- 隨著集成電路工藝制程技術的不斷發展，為了提高集成電路的集成度，同時提升器件的工作速度和降低它的功耗，MOS器件的特征尺寸不斷縮小，MOS器件面臨一系列的挑戰。
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MOS FinFET
- 在這樣一個對數字電路處理有利的世界中，模擬技術更多地用來處理對它們不利的過程。但這個現象可能正在改變。 我們生活在一個模擬世界中，但數字技術已經成為主流技術。混合信號解決方案過去包含大量模擬數據，只需要少量的數字信號處理，這種方案已經遷移到系統應用中，在系統中第一次產生了模數轉換過程。 模擬技術衰落有幾個原因，其中一些是建立在自身缺陷上的。摩爾定律適用于數字電路而不是模擬電路;晶體管可以而且必須做得更小，這有利于數字電路。但這對模擬晶體管的影響并不大，反而器件尺寸越小，模擬器件特性往往越差。器件的
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摩爾定律 FinFET
- 中國正在大力推動半導體產業發展，作為高新科技核心的半導體技術實在太重要了，不僅僅是帶來幾萬億GDP，而且事關國家安全——在這點上，不僅中國政府這么認為，美國政府也多次表態半導體技術事關美國國家安全，美國不能放松。對國內公司來說，發展半導體技術面臨的困難不只有人才、資金、技術等，還有美國的技術封鎖，限制了中國公司獲得國際先進技術的可能性。這事也說過很多次了，那么美國在半導體技術上到底有什么限制呢?現在來看美國不禁止14nm制造工藝進入中國，但是X86芯片設計等關鍵技術不能離開美國
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14nm X86
- 格芯今日宣布推出其具有7納米領先性能的(7LP)FinFET半導體技術，其40%的跨越式性能提升將滿足諸如高端移動處理器、云服務器和網絡基礎設施等應用的需求。設計套件現已就緒，基于7LP技術的第一批客戶產品預計于2018年上半年推出，并將于2018年下半年實現量產。 2016年9月，格芯曾宣布將充分利用其在高性能芯片制造中無可比擬的技術積淀，來研發自己7納米FinFET技術的計劃。由于晶體管和工藝水平的進一步改進，7LP技術的表現遠優于最初的性能目標。與先前基于14納米FinFET技術的產品相比，預
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格芯 FinFET
- 英特爾近兩年的擠牙膏策略給了很多競爭對手反擊的機會，比如AMD的Ryzen，再比如微軟攜手高通推驍龍835平臺的Windows 10筆記本。
從表面上看英特爾最近的確盡顯頹勢，但這僅限Intel品牌的X86處理器領域。實際上，最近兩年英特爾在其他領域還是收獲頗豐的。
先來看看對英特爾而言的一個最大利好消息吧。
我們都知道，蘋果從iPhone 7開始，同時采購高通和英特爾兩家生產的基帶芯片，目的是給高通壓力，少收點專利費，賣得再便宜點。沒想到高通油鹽不進，最近還和蘋果鬧上了公堂，為
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英特爾 14nm
- 大家都在談論FinFETmdash;mdash;可以說，這是MOSFET自1960年商用化以來晶體管最大的變革。幾乎每個人mdash;mdash;除了仍然熱心于全耗盡絕緣體硅薄膜（FDSOI）的人，都認為20 nm節點以后，FinFET將成為SoC的未來。但是對于要使用這些SoC的系統開發人員而言，其未來會怎樣呢？
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SoC Synopsys FinFET
- 由于低溫沉積、薄膜純度以及絕佳覆蓋率等固有優點，ALD（原子層淀積）技術早從21世紀初即開始應用于半導體加工制造。DRAM電容的高k介電質沉積率先采用此技術，但近來ALD在其它半導體工藝領域也已發展出愈來愈廣泛的應用。
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ALD 半導體制造 FinFET PVD CVD
- 隨著高級工藝的演進，電路設計團隊在最先進的晶片上系統內加載更多功能和性能的能力日益增強。與此同時，他們同樣面臨許多新的設計挑戰。多重圖案拆分給設計實施過程帶來了許多重大布局限制，另外為降低功耗和提高性能而引入 FinFET 晶體管使之更加復雜，因為它對擺設和布線流程帶來了更多的限制。下面就隨模擬電子小編一起來了解一下相關內容吧。
FinFET布局和布線要經受各種挑戰
隨著高級工藝的演進，電路設計團隊在最先進的晶片上系統內加載更多功能和性能的能力日益增強。與此同時，他們同樣面臨許多新的設
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FinFET
- 英特爾(Intel)宣布將在2017年底之前啟動全新22納米鰭式場效電晶體(FinFET)制程22 FFL，相關開發套件(PDK)在接下來幾個月也將陸續到位，市場上認為22 FFL的推出，顯然是針對GlobalFoundries等業者以全空乏絕緣上覆硅(FD-SOI)為移動裝置及物聯網(IoT)應用所生產之同類芯片而來。
據EE Times Asia報導，英特爾稱自家22 FFL是市場上首款為低功耗IoT應用及移動裝置產品而開發出來的FinFET技術，能打造出高效能及低功耗的電晶體，漏電流(le
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英特爾 FinFET
- 如今，后摩爾定律時代已經來臨，工藝微縮將會面臨更多的挑戰，此時工藝的“驗證能力”在這場戰爭中已是不可或缺的武器，如何精準地在幾個納米的差距中找到差異，絕對是致勝關鍵;面對更小更困難的工藝，材料分析的技術扮演著至關重要的角色，未來將跟隨半導體工藝微縮的腳步，一起見證下一個世代的來臨。
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英特爾 14nm
- 繼網羅到蔣尚義這位臺灣半導體大將后，大陸半導體產業又有新動作。據報道，傳大陸行業領頭羊中芯國際要將梁孟松收入麾下，梁孟松或于 5 月出任中芯國際 CTO 或 COO。和蔣尚義一樣，梁孟松同樣來自臺積電技術研發高層，他曾任臺積電資深研發處長。
之前蔣尚義加入中芯時，已經是半導體行業的一枚重磅炸彈了，畢竟無論是從他 40 多年的行業經驗還是在臺積電的任職時間來看，他都堪稱元老。在臺積電，蔣尚義參與主導了從0.25微米、0.18微米直至16納米制程技術的研發，張忠謀曾感激他為“臺積電16年
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中芯國際 FinFET
- IDM(集成器件制造商)指Intel、IBM、三星這種擁有自己的晶圓廠，集芯片設計、制造、封裝、測試、投向消費者市場五個環節的廠商，一般還擁有下游整機生產。
Fabless(無廠半導體公司)則是指有能力設計芯片架構，但本身無廠，需要找代工廠代為生產的廠商，知名的有ARM、NVIDIA、高通、蘋果和華為。
Foundry(代工廠)則指臺積電和GlobalFoundries，擁有工藝技術代工生產別家設計的芯片的廠商。我們常見到三星有自己研發的獵戶座芯片，同時也會代工蘋果A系列和高通驍龍的芯片系
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14nm 10nm
- 潘文淵文教基金會日前舉行“潘文淵獎”頒獎典禮，2016年的得獎人是加州大學柏克萊分校講座教授胡正明，他曾回臺擔任臺積電首任技術長，也是工研院院士，他所研發的3D鰭式晶體管(FinFET)突破物理極限，堪稱半導體工業40多年來的最大變革。
胡正明目前仍深耕學術教育，為產學研界培育眾多優秀人才。 在頒獎典禮中，胡正明與清華大學前校長劉炯朗以“創新人才培育─邁向科技新世代”為題進行高峰論壇，兩人提出許多深具啟發性的見解。
肯定自己 解決問題就是創新
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FinFET
- 近日格羅方德12英寸晶圓廠落戶中國成都引起業界關注，為何?因為FD-SOI技術。
眾所周知，當柵極長度逼近20nm大關時，對電流控制能力急劇下降，漏電率相應提高。FinFET與FD-SOI恰是半導體微縮時代續命的高招。
盡管FinFET與FD-SOI師出同門，但是，兩者卻被“陣營化”，FinFET陣營占據絕對優勢。格羅方德是為數不多的FD-SOI技術堅守與推動者了。FD-SOI能是否叫板FinFET?希望格羅方德12英寸晶圓廠能給出答案。
今天我們就來談談Fi
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FinFET FD-SOI
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