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14nm ehv finfet 文章 最新資訊

三星14nm LPE FinFET電晶體揭密

  •   三星(Samsung)即將量產用于其Exynos 8 SoC的14奈米(nm) Low Power Plus (LPP)制程,這項消息持續引發一些產業媒體的關注。三星第二代14nm LPP制程為目前用于其Exynos 7 SoC與蘋果(Apple) A9 SoC的第一代14nm Low Power Early (LPE)制程提供了進一步的更新。   業界目前共有三座代工廠有能力制造這種鰭式場效電晶體(FinFET):英特爾(Intel)、三星 和臺積電(TSMC)。TechInsights曾經在去年
  • 關鍵字: 三星  FinFET  

5納米制程技術挑戰重重 成本之高超乎想象

  •   半導體業自28納米進步到22/20納米,受193i光刻機所限,必須采用兩次圖形曝光技術(DP)。再進一步發展至16/14納米時,大多采用finFET技術。如今finFET技術也一代一代升級,加上193i的光學技術延伸,采用SADP、SAQP等,所以未來到10納米甚至7納米時,基本上可以使用同樣的設備,似乎己無懸念,只是芯片的制造成本會迅速增加。然而到5納米時肯定是個坎,因為如果EUV不能準備好,就要被迫采用五次圖形曝光技術(FP),這已引起全球業界的關注。   而對于更先進5納米生產線來說,至今業界
  • 關鍵字: 5納米  finFET  

應用材料:2016年晶圓廠設備支出有望擴增

  •         應用材料集團副總裁暨臺灣區總裁余定陸認為,在3D NAND和10奈米技術帶動下,今年晶圓代工資本支出有望回升。  應 用材料集團副總裁暨臺灣區總裁與全球半導體業務服務群跨區域總經理余定陸表示,2015年看到這四年以來晶圓代工的資本支出進入谷底,預估今年投資水位有 望提升,而大部分支出將發生在下半年,其中有五成以上將集中于10奈米技術;對晶圓代工來說,10奈米不同于16奈米,最顯著變化在于鰭式場效電晶體 (FinFET)
  • 關鍵字: 晶圓  FinFET  

三星新一代FinFET制程可望擄獲高通?

  •   一直在先進制程晶圓代工技術領域與臺積電(TSMC)激烈競爭的三星電子(Samsung Electronics),可能以其第二代14奈米FinFET制程劫走所有高通(Qualcomm)的訂單?三星最近宣布推出了采用其14奈米LPP (Low-Power Plus)技術的商業化量產邏輯制程。   香港Maybank Kim Eng分析師Warren Lau表示,高通在兩年前約貢獻所有臺積電訂單的近兩成,到2017年之后會將大多數10/14奈米訂單轉往三星:“三星會是未來高通14奈米晶片與數據
  • 關鍵字: 三星  FinFET  

AMD:14納米FinFET將進入GPU市場 年中進入量產

  •   盡管GPU(繪圖處理器)市場剩下AMD與NVIDIA兩大供應商,但在先進技術的投入上,仍然沒有手軟過。   AMD的GPU主力產品Radeon系列,在去年推出導入HBM(高頻寬記憶體)技術后,引來市場關注。AMD又在今天發布Radeon新一代的產品Polaris架構,采用14奈米FinFET制程,目前已經送樣給主要的OEM客戶,預計在今年年中進入量產時程,該產品適用于筆記型電腦、VR(虛擬實境)與桌上型電腦等領域。   據AMD資深副總裁Raja Koduri公開表示,Polaris架構有別于過往
  • 關鍵字: AMD  FinFET  

Intel 14nm制程技術優于臺積電? LG 自主芯片 Nuclun 2 轉單 Intel

  •   臺灣經濟日報新聞指出,LG 第二款自有處理器產品 Nuclun 2 交由臺積電與 Intel 進行試產,分別以 16nm、14nm 制程技術制作。從實際結果表現來看,Nuclun 2 可能交由Intel負責代工生產,同時將直接整合 Intel XMM 7360 數據芯片。   至于此次轉單理由,業內認為可能因 Intel 14nm 制程技術讓 LG 自主芯片 Nuclun 2 有較高的性能表現,所以交付 Intel 負責代工生產,同時可能直接整合 Intel XMM 7360 數據芯片。   由于
  • 關鍵字: Intel  14nm  

格羅方德終于搞定14nm工藝 生產AMD Zen架構?

  •   因為實力原因,先進工藝一直是AMD心頭最大的痛,當年還能靠自己的工廠拼一拼,現在只能完全看GlobalFoundries、臺積電的臉色行事,被坑也不是一次兩次了,至今還停留在32/28nm時代。   好消息終于傳來:GlobalFoundries(格羅方德)近日宣布,已經成功使用14nm FinFET工藝,生產了下一代AMD芯片的樣品。   但消息還是很模糊,不知道這里所謂的“成功”是個什么意思,猜測可能是有了能正常工作的樣品,從而為量產做好了準備,但這還得看GlobalF
  • 關鍵字: 格羅方德  14nm  

手機鏈考量?技術分水嶺抉擇? 大陸半導體產業發展FD-SOI

  •   DIGITIMES Research觀察,大陸半導體產業近期積極擁抱全空乏絕緣上覆矽(Fully Depleted Silicon-on-Insulator;FD-SOI,有時也稱Ultra-Thin Body;UTB)制程技術,包含拜會關鍵晶圓片底材供應商、簽署相關合作協議、于相關高峰論壇上表態等。大陸選擇FD-SOI路線,而非臺積電(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.;TSMC)、英特爾(Intel)的FinFET(鰭式場效電晶體)路線,估與手
  • 關鍵字: 半導體  FinFET  

臺積電16nm好過三星14nm的真相

  • 最近,關于iPhone6s A9處理器版本的事情的話題很熱,最后都鬧到蘋果不得不出來解釋的地步,先不評判蘋果一再強調的整機綜合續航差2~3%的準確性,但是三星14nm工藝相比臺積電16nm工藝較差已經可以說是板上釘釘的事了。
  • 關鍵字: A9處理器  臺積電  三星  Finfet  

Intel憑何獨步天下!

  • Intel曾經自己高調宣揚過,整個世界也都承認,無與倫比的先進制造工藝是這家芯片巨頭永遠令人眼紅的優勢。14nm工藝雖然從年初拖到了年底,但到時候仍然是這個地球上最先進的。其他半導體企業紛紛減緩腳步或者合縱連橫的同時,Intel仍在堅持獨行,仍在引領世界。
  • 關鍵字: Intel  FinFET  14nm  

“大基金”欲收購格羅方德提早布局14nm 是福是禍難料

  •   據超能網報道,國家集成電路產業投資基金(簡稱大基金)有意收購世界第二大半導體代工廠商GlobalFoundries(全球晶圓又稱格羅方德)。消息稱雖然格羅方德源自美國超微半導體公司(AMD),但目前全球晶圓是阿聯酋主權基金下的產業,“大基金跟他們有的談”。   國際半導體并購潮到來,全球半導體產業優勢資源正向巨擘靠攏!中國集成電路產業的發展雖然在時間上晚于國際半導體產業,但是追趕的腳步絲毫沒有放松。2014年6月24日,國務院正式頒布《國家集成電路產業發展推進綱要》并成立&l
  • 關鍵字: 格羅方德  14nm   

Globalfoundries表示14nm已流片, 良率沒有問題

  •   從AMD分離出來的Globalfoundries(格羅方德,簡稱GF)經常被人說成不靠譜,AMD的CPU、APU多次因GF制程問題一波三折,前幾 天又爆出GF的14nm良率不行,進度延期,以致于AMD的Zen架構可能轉向TSMC的16nm FinFET。面對這樣的“負面新聞”,GF公司辟謠稱他們的第二代14nm LPP已經流片,性能及良率都很好,而該制程的一大客戶就是AMD。   前兩年GF公司放棄了自研的14nm XM制程改為直接授權三星的14nm FinFET制程,GF的
  • 關鍵字: Globalfoundries  14nm  

FinFET 全面攻占 iPhone!五分鐘讓你看懂 FinFET

  • 這一年來半導體最熱門的新聞,大概就屬FinFET了,到底什么是FinFET?它的作用是什么?為什么讓這么多國際大廠趨之若騖呢?   
  • 關鍵字: FinFET  ARM  

FinFET/3D NAND前景亮 推升半導體設備需求

  •   鰭式電晶體(FinFET)與3D NAND有助實現更高運算/儲存效能、低耗電量與低成本,滿足車載裝置、物聯網和穿戴式裝置發展需求,因此半導體設備商應用材料(Applied Materials)看好FinFET與3D NAND飛躍增長的潛力,已研發相關的蝕刻機臺和磊晶技術。   應用材料副總裁兼臺灣區總裁余定陸指出,隨著先進制程發展,該公司產品開發有兩大重點方向,一是電晶體與導線技術,另一個是圖形制作與檢測技術。   應用材料副總裁兼臺灣區總裁余定陸表示,從28奈米到20奈米,甚至發展至16/14奈
  • 關鍵字: FinFET  3D NAND  

老杳:良率太差三星14nm再被臺積電反超

  • 在晶圓代工界,臺積電好像一直沒有沒有將三星視為競爭對手,在梁孟松加盟三星之后,三星14nm迅速趕超臺積電,于是業內一片唱衰臺積電,不過三星14nm良率太低,臺積電16nm在這個時候迎頭趕上。
  • 關鍵字: 三星  14nm  
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