14nm ehv finfet 文章 最新資訊
三星侵犯大學(xué)專利，賠償金或高達(dá)4億美元
- 近日，德克薩斯州聯(lián)邦陪審團(tuán)作出一項(xiàng)裁決：三星電子因侵犯韓國技術(shù)學(xué)院一項(xiàng)專利技術(shù)，需向后者支付賠償金或?qū)⒏哌_(dá)4億美元。 據(jù)了解，韓國技術(shù)學(xué)院曾向法院提起訴訟，指控三星電子侵犯了其鰭片晶體管技術(shù)(FinFET)制程工藝相關(guān)的專利技術(shù)。然而三星向陪審團(tuán)表示，它與韓國技術(shù)學(xué)院合作開發(fā)了這項(xiàng)技術(shù)，并否認(rèn)侵犯了相關(guān)專利技術(shù)。三星還對這項(xiàng)專利的有效性提出了質(zhì)疑。就在三星對此不屑一顧時，其對手英特爾公司開始向這項(xiàng)技術(shù)的發(fā)明者取得許可授權(quán)，圍繞三星是否侵權(quán)的力量博弈發(fā)生了改變，三星才開始重視這個事件的嚴(yán)重性。 據(jù)悉
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胡正明：技術(shù)創(chuàng)新可能讓半導(dǎo)體晶體管密度再增加1000倍
- “半導(dǎo)體市場正在經(jīng)歷由技術(shù)推動到需求推動的轉(zhuǎn)變。而半導(dǎo)體技術(shù)上的創(chuàng)新，可能讓半導(dǎo)體晶體管密度再增加1000倍，仍有巨大空間。”近日，美國加州大學(xué)伯克利分校教授、國際微電子學(xué)家胡正明在接受集微網(wǎng)采訪時表示。 自1965年摩爾定律提出以來，歷經(jīng)半個多世紀(jì)的發(fā)展，如今越來越遭遇挑戰(zhàn)，特別是新世紀(jì)以來，每隔十年，摩爾定律以及半導(dǎo)體的微型化似乎便會遭遇到可能終止的危機(jī)。 胡正明發(fā)明了鰭型晶體管(FinFET)以及「全耗盡型絕緣層上硅晶體管」(FD-SOI)，兩大革命性創(chuàng)新為半導(dǎo)體帶來新契機(jī)。 2011年5月
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中芯國際發(fā)布第一季度財(cái)報，14nm將騰飛！
- 日前，中芯國際發(fā)布了今年一季度的財(cái)報。值得一提的是，公司的電源、圖像傳感器和閃存業(yè)務(wù)銷售額同比增長超過30%，去年下半年投產(chǎn)的28nm HKC也有了巨大的改善，提高了公司業(yè)內(nèi)的競爭力。 展望2018年第二季度，預(yù)計(jì)中芯國際的營收將環(huán)比將上升7%至9%，28nm poly-sion和HKMG產(chǎn)能利用率將達(dá)到100%。 公司正處于轉(zhuǎn)型期，面臨各種挑戰(zhàn) 芯電易從中芯國際聯(lián)席CEO趙海軍那里了解到，公司正處于轉(zhuǎn)型階段，面臨著各種挑戰(zhàn)，但是近期的努力收獲了良好的成果，公司整體運(yùn)營情況優(yōu)于預(yù)期，
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摩根士丹利：七個利好加持，明年中芯國際表現(xiàn)更優(yōu)
- 近日摩根士丹利(大摩)發(fā)布了對中芯國際的研究報告，并將中芯股票評級定為看好，直到價格上修至13.5港幣。預(yù)計(jì)中芯的布局重點(diǎn)將包括:持續(xù)追趕先進(jìn)工藝、實(shí)施差異化策略、啟動產(chǎn)能擴(kuò)張、跨界整合后段封測等。大摩看好中芯未來一年發(fā)展基于如下7個因素的考慮： 1.未來增長基于目前的資本/研發(fā)支出：中芯國際表示，其未來戰(zhàn)略是在投資和盈利能力之間取得平衡。大摩認(rèn)為這可能是一個極具挑戰(zhàn)的任務(wù)。但是如果中芯放慢研發(fā)速度，未來就可能錯失成為領(lǐng)先代工廠的機(jī)會。因此，盡管今年中芯的產(chǎn)能利用率較低，但其并沒有削減研發(fā)經(jīng)費(fèi)。
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北方華創(chuàng)有望搶占14nm工藝設(shè)備市場，6款12吋設(shè)備進(jìn)入客戶端
- 據(jù)SEMI China預(yù)計(jì)，2017 年全球半導(dǎo)體設(shè)備規(guī)模增長19.8%達(dá)494 億美元，首次超過2000 年的477 億美元，并預(yù)測2018 年增長至532億美元，屆時中國半導(dǎo)體設(shè)備有望以110 億美元銷售額躍居第二，占據(jù)全球61.4%市場份額，形成以韓國、臺灣、中國為主的競爭格局，國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備呈現(xiàn)加速替代的趨勢。而作為國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備的龍頭企業(yè)之一，北方華創(chuàng)正受益于國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢快速發(fā)展。 近日，北方華創(chuàng)接受逾20家機(jī)構(gòu)投資者調(diào)研時表示，集成電路制造產(chǎn)線的投入主要由擴(kuò)產(chǎn)規(guī)模決定，以12吋
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格芯技術(shù)大會攜最新技術(shù)突出中國市場重要地位
- 近日，格芯2017技術(shù)大會（GLOBALFOUNDRIES Technology Conference或GTC）于上海舉行，格芯盛邀數(shù)百位半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者、客戶、研究專家與核心媒體齊聚一堂，并精心為與會者準(zhǔn)備了公司的核心業(yè)務(wù)、市場推進(jìn)方向與創(chuàng)新成果，以及包括制程工藝、設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)、IP、射頻以及生態(tài)圈的發(fā)展等方面的最新進(jìn)展，共同聚焦格芯面向5G互聯(lián)時代的技術(shù)解決方案。作為格芯的年度技術(shù)盛會，本次大會格芯分享的技術(shù)主題十分廣泛，包括FDX?設(shè)計(jì)和生態(tài)系統(tǒng)、IoT，5G/網(wǎng)絡(luò)和汽車解決方案智能應(yīng)用，F(xiàn)DX?、Fi
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詳解先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝之FinFET
- 詳解先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝之FinFET-FinFET稱為鰭式場效晶體管（FinField-EffectTransistor;FinFET）是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體（CMOS）晶體管。
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三星推11納米FinFET，宣布7nm將全面導(dǎo)入EUV
- 隨著臺積電宣布全世界第一個 3 奈米制程的建廠計(jì)劃落腳臺灣南科之后，10 奈米以下個位數(shù)制程技術(shù)的競爭就正式進(jìn)入白熱化的階段。 臺積電的對手三星 29 日也宣布，將開始導(dǎo)入 11 奈米的 FinFET，預(yù)計(jì)在 2018 年正式投產(chǎn)之外，也宣布將在新一代的 7 奈米制程上全面采用 EUV 極紫外線光刻設(shè)備。 根據(jù)三星表示，11 奈米 FinFET 制程技術(shù)「11LPP (Low Power Plus)」是現(xiàn)今 14 奈米和 10 奈米制程的融合，一方面采用 10 奈米制程 BEOL (后端制程)，
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FD SOI生態(tài)持續(xù)完善，與FinFET分庭抗禮局勢形成
- FD SOI技術(shù)在物聯(lián)網(wǎng)蓬勃發(fā)展的大環(huán)境下，以其低功耗、集成射頻和存儲、高性能等優(yōu)勢獲得業(yè)界各方重視;在以芯原、Globalfoundries(格芯)、三星等為代表的企業(yè)的推動下，該產(chǎn)業(yè)鏈正逐步得到完善。此外，在中國大力發(fā)展集成電路的當(dāng)口，F(xiàn)D-SOI技術(shù)還給中國企業(yè)帶去更多的發(fā)展空間和機(jī)遇，如何充分利用FD-SOI技術(shù)優(yōu)勢，實(shí)現(xiàn)差異化創(chuàng)新成了眾IC設(shè)計(jì)企業(yè)的探討重點(diǎn)。此外，5G網(wǎng)絡(luò)與物聯(lián)網(wǎng)的不斷進(jìn)化，對RF技術(shù)革新的強(qiáng)烈需求，對RF SOI技術(shù)帶來更廣大的市場前景。 FD SOI生態(tài)系統(tǒng)逐步完
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格芯發(fā)布為IBM系統(tǒng)定制的14納米FinFET技術(shù)
- 格芯(GLOBALFOUNDRIES)正在提供其為IBM的下一代服務(wù)器系統(tǒng)處理器定制的量產(chǎn)14納米高性能(HP)技術(shù)。這項(xiàng)雙方共同開發(fā)的工藝專為IBM提供所需的超高性能和數(shù)據(jù)處理能力，從而在大數(shù)據(jù)和認(rèn)知計(jì)算的時代為IBM的云、商業(yè)和企業(yè)解決方案提供支持。IBM在9月13日宣布推出IBM Z產(chǎn)品。 14HP是業(yè)內(nèi)唯一將三維FinFET晶體管架構(gòu)結(jié)合在SOI襯底上的技術(shù)。該技術(shù)采用了17層金屬層結(jié)構(gòu)，每個芯片上有80多億個晶體管，通過嵌入式動態(tài)隨機(jī)存儲器(DRAM)以及其它創(chuàng)新功能，達(dá)到比前代
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格芯為高性能應(yīng)用推出全新12納米 FinFET技術(shù)
- 格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布計(jì)劃推出全新12納米領(lǐng)先性能(12LP)的FinFET半導(dǎo)體制造工藝。該技術(shù)預(yù)計(jì)將提高當(dāng)前代14納米 FinFET產(chǎn)品的密度和性能，同時滿足從人工智能、虛擬現(xiàn)實(shí)到高端智能手機(jī)、網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施等最具計(jì)算密集型處理需求的應(yīng)用。 這項(xiàng)全新的12LP技術(shù)與當(dāng)前市場上的16 /14納米 FinFET解決方案相比，電路密度提高了15%，性能提升超過10%。這表明12LP完全可與其它晶圓廠的12納米 FinFET產(chǎn)品競爭。這項(xiàng)技術(shù)
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傳梁孟松手下大將已到 中芯國際邁向14nm挺進(jìn)世界前三有望
- 去年年末，半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)極具聲望的前臺積電運(yùn)營長蔣尚義加盟中芯國際，曾掀起業(yè)內(nèi)對于兩岸半導(dǎo)體制造行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及前景的大規(guī)模討論，而隨后傳出助三星趕超臺積電制程進(jìn)度的關(guān)鍵人物梁孟松也將加入中芯國際，將這一討論推向了高潮。今年4月再次傳出梁孟松將就任中芯國際CTO或COO的消息，令中芯和梁孟松再次處于了半導(dǎo)體制造行業(yè)的風(fēng)口浪尖處，由此引發(fā)的一系列關(guān)于中芯國際制程進(jìn)步、大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)前景及半導(dǎo)體制造行業(yè)格局的討論猶言在耳。因此近日來盛傳的梁孟松手下大將已赴中芯國際任職，梁本人8月初開始請長假的消息，再次給近期稍
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