14nm ehv finfet 文章 最新資訊
里昂喊買臺積電 先進(jìn)技術(shù)2015年量產(chǎn) 目標(biāo)價上看140元
- 里昂證券出具報告表示，看好臺積電(2330-TW)先進(jìn)技術(shù)2015年量產(chǎn)，將可供應(yīng)20奈米設(shè)備和16奈米FinFET制程，預(yù)估其資本支出將再2014年達(dá)到高峰，雖然近期密集產(chǎn)能擴(kuò)張，但2015年將會衰退10%，考量現(xiàn)金流和回報率，給予買進(jìn)，并將目標(biāo)價從126元上調(diào)140元。 FinFET制程部分，里昂證券指出，F(xiàn)inFET技術(shù)是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在解決轉(zhuǎn)進(jìn)20奈米瓶頸的相關(guān)技術(shù)，結(jié)構(gòu)性改變將使封裝具有更好效能和較低耗電量，臺積電預(yù)計在2015年前，積極搶進(jìn)16奈米FinFET晶片制造 里昂證券也指
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ARM：14nm FinFET之路仍有顛簸
- 自從ARM決定從行動裝置跨足到伺服器市場后，無不加快自己在制程技術(shù)上的腳步，好能跟Intel一決高下，不過當(dāng)然還是必須協(xié)同主要合作夥伴(臺積電與三星)的技術(shù)進(jìn)度。對ARM來說，去年年底宣布成功試產(chǎn)(Tape Out)14nm FinFET制程技術(shù)的三星，將是有助于提高自家處理器效能的關(guān)鍵，但目前仍有技術(shù)上的問題必須克服。 日前ARM已正式對外公布2013年Q1財報，營收同樣繼續(xù)維持成長，主要營收的大多比重皆是來自于IP技術(shù)授權(quán)(ARMv8、Mali、big.LITTLE技術(shù))。而低功耗一直以來都
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ARM：14nm FinFET之路仍有顛簸
- 自從ARM決定從行動裝置跨足到伺服器市場后，無不加快自己在制程技術(shù)上的腳步，好能跟Intel一決高下，不過當(dāng)然還是必須協(xié)同主要合作夥伴(臺積電與三星)的技術(shù)進(jìn)度。對ARM來說，去年年底宣布成功試產(chǎn)(TapeOut)14nmFinFET制程技術(shù)的三星，將是有助于提高自家處理器效能的關(guān)鍵，但目前仍有技術(shù)上的問題必須克服。 日前ARM已正式對外公布2013年Q1財報，營收同樣繼續(xù)維持成長，主要營收的大多比重皆是來自于IP技術(shù)授權(quán)(ARMv8、Mali、big.LITTLE技術(shù))。而低功耗一直以來都是A
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ARM：14nm FinFET之路仍有顛簸
- 自從ARM決定從行動裝置跨足到伺服器市場后，無不加快自己在制程技術(shù)上的腳步，好能跟Intel一決高下，不過當(dāng)然還是必須協(xié)同主要合作夥伴(臺積電與三星)的技術(shù)進(jìn)度。對ARM來說，去年年底宣布成功試產(chǎn)(Tape Out)14nm FinFET制程技術(shù)的三星，將是有助于提高自家處理器效能的關(guān)鍵，但目前仍有技術(shù)上的問題必須克服。 日前ARM已正式對外公布2013年Q1財報，營收同樣繼續(xù)維持成長，主要營收的大多比重皆是來自于IP技術(shù)授權(quán)(ARMv8、Mali、big.LITTLE技術(shù))。而低功耗一直以來都
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ARM與臺積電達(dá)成FinFET技術(shù)合作里程碑
- ARM 與晶圓代工大廠臺積電(TSMC)共同宣布，完成首件采用 FinFET 制程技術(shù)生產(chǎn)的 ARM Cortex-A57 處理器產(chǎn)品設(shè)計定案(tape-out)。Cortex-A57 處理器為能進(jìn)一步提升未來行動與企業(yè)運(yùn)算產(chǎn)品的效能，包括高階電腦、平板電腦與伺服器等具備高度運(yùn)算應(yīng)用的產(chǎn)品，此次合作展現(xiàn)了雙方在臺積公司FinFET制程技術(shù)上，共同優(yōu)化64位元ARMv8處理器系列產(chǎn)品所締造的全新里程碑。 藉由 ARM Artisan 實體IP、臺積電記憶體巨集以及開放創(chuàng)新平臺(Open Innov
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采用Intel代工，Altera于14nm先下一城
- 2010年，Intel發(fā)布了其第一代22nm三柵極技術(shù)，這無疑是半導(dǎo)體工藝的一個突破性進(jìn)展。最近，Altera宣布將采用Intel的第二代14 nm三柵極技術(shù)開發(fā)下一代高性能FPGA，同時也將繼續(xù)與TSMC保持長期合作。這一消息也無疑成了最近業(yè)界的重磅話題之一。 為什么采用Intel的14nm三柵極技術(shù)？ Altera公司國際市場部總監(jiān)李儉先生將這個問題拆分為兩個層面，第一個層面是為什么要采用三柵極技術(shù)，第二個層面是為什么要采用Intel的技術(shù)。 三柵極技術(shù)能夠從三方面帶來技術(shù)突破：第一
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Altera副總裁：“14nm工藝FPGA的代工只委托英特爾”
- 美國阿爾特拉(Altera)于2013年2月25日宣布，決定把14nm工藝FPGA的生產(chǎn)委托給美國英特爾(參閱本站報道)。3月1日，阿爾特拉產(chǎn)品和企業(yè)營銷及技術(shù)服務(wù)副總裁Vince Hu在東京通過電話會議系統(tǒng)，向新聞媒體介紹了該制造委托協(xié)議。 Vince Hu說，阿爾特拉之所以選擇英特爾作為14nm工藝代工企業(yè)，是因為英特爾在立體晶體管(FinFET)技術(shù)方面的量產(chǎn)業(yè)績獲得好評。英特爾在業(yè)界率先在22nm工藝上采用了FinFET(該公司稱為Tri-Gate)，阿爾特拉表示，采用該技術(shù)制造的微處理
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2013年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)三大巨頭 14nm提前開戰(zhàn)
- 2013年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)聚焦在三巨頭——臺積電、英特爾與三星的產(chǎn)能與技術(shù)比拚，以及訂單的板塊位移態(tài)勢，三巨頭今年的資本支出規(guī)模都讓市場吃驚，不約而同的維持高資本支出水位，讓原本預(yù)期資本支出將大減的外界皆有跌破眼鏡之感，三巨頭不但要力拚先進(jìn)制程產(chǎn)能的擴(kuò)增，也都展現(xiàn)出欲在20奈米以下制程與18寸晶圓技術(shù)超越對手的企圖心。 臺積電2013年資本支出再度上升至90億美元規(guī)模，而英特爾也逆勢增加至130億美元，三星也并未如外界預(yù)期大砍資本支出規(guī)模，而是宣布2013年資本支出與2012年
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三星與Synopsys合作實現(xiàn)首次14納米FinFET成功流片
- 亮點： 該里程碑有助于加速對FinFET技術(shù)的采用，以實現(xiàn)更快和更高能效的系統(tǒng)級芯片(SoC) 該合作為3D器件建模和物理設(shè)計規(guī)則支持奠定了基礎(chǔ) 測試芯片驗證了FinFET工藝和Synopsys® DesignWare®嵌入式存儲器的成功采用 為芯片和電子系統(tǒng)加速創(chuàng)新提供軟件、知識產(chǎn)權(quán)(IP)及服務(wù)的全球性領(lǐng)先供應(yīng)商新思科技公司(Synopsys, Inc.， 納斯達(dá)克股票市場代碼：SNPS)日前宣布：該公司與三星在FinFET技術(shù)上的多年合作已經(jīng)實現(xiàn)了一個關(guān)鍵
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三星領(lǐng)先臺積 14納米進(jìn)化
- 三星21日宣布成功試產(chǎn)第1顆導(dǎo)入3D 鰭式場效晶體管(FinFET)的14納米測試芯片，進(jìn)度領(lǐng)先臺積電，顯示在蘋果「去三星化」趨勢已定下，三星力拚臺積電的野心只增不減。 韓聯(lián)社報導(dǎo)，三星與安謀(ARM)、益華(Cadence)、明導(dǎo)(Mentor)與新思(Synopsis)共同合作，成功試產(chǎn)出旗下第1顆采用FinFET技術(shù)的14納米測試芯片。 三星系統(tǒng)芯片部門主管表示，14納米FinFET制程技術(shù)可提升電子裝置效能并降低耗電量，進(jìn)一步改善行動環(huán)境，這也是IBM之后，第2家搭載安謀處理器架構(gòu)
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明導(dǎo)支持三星14nm IC制造工藝平臺問世
- 明導(dǎo)公司(Mentor Graphics Corp)今天宣布，用以支持三星14nm IC制造工藝的綜合設(shè)計、制造與后流片實現(xiàn)(post tapeout)平臺問世，這一平臺能夠為客戶提供完整的從設(shè)計到晶圓的并行流程，使早期加工成為可能。完全可互操作的Mentor?流程可幫助客戶實現(xiàn)快速設(shè)計周期和晶圓生產(chǎn)的一次性成功。 明導(dǎo)專門用于三星14nm晶圓優(yōu)化的解決方案，包含設(shè)計規(guī)則檢查(DRC)、LVS查驗、提取、可制造性設(shè)計(DFM)和先進(jìn)填充等功能的Calibre?平臺，以及Tessent?可測試性設(shè)
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ARM推A50系列 手機(jī)進(jìn)入64位時代？
- 智能手機(jī)快速崛起，填補(bǔ)移動設(shè)備空白，有望成為人們?nèi)粘Ｊ褂玫幕旧暇W(wǎng)工具，保證隨時在線互聯(lián)及各種多媒體應(yīng)用，這也使得市場對智能手機(jī)處理器的聯(lián)網(wǎng)、圖形、視頻等性能有了更高的期待。日前，ARM公司宣布推出首款64位ARMv8架構(gòu)的Cortex-A50處理器系列產(chǎn)品，同時宣布AMD、博通、Calxeda、海思、三星和意法半導(dǎo)體已獲得Cortex-A50系列架構(gòu)授權(quán)，首批采用該架構(gòu)的設(shè)備有望于2014年發(fā)貨。對此，有觀點認(rèn)為受益于ARM在智能手機(jī)市場的強(qiáng)勢地位，未來智能手機(jī)將快速進(jìn)入64位時代;但也有觀點認(rèn)為受
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ASM：邁入FinFET將需要全方位ALD方案
- 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在轉(zhuǎn)換到3D結(jié)構(gòu)，進(jìn)而導(dǎo)致關(guān)鍵薄膜層對高速原子層沉積(ALD)的需求日益升高。過去在平面元件中雖可使用幾個 PVD 與 CVD 步驟，但就閘極堆疊的觀點而言，過渡到 FinFET 元件將需要全方位的 ALD 解決方案。 就 FinFET 而言，以其尺寸及控制關(guān)鍵元件參數(shù)對后閘極 (gate last) 處理的需求來說，在 14 奈米制程必需用到全 ALD 層。半導(dǎo)體設(shè)備大廠 ASM International (ASMI) 針對此一趨勢，與《電子工程專輯》談到了ALD 技術(shù)在先進(jìn)半導(dǎo)
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