃，英特爾不會(huì)在2014年內(nèi)推出14nmBroadwell處理器，因?yàn)樵?014年，英特爾本來安排了HaswellRefres
- 關(guān)鍵字： 英特爾 14nm
英特爾：14nm開發(fā)順利并將提前投產(chǎn)
- 據(jù)外電報(bào)道，英特爾方面日前明確表示，在今年年底將正式投產(chǎn)14nm工藝，但此次的產(chǎn)品發(fā)布會(huì)和以往有所區(qū)別。 英特爾CEO科再奇已經(jīng)表示：“半導(dǎo)體工藝上的投資和技術(shù)優(yōu)勢(shì)為英特爾保證行業(yè)領(lǐng)先提供了基礎(chǔ)。22nm工藝的缺陷率、產(chǎn)出時(shí)間達(dá)到了歷時(shí)最低水平，在這種情況下，英特爾將在今年年底按期投產(chǎn)14nm?！? 這實(shí)際上和之前的路線圖有所出入，按照之前的計(jì)劃，英特爾不會(huì)在2014年內(nèi)推出14nm Broadwell處理器，因?yàn)樵?014年，英特爾本來安排了Haswell Refr
- 關(guān)鍵字： 英特爾 14nm
蘋果回頭找三星代工A9處理器？
- 根據(jù)《韓國經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》(KoreaEconomicDaily)報(bào)導(dǎo)，蘋果公司(AppleInc.)與三星電子(SamsungElectronics)日前簽署一項(xiàng)代工協(xié)議，雙方將再續(xù)前緣──三星將為蘋果未來的iPhone手機(jī)與iPad平板電腦產(chǎn)品打造14nmA9處理器。 在該報(bào)導(dǎo)中，根據(jù)雙方的協(xié)議，三星將從2015年開始，以FinFET制程技術(shù)為蘋果生產(chǎn)14nmA9處理器。A9處理器將用于蘋果下一代iPhone7智慧型手機(jī)。 蘋果從幾年前開始自行設(shè)計(jì)自家智慧型手機(jī)與平板電腦專用的處理器后，就一
- 關(guān)鍵字： 蘋果 14nm A9處理器
Intel 14nm平臺(tái)爆發(fā)：DDR4、PCI-E 4.0、SATA-E
- PCGH今天曝光了一份Intel Xeon、Xeon Phi的規(guī)劃路線圖。雖是服務(wù)器和高性能計(jì)算領(lǐng)域的，但也能反映出桌面平臺(tái)的進(jìn)展。 不過注意，本文中說的Xeon不包括單路型號(hào)，而是雙路型EP、多路型EX，而且Intel的新工藝、新架構(gòu)一般都是先在桌面上使用，一年左右之后進(jìn)入服務(wù)器。 路線圖顯示，Haswell架構(gòu)的Xeon EP/EX將在明年發(fā)布，除了帶來桌面平臺(tái)已有的22nm工藝、AVX2指令集、PCI-E 3.0總線之外，還會(huì)開始支持DDR4，這也將是Intel第一次支持下代內(nèi)存
- 關(guān)鍵字： Intel 14nm
Intel至強(qiáng)線路圖曝光 Skylake將用14nm制程
- 國外媒體最近曝出了一張Intel至強(qiáng)(Xeon)處理器產(chǎn)品發(fā)布線路圖，這張線路圖表明Intel正在籌備Skylake架構(gòu)的芯片產(chǎn)品。Skylake將是目前尚未發(fā)布的Broadwell平臺(tái)的繼任者，這一平臺(tái)預(yù)計(jì)也得幾年之后才會(huì)和用戶見面，搭載最新的技術(shù)是肯定的。 Skylake會(huì)采用14nm制程，當(dāng)和Broadwell算作是Intel首批采用這一制造工藝生產(chǎn)的芯片，而且還會(huì)引入Intel的第九代IntelHDIGP。Skylake將支持DDR4內(nèi)存，不過應(yīng)當(dāng)不是首個(gè)支持DDR4的平臺(tái)，明年的Has
- 關(guān)鍵字： Intel 14nm
Intel Skylake平臺(tái)將采用14nm制程 并支持DDR4/PCIe 4
- 國外媒體最近曝出了一張Intel至強(qiáng)(Xeon)處理器產(chǎn)品發(fā)布線路圖，這張線路圖表明Intel正在籌備Skylake架構(gòu)的芯片產(chǎn)品。Skylake將是目前尚未發(fā)布的Broadwell平臺(tái)的繼任者，這一平臺(tái)預(yù)計(jì)也得幾年之后才會(huì)和用戶見面，搭載最新的技術(shù)是肯定的。 Skylake會(huì)采用14nm制程，當(dāng)和Broadwell算作是Intel首批采用這一制造工藝生產(chǎn)的芯片，而且還會(huì)引入Intel的第九代Intel HD IGP。Skylake將支持DDR4內(nèi)存，不過應(yīng)當(dāng)不是首個(gè)支持DDR4的平臺(tái)，明年
- 關(guān)鍵字： Intel 14nm
聯(lián)電完成14nm制程FinFET結(jié)構(gòu)晶體管芯片流片
- 在Synopsys 的協(xié)助下，臺(tái)灣聯(lián)電(UMC)首款基于14nm制程及FinFET晶體管技術(shù)的測試用芯片日前完成了流片。聯(lián)電公司早前曾宣布明年下半年有意啟動(dòng)14nm制程FinFET產(chǎn)品的制造，而這次這款測試芯片完成流片設(shè)計(jì)則顯然向?qū)崿F(xiàn)這一目標(biāo)又邁進(jìn)了一步，當(dāng)然流片完成之后還需要對(duì)過程工藝等等項(xiàng)目進(jìn)行完善和改進(jìn)，還有大量工作要做。 ? 近年來，在臺(tái)積電，Globalfoundries，三星等老牌代工商的沖擊下，聯(lián)電在代工行業(yè)的排名一再下跌，更何況Intel也開始染指代工市場
- 關(guān)鍵字： 聯(lián)電 14nm
聯(lián)電攜手新思 14nm設(shè)計(jì)定案采用Galaxy平臺(tái)
- 聯(lián)電(2303-TW)(UMC-US)與新思科技(Synopsys)(SNPS-US)共同宣布，兩家公司的合作已獲得成果，采用新思科技DesignWare邏輯庫的IP組合，和Galaxy實(shí)作平臺(tái)的一部分寄生StarRC萃取方案，成功完成聯(lián)電第一個(gè)14奈米FinFET制程驗(yàn)證工具的設(shè)計(jì)定案。 在雙方持續(xù)進(jìn)展中的合作關(guān)系上，采用新思科技DesignWare矽智財(cái)解決方案來認(rèn)證聯(lián)電14奈米FinFET制程，可視為是雙方此次合作的第一座里程碑。 聯(lián)電表示，這次合作的第一個(gè)里程碑，可加速聯(lián)電14奈米
- 關(guān)鍵字： 聯(lián)電 14nm
我國移動(dòng)芯片產(chǎn)業(yè)加速發(fā)展
- 隨著移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)在全球的普及，移動(dòng)智能終端正在快速蠶食傳統(tǒng)PC的市場空間。在終端芯片領(lǐng)域，移動(dòng)芯片的市場占有率卻在不斷提升，逐漸成為芯片產(chǎn)業(yè)的“明星”和領(lǐng)跑者。值得一提的是，在移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)發(fā)展的新浪潮中，我國的移動(dòng)芯片產(chǎn)業(yè)正在崛起，逐漸在全球芯片市場中占據(jù)一席之地，這不僅促進(jìn)了全球芯片市場的“變局”，更將為我國ICT產(chǎn)業(yè)的未來發(fā)展提供支撐和動(dòng)力。 移動(dòng)芯片是智能終端的硬件平臺(tái)，是其物理能力的基礎(chǔ)。在我國智能終端市場上爆發(fā)的激烈“核&rdqu
- 關(guān)鍵字： 移動(dòng)芯片 14nm
14nm ehv finfet介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條14nm ehv finfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)14nm ehv finfet的理解，并與今后在此搜索14nm ehv finfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)14nm ehv finfet的理解，并與今后在此搜索14nm ehv finfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
14nm ehv finfet專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473