新思科技(Synopsys)近日宣布其 Galaxy Design Platform 已支援全球九成的 FinFET 晶片設計量產投片(production tapeout)，目前已有超過20家業界領導廠商運用這個平臺
關鍵字：
Synopsys FinFET
之前根據一份泄露的英特爾產品路線圖顯示，超頻友好的14nm桌面Broadwell CPU年中到來，現在我們知道這些信息是真實的。在舊金山游戲開發者大會上，消
關鍵字：
14nm Broadwell CPU
隨著半導體工藝技術的進步與智能手機對極致效能的需求加劇，移動處理器的工藝制程正在邁向新的高度。目前，全球領先的晶圓代工廠商已經將工藝制程邁向10納米FinFET工藝，16/14納米節點的SoC也已實現量產，那么半導體技術節點以摩爾定律的速度高速發展至今，移動處理器的工藝制程向前演進又存在哪些挑戰?同時，進入20納米技術節點之后傳統的CMOS工藝式微，這將給FinFET與FD-SOI工藝在技術與應用上帶來怎樣的發展變革?
5納米節點是目前技術極限 摩爾定律被修正意義仍在
關鍵字：
處理器 FinFET
臺積電7月14日首度揭露最先進的5納米FinFET(鰭式場效電晶體)技術藍圖。臺積電規劃，5納米FinFET于2020年到位，開始對外提供代工服務，是全球首家揭露5納米代工時程的晶圓代工廠。
臺積電透露，配合客戶明年導入10納米制程量產，臺積電明年也將推出第二代后段整合型扇形封裝(InFO)服務。臺積電強化InFO布局，是否會威脅日月光、矽品等專業封測廠，業界關注。
臺積電在晶圓代工領域技術領先，是公司維持高獲利的最大動能，昨天的新聞發布會上，先進制程布局，成為法人另一個關注焦點。
關鍵字：
臺積電 FinFET
10nm新工藝難產，Intel不得不臨時增加了第三代的14nm工藝平臺Kaby Lake，但即便如此進展也不快，Intel甚至將其描述為“2017年平臺”。
關鍵字：
Intel 14nm
產業資深顧問Handel Jones認為，半導體業者應該盡速轉移14奈米FD-SOI (depleted silicon-on-insulator)制程，利用該技術的眾多優勢…
半 導體與電子產業正努力適應制程節點微縮至28奈米以下之后的閘成本(gate cost)上揚;如下圖所示，在制程微縮同時，每單位面積的邏輯閘或電晶體數量持續增加，其速率高于晶圓片成本增加的速率。在另一方面，當制程特征尺寸縮 減時，晶片系統性與參數性良率會降低，帶來較高的閘成本。
關鍵字：
FD-SOI 14nm
ARM今日發布了首款采用臺積電公司(TSMC)10納米FinFET工藝技術的多核 64位 ARM?v8-A 處理器測試芯片。仿真基準檢驗結果顯示，相較于目前常用于多款頂尖智能手機計算芯片的16納米FinFET+工藝技術，此測試芯片展現更佳運算能力與功耗表現。 此款測試芯片的成功驗證(設計定案完成于2015 年第四季度)是ARM 與臺積電持續成功合作的重要里程碑。該驗證完備的設計方案包含了IP、EDA工具、設計流程及方法，能夠使新客戶采用臺積電最先進的
關鍵字：
ARM FinFET
據中新網、網易等報道，當地時間2016年5月19日，美國總統奧巴馬在白宮為2015年度美國最高科技獎項獲得者頒獎，包括9名國家科學獎獲得者和8名國家技術和創新獎獲得者。其中兩張華裔面孔格外引人注意，包括80歲高齡的何南施女士(Nancy ho)，出生于南京，1957年畢業于臺灣大學。
她1993年制造出一種酵母，除了讓木糖發酵，也可以吧果糖變成乙醇，因此能夠利用稻草之類的非食用材料大量制造乙醇，幫助減少對進口石油的依賴。
另一位是胡正明教授，他1947年出生于北京豆芽菜胡同，在臺灣長大，后
關鍵字：
FinFET
Nvidia和AMD雙方都擁有為數眾多的粉絲,每天在網上相互抨擊的文章和帖子是數不勝數，大家都認為自家購買的顯卡是最好的，而把對方貶的一無是處，顯卡如此，CP黨爭更是如此。
關鍵字：
AMD FinFET
三星電子的晶片部門風光不再，從金雞母淪落至賠錢貨，該部門1日宣稱第三代14奈米FinFET制程的研發工作即將完成，似乎意圖向臺積電(2330)搶單，扭轉頹勢。
韓媒etnews 2日報導，去年三星電子量產第一代14奈米制程，名為LPE(Low Power Early)，外界評測發現能耗表現遜于臺積電16奈米，讓三星顏面盡失。三星隨后研發第二代14奈米制程，名為LPP(Low Power Plus)，宣稱耗電量較前代減少15%，目前三星Galaxy S7搭載的Exynos 8 Octa和高通驍龍8
關鍵字：
三星 14nm
全耗盡型絕緣上覆矽(FD-SOI)制程技術正從原本的“遲到”(too-late)位置搖身一變，成為可望在物聯網(IoT)與汽車市場取代鰭式場效電晶體(FinFET)的理想替代方案了。對于許多人來說，業界主導廠商代表出席一場相關領域的業界活動，象征著為這項技術背書。
“我認為，FD-SOI正蓄勢待發。也許還得經過幾年的時間，但它終將獲得新的動能，并發展成為一項關鍵技術，”International Business Strategies (IBS)創
關鍵字：
FD-SOI FinFET
身為一位記者，我發現撰寫有關于“熱門”公司、技術與人物的報導，要比我通常負責的技術主題容易得多;一旦我寫了那些“時髦”的標題，我會確實感受到人氣飆漲。
因 為幾乎每家媒體都窮追不舍，我不需要向讀者解釋為何我要寫那些，以及那些新聞為何對他們重要;我馬上想到的是美國總統候選人川普(Donald Trump)、蘋果(Apple)還有FinFET。而相反的，要寫冷門題材、比較少人討論的話題，挑戰性就高得多;部分讀者會有先入為主的看法，認為那 些題目不關他們
關鍵字：
FD-SOI FinFET
巨額資金進行追趕國際水平，但是不是追趕先進技術加上巨額投資就一定能帶來成效？
關鍵字：
中芯國際 14nm
本文介紹了Soitec半導體公司的全耗盡絕緣硅(FD-SOI)的特點、最新進展及其生態系統，并將FD-SOI與FinFET作比較，分析了各自的優勢、應用領域和應用前景。
關鍵字：
FD-SOI FinFET 制造 201604
ARM和臺積電宣布簽訂針對7納米 FinFET工藝技術的長期戰略合作協議，涵蓋了未來低功耗，高性能計算SoC的設計方案。該合作協議進一步擴展了雙方的長期合作關系，并將領先的工藝技術從移動手機延伸至下一代網絡和數據中心。此外，該協議還拓展了此前基于ARM? Artisan? 基礎物理IP 的16納米和10納米 FinFET工藝技術合作。 ARM全球執行副總裁兼產品事業群總裁
關鍵字：
ARM FinFET
14nm ehv finfet介紹
您好，目前還沒有人創建詞條14nm ehv finfet!
歡迎您創建該詞條，闡述對14nm ehv finfet的理解，并與今后在此搜索14nm ehv finfet的朋友們分享。
創建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473