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英盛德:FinFET技術日盛 前景可觀

作者: 時間:2013-08-12 來源:集微網 收藏

  根據美國商業資訊報導,世界領先的系統到晶片積體電路設計顧問公司之一的英盛德()認為,技術使用的日趨盛行將為積體電路設計商帶來新的挑戰,因為這些設計商希望從新構架帶來的尺寸優勢中受惠。

本文引用地址:http://cqxgywz.com/article/158881.htm

  工程部副總裁Kevin Steptoe解釋說:「最近,在德州召開的設計自動化大會(Design Automation Conference)上,展場中討論技術的聲音不絕于耳。同樣,我們發現我們的客戶——包括消費、電腦和圖形產業領域的最知名企業——已在向多重閘極(multi-gate)或三閘極(tri-gate)這類技術進軍。這些企業希望從這項技術中受惠,因為新架構可以減小產品尺寸,并進一步提高整合度和效能。實現這項技術并不僅僅只是從一個制程節點直接向下一個制程節點過渡。20奈米以下的架構要求用戶掌握使用新的工具;它并非只是縮小形體尺寸和使用標準元件布局技術那么簡單。」

  英盛德執行長Graham Curren補充說:「聘請像我們這類專業設計公司的主要原因之一在于,企業一般難以承擔這筆花費——時間或資金——從而讓其工程團隊瞭解所有最新的設計創新。英盛德的模式就是將具體的專長融入合作當中。因此,例如,就技術而言,為了徹底瞭解和掌握FinFET積體電路設計,我們已經投入了大量的精力。」



關鍵詞: Sondrel FinFET

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