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14nm ehv finfet
14nm ehv finfet 文章 最新資訊
FinFET并非半導(dǎo)體演進(jìn)最佳選項(xiàng)
- 在歷史上，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的成長(zhǎng)仰賴制程節(jié)點(diǎn)每一次微縮所帶來(lái)的電晶體成本下降;但下一代晶片恐怕不會(huì)再伴隨著成本下降，這將會(huì)是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)近20~30年來(lái)面臨的最嚴(yán)重挑戰(zhàn)。 具體來(lái)說(shuō)，新一代的20奈米塊狀高介電金屬閘極(bulk high-K metal gate，HKMG) CMOS制程，與16/14奈米 FinFET 將催生更小的電晶體，不過(guò)每個(gè)邏輯閘的成本也將高出目前的28奈米塊狀HKMG CMOS制程。此成本問(wèn)題部分源自于在新制程節(jié)點(diǎn)，難以維持高參數(shù)良率(parametric yields)以
- 關(guān)鍵字： FinFET 半導(dǎo)體
Cadence物理驗(yàn)證系統(tǒng)通過(guò)FinFET制程認(rèn)證
- 重點(diǎn)： ·?認(rèn)證確保精確性方面不受影響，并包含用于65納米至14納米FinFET制程的物理驗(yàn)證簽收的先進(jìn)技術(shù) ·?雙方共同的客戶可通過(guò)它與Cadence?Virtuoso及Encounter平臺(tái)的無(wú)縫集成進(jìn)行版圖設(shè)計(jì)和驗(yàn)證版圖 全球電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新領(lǐng)先企業(yè)Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司今天宣布Cadence??Physical?Verification?System?(PVS)通過(guò)了GLOBALFOUNDRIES的認(rèn)證，可用于65納米
- 關(guān)鍵字： Cadence FinFET Virtuoso Encounte
下一代晶體管技術(shù)何去何從
- 大量的金錢和精力都花在探索FinFET工藝，它會(huì)持續(xù)多久和為什么要替代他們? 在近期內(nèi)，從先進(jìn)的芯片工藝路線圖中看已經(jīng)相當(dāng)清楚。芯片會(huì)基于今天的FinFET工藝技術(shù)或者另一種FD SOI工藝的平面技術(shù)，有望可縮小到10nm節(jié)點(diǎn)。但是到7nm及以下時(shí)，目前的CMOS工藝路線圖已經(jīng)不十分清晰。 半導(dǎo)體業(yè)已經(jīng)探索了一些下一代晶體管技術(shù)的候選者。例如在7nm時(shí)，采用高遷移率的FinFET，及用III-V族元素作溝道材料來(lái)提高電荷的遷移率。然后，到5nm時(shí)，可能會(huì)有兩種技術(shù)，其中一種是環(huán)柵F
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SoC系統(tǒng)開(kāi)發(fā)：FinFET在系統(tǒng)級(jí)意味著什么
- 大家都在談?wù)揊inFET——可以說(shuō)，這是MOSFET自1960年商用化以來(lái)晶體管最大的變革。幾乎每個(gè)人——除了仍然熱心于全耗盡絕緣體硅薄膜(FDSOI)的人，都認(rèn)為20nm節(jié)點(diǎn)以后，F(xiàn)inFET將成為SoC的未來(lái)。但是對(duì)于要使用這些SoC的系統(tǒng)開(kāi)發(fā)人員而言，其未來(lái)會(huì)怎樣呢? 回答這一問(wèn)題最好的方法應(yīng)該是說(shuō)清楚FinFET對(duì)于模擬和數(shù)字電路設(shè)計(jì)人員以及SoC設(shè)計(jì)人員究竟意味著什么。從這些信息中，我們可以推斷出FinFET在系統(tǒng)級(jí)意味著什么。
- 關(guān)鍵字： SoC FinFET
Synopsys力挺臺(tái)積電16納米FinFET
- 全球IC矽智財(cái)供應(yīng)商新思科技(Synopsys)力挺臺(tái)積電的16納米FinFET(鰭式場(chǎng)效晶體管)，全力協(xié)助臺(tái)積電加入導(dǎo)入這項(xiàng)新制程量產(chǎn)行列。 新思科技是「臺(tái)積電大同盟」成員之一，昨天也宣布獲臺(tái)積電頒發(fā)開(kāi)放創(chuàng)創(chuàng)新平臺(tái)(OIP)「2013年度最佳伙伴獎(jiǎng)」，以表彰對(duì)臺(tái)積電先進(jìn)制程的貢獻(xiàn)。 臺(tái)積電16納米FinFET制程，是對(duì)抗英特爾及三星等勁敵的重要技術(shù)，臺(tái)積電將以大同盟的陣營(yíng)，聯(lián)合IP、自動(dòng)化工具、設(shè)備及芯片設(shè)計(jì)業(yè)的力量應(yīng)戰(zhàn)。臺(tái)積電16納米預(yù)定明年第4季試產(chǎn)，2015年第1季量產(chǎn)。
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14nm時(shí)代中國(guó)IC設(shè)計(jì)無(wú)Foundry可用？
- 2013年中國(guó)IC行業(yè)在資本運(yùn)作層面出現(xiàn)了一個(gè)小高潮：9月底瀾起科技在美國(guó)Nasdaq成功上市，成為過(guò)去10年在美國(guó)上市的第4家中國(guó) 集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)，也是近3年來(lái)在美國(guó)上市的唯一的中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)。在此之前，同方國(guó)芯以定向增發(fā)的方式實(shí)現(xiàn)了對(duì)深圳國(guó)微電子的合并;紫光集團(tuán)斥資17.8億美元收購(gòu)了展訊通信，創(chuàng)造了中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)業(yè)最大的資本并購(gòu)案，展現(xiàn)出資本市場(chǎng)對(duì)集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)的高度興趣。除此之外，在技術(shù)研發(fā)、新品發(fā)布、專利權(quán)交易諸多層面，中國(guó)集成電路均表現(xiàn)出了相當(dāng)?shù)幕钴S度。相比之下，20
- 關(guān)鍵字： 14nm Foundry
14nm時(shí)代 中國(guó)IC設(shè)計(jì)需創(chuàng)新思路
- 2013年中國(guó)IC行業(yè)在資本運(yùn)作層面出現(xiàn)了一個(gè)小高潮：9月底瀾起科技在美國(guó)Nasdaq成功上市，成為過(guò)去10年在美國(guó)上市的第4家中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)，也是近3年來(lái)在美國(guó)上市的唯一的中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)。在此之前，同方國(guó)芯以定向增發(fā)的方式實(shí)現(xiàn)了對(duì)深圳國(guó)微電子的合并;紫光集團(tuán)斥資17.8億美元收購(gòu)了展訊通信，創(chuàng)造了中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)業(yè)最大的資本并購(gòu)案，展現(xiàn)出資本市場(chǎng)對(duì)集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)的高度興趣。除此之外，在技術(shù)研發(fā)、新品發(fā)布、專利權(quán)交易諸多層面，中國(guó)集成電路均表現(xiàn)出了相當(dāng)?shù)幕钴S度。相比之下，2013年全球半
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先進(jìn)制程競(jìng)賽Xilinx首重整合價(jià)值
- 由于ASIC的研發(fā)成本居高不下，加上近來(lái)FPGA不斷整合更多的功能，同時(shí)也突破了過(guò)往功耗過(guò)高的問(wèn)題，尤其當(dāng)進(jìn)入28奈米制程之后，其性價(jià)比開(kāi)始逼近ASSP與ASIC，促使FPGA開(kāi)始取代部分ASIC市場(chǎng)，應(yīng)用范圍也逐步擴(kuò)張。 附圖: Xilinx揭露未來(lái)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)狀況。 資料來(lái)源：Xilinx 掌握這樣的趨勢(shì)，讓FPGA大廠Xilinx在28奈米的產(chǎn)品營(yíng)收持續(xù)成長(zhǎng)。 Xilinx企業(yè)策略與行銷資深副總裁Steve Glaser指出，預(yù)估今年在28奈米產(chǎn)品線將會(huì)有1億美元的營(yíng)收，市占率高
- 關(guān)鍵字： Xilinx FinFET
新開(kāi)發(fā)FinFET整合III-V族與矽材料
- 比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)宣稱開(kāi)發(fā)出全球首款在300mm晶圓上整合III-V族與矽晶材料的3DFinFET化合物半導(dǎo)體。IMEC的新制程目標(biāo)是希望能持續(xù)微縮CMOS至7nm及其以下，以及實(shí)現(xiàn)混合CMOS-RF與CMOS光電元件的化合物。 隨著晶片微縮即將接近原子級(jí)的限制，業(yè)界致力于提高晶片性能與降低功耗的各種方法逐漸面臨瓶頸。透過(guò)為矽晶整合更高性能的材料，例如可提供更高載子速度與更高驅(qū)動(dòng)電流的III-V族電晶體通道，這種新的化合物半導(dǎo)體可望超越矽晶本身性能，持續(xù)微縮至更制程。
- 關(guān)鍵字： FinFET 矽材料
創(chuàng)新時(shí)代 中國(guó)IC設(shè)計(jì)需創(chuàng)新思路
- 2013年中國(guó)IC行業(yè)在資本運(yùn)作層面出現(xiàn)了一個(gè)小高潮：9月底瀾起科技在美國(guó)Nasdaq成功上市，成為過(guò)去10年在美國(guó)上市的第4家中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)，也是近3年來(lái)在美國(guó)上市的唯一的中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)。在此之前，同方國(guó)芯以定向增發(fā)的方式實(shí)現(xiàn)了對(duì)深圳國(guó)微電子的合并;紫光集團(tuán)斥資17.8億美元收購(gòu)了展訊通信，創(chuàng)造了中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)業(yè)最大的資本并購(gòu)案，展現(xiàn)出資本市場(chǎng)對(duì)集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)的高度興趣。除此之外，在技術(shù)研發(fā)、新品發(fā)布、專利權(quán)交易諸多層面，中國(guó)集成電路均表現(xiàn)出了相當(dāng)?shù)幕钴S度。相比之下，2013年全球半
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16/14nm半導(dǎo)體工藝將在三年后全面興起
- 無(wú)論是Intel、三星電子，還是臺(tái)積電、GlobalFoundries，2014年都會(huì)加大投入，合計(jì)增加約20%，而各家關(guān)注的重點(diǎn)當(dāng)然是新的半導(dǎo)體工藝：16/14nm。 Intel過(guò)去三年的資本支出一直沒(méi)有低于100億美元，明年也不會(huì)降低。14nm工藝原本計(jì)劃在2013年底投入量產(chǎn)，不過(guò)因?yàn)橐恍╄Υ猛七t到了2014年第一季度，但即便這樣也依然在業(yè)內(nèi)處于領(lǐng)先地位。 三星最近三年在系統(tǒng)芯片方面的資本支出也有193億美元之多，其中今年約為50億美元，預(yù)計(jì)明年會(huì)迎來(lái)一個(gè)爆發(fā)，有望沖到100億美元，
- 關(guān)鍵字： 14nm 半導(dǎo)體
力拼臺(tái)積電？傳三星14nm AP年底送樣 跳過(guò)20nm
- SamMobile、Android Community 14日引述南韓媒體DDaily報(bào)導(dǎo)，為了和臺(tái)積電(2330)在晶圓代工領(lǐng)域一較高下，最新消息顯示三星電子(Samsung Electronics Co.)可能會(huì)跳過(guò)20奈米制程技術(shù)，直接從當(dāng)前的28奈米制程一口氣轉(zhuǎn)進(jìn)14奈米FinFET制程，并將技術(shù)導(dǎo)入Galaxy S5內(nèi)建的行動(dòng)處理器。 根據(jù)報(bào)導(dǎo)，三星被市場(chǎng)通稱為「Galaxy S5」的次世代旗艦智慧型手機(jī)可能會(huì)搭載采用14奈米制程技術(shù)的64位元行動(dòng)應(yīng)用處理器(AP)「Exynos 6
- 關(guān)鍵字： 三星 14nm
14nm ehv finfet介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條14nm ehv finfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)14nm ehv finfet的理解，并與今后在此搜索14nm ehv finfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)14nm ehv finfet的理解，并與今后在此搜索14nm ehv finfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
14nm ehv finfet專欄文章
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