14nm ehv finfet 文章 最新資訊
FinFET新技術(shù)對(duì)半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)的影響
- FinFET稱為鰭式場(chǎng)效晶體管，由于晶體管的形狀與魚鰭的相似性而得到該命名。這是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體(CMOS)晶體管。FinFET是對(duì)場(chǎng)效晶體管的一項(xiàng)創(chuàng)新設(shè)計(jì)，變革了傳統(tǒng)晶體管結(jié)構(gòu)，其控制電流通過的閘門被設(shè)計(jì)成類似魚鰭的叉狀3D架構(gòu)，將原來的單側(cè)控制電路接通與斷開變革為兩側(cè)。 FinFET這樣創(chuàng)新設(shè)計(jì)的意義，在于改善了電路控制并減少漏電流，縮短了晶體管的閘長，對(duì)于制程流程、設(shè)備、電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化、IP與設(shè)計(jì)方法等產(chǎn)生重要影響與變革。FinFET技術(shù)升溫，使得半導(dǎo)體業(yè)戰(zhàn)火重燃，尤其是以Fi
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FinFET引爆投資熱 半導(dǎo)體業(yè)啟動(dòng)新一輪競(jìng)賽
- 半導(dǎo)體業(yè)界已發(fā)展出運(yùn)用FinFET的半導(dǎo)體制造技術(shù)，對(duì)制程流程、設(shè)備、電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化、IP與設(shè)計(jì)方法產(chǎn)生極大變化。特別是IDM業(yè)者與晶圓代工廠正競(jìng)相加碼研發(fā)以FinFET生產(chǎn)應(yīng)用處理器的技術(shù)，促使市場(chǎng)競(jìng)爭態(tài)勢(shì)急速升溫。 過去數(shù)10年來，互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)平面電晶體一直是電子產(chǎn)品的主要建構(gòu)材料，電晶體幾何結(jié)構(gòu)則一代比一代小，因此能開發(fā)出高效能且更便宜的半導(dǎo)體晶片。 然而，電晶體在空間上的線性微縮已達(dá)極限，電晶體縮小到20奈米(nm)以下，會(huì)降低通道閘極控制效果，造成汲極(Dr
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遠(yuǎn)拋對(duì)手 Intel宣布14nm工藝芯片年底投產(chǎn)
- 雖然Intel的桌面處理器明年不會(huì)升級(jí)到14nm，但是這種新工藝正在緊張有序地鋪開，將首先在筆記本和移動(dòng)領(lǐng)域施展拳腳。 Intel今天確認(rèn)，14nm工藝將在今年底投入批量生產(chǎn)，打頭陣的當(dāng)然是Broadwell。在舊金山會(huì)場(chǎng)上，Intel還拿出了一臺(tái)配備著14nm Broadwell芯片的筆記本，已經(jīng)可以正常運(yùn)行了。 Intel宣稱，Broadwell初期樣品的測(cè)試顯示，它能比Haswell帶來“30%的功耗改進(jìn)”，后期進(jìn)一步完善后還有望更多。 Intel同時(shí)重
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專家聚首談FinFET趨勢(shì)下3D工藝升級(jí)挑戰(zhàn)
- 日前，SeMind舉辦了圓桌論壇，邀請(qǐng)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造的專家齊聚一堂，共同探討未來晶體管、工藝和制造方面的挑戰(zhàn)，專家包括GLOBALFOUNDRIES的高級(jí)技術(shù)架構(gòu)副總裁Kengeri SUBRAMANI ，Soitec公司首席技術(shù)官Carlos Mazure，Intermolecular半導(dǎo)體事業(yè)部高級(jí)副總裁兼總經(jīng)理Raj Jammy以及Lam公司副總裁Girish Dixit。 SMD ：從你們的角度來看，工藝升級(jí)短期內(nèi)的挑戰(zhàn)是什么? Kengeri ：眼下，我們正在談?wù)摰?8nm到2
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爭搶1xnm代工商機(jī) 晶圓廠決戰(zhàn)FinFET制程
- 鰭式電晶體(FinFET)將成晶圓廠新角力戰(zhàn)場(chǎng)。為卡位16/14納米市場(chǎng)商機(jī)，臺(tái)積、聯(lián)電和格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)正傾力投資FinFET技術(shù)，并各自祭出供應(yīng)鏈聯(lián)合作戰(zhàn)策略，預(yù)計(jì)將于2014～2015年陸續(xù)投入量產(chǎn)，讓晶圓代工市場(chǎng)頓時(shí)硝煙彌漫。 FinFET制程將成晶圓廠新的角力戰(zhàn)場(chǎng)。為卡位16/14納米市場(chǎng)商機(jī)，并建立10納米發(fā)展優(yōu)勢(shì)，臺(tái)積電、聯(lián)電和格羅方德正傾力投資FinFET技術(shù)，并已將開戰(zhàn)時(shí)刻設(shè)定于2014?2015年;同時(shí)也各自祭出供應(yīng)鏈聯(lián)合作戰(zhàn)策略，期抗衡英特爾和三星
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半導(dǎo)體搶入16/14nm FinFET制程 業(yè)者掠地
- EDA業(yè)者正大舉在FinFET市場(chǎng)攻城掠地。隨著臺(tái)積電、聯(lián)電和英特爾(Intel)等半導(dǎo)體制造大廠積極投入16/14奈米FinFET制程研發(fā)，EDA工具開發(fā)商也亦步亦趨，并爭相發(fā)布相應(yīng)解決方案，以協(xié)助IC設(shè)計(jì)商克服電晶體結(jié)構(gòu)改變所帶來的新挑戰(zhàn)，卡位先進(jìn)制程市場(chǎng)。 16/14奈米(nm)先進(jìn)制程電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)市場(chǎng)戰(zhàn)火正式點(diǎn)燃。相較起28/20奈米制程，16/14奈米以下制程采用的鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)結(jié)構(gòu)不僅提升晶片設(shè)計(jì)困難度(圖1)，更可能拖累產(chǎn)品出貨時(shí)程，為協(xié)助客戶能突破Fi
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IC業(yè)發(fā)展模式孕育新一輪變革 面臨三大難題
- 半導(dǎo)體業(yè)已經(jīng)邁入14nm制程，2014年開始量產(chǎn)。如果從工藝制程節(jié)點(diǎn)來說，傳統(tǒng)的光學(xué)光刻193nm浸液式采用兩次或者四次圖形曝光(DP)技術(shù)可能達(dá)到10nm，這意味著如果EUV技術(shù)再次推遲應(yīng)用，到2015年制程將暫時(shí)在10nm徘徊。除非等到EUV技術(shù)成熟，制程才能再繼續(xù)縮小下去。依目前的態(tài)勢(shì)，即便EUV成功也頂多還有兩個(gè)臺(tái)階可上，即7nm或者5nm。因?yàn)榘蠢碚摐y(cè)算，在5nm時(shí)可能器件已達(dá)到物理極限。 工藝尺寸縮小僅是手段之一，不是最終目標(biāo)。眾所周知，推動(dòng)市場(chǎng)進(jìn)步的是終端電子產(chǎn)品的市場(chǎng)需求，向著更
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14nm是全球半導(dǎo)體工藝的一個(gè)“坎”？
- 尺寸縮小是推動(dòng)產(chǎn)業(yè)進(jìn)步的“靈舟妙藥”，每兩年尺寸縮小70%的魔咒至此沒有延緩的跡象，2011年是22nm工藝，到2013年工藝應(yīng)該到14nm。眾所周知，尺寸縮小僅是一種手段，如果缺乏尺寸縮小而帶來的紅利，業(yè)界不會(huì)盲目跟進(jìn)。依目前的態(tài)勢(shì)，業(yè)界已然有所爭議，有人認(rèn)為由28nm向22nm過渡時(shí)成本可能反而上升，這或是產(chǎn)業(yè)過渡過程中的正常現(xiàn)象。 全球半導(dǎo)體業(yè)中還能繼續(xù)跟蹤14nm工藝節(jié)點(diǎn)者可能尚余不到10家，包括英特爾、三星、臺(tái)積電、格羅方得、聯(lián)電、東芝、海力士、美光等。顯然在半
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英盛德：FinFET技術(shù)日趨盛行 利益前景可觀
- 英格蘭錫爾--(美國商業(yè)資訊)--世界領(lǐng)先的系統(tǒng)到芯片集成電路設(shè)計(jì)咨詢公司之一的英盛德認(rèn)為，F(xiàn)inFET技術(shù)使用的日趨盛行將為集成電路設(shè)計(jì)商帶來新的挑戰(zhàn)，因?yàn)檫@些設(shè)計(jì)商希望從新構(gòu)架帶來的尺寸優(yōu)勢(shì)中受益。 工程部副總裁Kevin Steptoe解釋說：“最近，在德州召開的設(shè)計(jì)自動(dòng)化大會(huì)(Design Automation Conference)上，展廳中討論FinFET技術(shù)的聲音不絕于耳。同樣，我們發(fā)現(xiàn)我們的客戶——包括消費(fèi)、電腦和圖形行業(yè)領(lǐng)域的最知名企業(yè)&md
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確保與IBM合作有成 聯(lián)電緊握14/10nm主導(dǎo)權(quán)
- 聯(lián)電近期與IBM簽訂合作計(jì)劃，全力沖刺14和10奈米(nm)鰭式電晶體(FinFET)制程量產(chǎn)。不過，聯(lián)電也不忘記取當(dāng)初發(fā)展0.13微米時(shí)，授權(quán)IBM方案卻面臨量產(chǎn)窒礙難行，反遭臺(tái)積電大幅超前進(jìn)度的教訓(xùn);此次在14/10奈米的合作僅將采用IBM基礎(chǔ)技術(shù)平臺(tái)與材料科技，并將主導(dǎo)大部分制程研發(fā)，以結(jié)合先進(jìn)科技和具成本效益的量產(chǎn)技術(shù)，避免重蹈覆轍。 聯(lián)電執(zhí)行長顏博文表示，隨著IC設(shè)計(jì)業(yè)者對(duì)于更新、更先進(jìn)技術(shù)的需求日益增高，聯(lián)電日前已宣布加入IBM 10奈米FinFET互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)
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英盛德：FinFET技術(shù)日盛 前景可觀
- 根據(jù)美國商業(yè)資訊報(bào)導(dǎo)，世界領(lǐng)先的系統(tǒng)到晶片積體電路設(shè)計(jì)顧問公司之一的英盛德(Sondrel)認(rèn)為，F(xiàn)inFET技術(shù)使用的日趨盛行將為積體電路設(shè)計(jì)商帶來新的挑戰(zhàn)，因?yàn)檫@些設(shè)計(jì)商希望從新構(gòu)架帶來的尺寸優(yōu)勢(shì)中受惠。 工程部副總裁Kevin Steptoe解釋說：「最近，在德州召開的設(shè)計(jì)自動(dòng)化大會(huì)(Design Automation Conference)上，展場(chǎng)中討論FinFET技術(shù)的聲音不絕于耳。同樣，我們發(fā)現(xiàn)我們的客戶——包括消費(fèi)、電腦和圖形產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的最知名企業(yè)&mdash
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Altera CEO：14nm Trigate將引領(lǐng)高端FPGA
- 日前，Altera公布了其2013年二季度營收，總收入為421.8億美元，環(huán)比增長3%，同比卻下降9%。其凈利潤為1.015億美元，環(huán)比下降16%，同比則下降38%。 由于種種問題，Stratix V的銷量不升反降，環(huán)比下降22%，而新產(chǎn)品Arria V則環(huán)比上升113%，Cyclone V則上漲了73%，這導(dǎo)致Altera新品銷量環(huán)比僅上漲6%。 按區(qū)域來分，亞太及北美市場(chǎng)同比都有一定程度的下滑，分別為下降22%與12%，歐洲區(qū)則同比上升11%。 而按照應(yīng)用劃分，只有工業(yè)自動(dòng)化、軍
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晶圓廠的FinFET混搭制程競(jìng)賽
- 一線晶圓廠正紛紛以混搭20納米制程的方式，加速14或16納米鰭式電晶體(FinFET)量產(chǎn)腳步。包括IBM授權(quán)技術(shù)陣營中的聯(lián)電、格羅方德 (GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆預(yù)計(jì)在2014年以14納米FinFET前段閘極結(jié)合20納米后段金屬導(dǎo)線制程的方式達(dá) 成試量產(chǎn)目標(biāo);而臺(tái)積電為提早至2015年跨入16納米FinFET世代，初版方案亦可望采用類似的混搭技術(shù)，足見此設(shè)計(jì)方式已成為晶圓廠進(jìn)入 FinFET世代的共通策略。 聯(lián)華電子市場(chǎng)行銷處處長黃克勤提到，各家廠商在16/
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縮短開發(fā)時(shí)程 晶圓廠競(jìng)逐FinFET混搭制程
- 一線晶圓廠正紛紛以混搭20奈米制程的方式，加速14或16奈米鰭式電晶體(FinFET)量產(chǎn)腳步。包括IBM授權(quán)技術(shù)陣營中的聯(lián)電、格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆預(yù)計(jì)在2014年以14奈米FinFET前段閘極結(jié)合20奈米后段金屬導(dǎo)線制程的方式達(dá)成試量產(chǎn)目標(biāo);而臺(tái)積電為提早至2015年跨入16奈米FinFET世代，初版方案亦可望采用類似的混搭技術(shù)，足見此設(shè)計(jì)方式已成為晶圓廠進(jìn)入FinFET世代的共通策略。 聯(lián)華電子市場(chǎng)行銷處處長黃克勤提到，各家廠商在16/14奈
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