2月10日，英特爾在投資者會議上正式發布了第8代酷睿處理器，將于今年下半年亮相。遺憾的是，第8代酷睿處理器并沒有采用傳聞中的10nm工藝，而是依舊沿用14nm工藝，英特爾稱之為“Advancing Moore‘s Law on 14 nm”。雖然采用的仍然是老工藝，但是英特爾表示，第8代酷睿的性能將比Kaby Lake提升15%。
據悉，數據中心所用的Xeon高端多核處理器將首批用上下一代制程，也就是10nm。另外在1月初的CES 2017上，CEO柯再奇曾表
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英特爾 14nm
中國半導體業發展可能關鍵不在于方向在那里?而是確定方向之后，如何踏實去干，去解決一個一個難題。任何進步沒有捷徑，其中骨干企業的責任尤為重要。
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SOI finFET
2016年12月7日，高通宣布在服務器領域的最新進展：其首款10nm服務器芯片Qualcomm Centriq 2400開始商用送樣，預計在2017年下半年實現商用。作為Qualcomm Centriq系列的首款產品，Centriq 2400采用最先進的10nm FinFET制程技術，這也是全球首款10nm處理器芯片，最高可配置48個核心。
高通官方介紹，Qualcomm Centriq 2400系列主打QDT的ARMv8可兼容定制內核——Qualcomm? Fa
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高通 FinFET
最近，中國微電子所集成電路先導工藝研發中心在下一代新型FinFET邏輯器件工藝研究上取得重要進展。微電子所殷華湘研究員的課題組，利用低溫低阻NiPt硅化物在新型FOI FinFET上實現了全金屬化源漏(MSD)，能顯著降低源漏寄生電阻，從而將N/PMOS器件性能提高大約30倍，使得驅動性能達到了國際先進水平。
基于本研究成果的論文被2016年IEEE國際電子器件大會(IEDM)接收，并在IEDM的關鍵分會場之一——硅基先導CMOS 工藝和制造技術(PMT)上，由張青竹
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FinFET 摩爾定律
由于技術和商業上的原因，摩爾定律也失去了效力，而且受制于光刻技術、硅材料的極限等因素，芯片制程提升很可能會遭遇瓶頸，這種情況下胡正明教授的FinFET研究就尤為重要。
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半導體 FinFET
半導體業界公認不愛名利的前臺積電共同執行長蔣尚義，赴大陸擔任中芯國際獨立非執行董事，震驚業界，然業界又傳出投奔三星電子、與臺積電打官司多年的前臺積電資深研發處長梁孟松，已于第3季離開三星，近期將投入大陸半導體艦隊，落腳處也是中芯國際。業者認為這些臺灣半導體超級戰將紛投效大陸，似乎是為大陸半導體未來黃金十年做背書。
大陸大動作發展半導體產業，繼瘋狂蓋12吋晶圓廠、購并國際大廠，近期開始挖角重量級的高手加入大陸半導體業，近期除了被點名的蔡力行及已經宣布的蔣尚義外，傳出下一個要投奔大陸的是與臺積電有多
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臺積電 14nm
格羅方德公司今天宣布，已證實運用14納米FinFET工藝在硅芯片上實現真正長距離56Gbps SerDes性能。作為格羅方德高性能ASIC產品系列的一部分，FX-14? 具有56Gbps SerDes，致力于為提高功率和性能的客戶需求而生，亦為應對最嚴苛的長距離高性能應用需求而準備。 格羅方德56Gbps SerDes 內核同時支持 PAM4 和 NRZ 信號傳導，可補償超過35dB的插入損耗，因而無須在目前極
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格羅方德 FinFET
盡管距離國際標準化組織確定的2020年5G商用仍有3年時間之久，現在的4G網絡還有潛力挖掘和價值提升的空間，然而全球“大T”們(運營商)的發展焦點已經向5G轉移，紛紛從技術研發、標準制定、產業儲備等方面入手，對5G進行全面布局。
“預計2022年全球將有5.5億5G用戶，其中北美和亞太將成為發展最快的兩大地區。”鑒于全球運營商的積極行動，業界紛紛調高了對5G發展速度的預期，愛立信在近期發布的《移動市場報告》中就給出了2020年5.5億用戶的預期。
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三星 FinFET
半導體領域FinFET技術發明人胡正明說，由于半導體技術的突破，網際網路的速度和普及度還有千百倍的成長空間。
在中國大陸烏鎮舉行的第3屆世界互聯網大會，今年首次舉辦“世界互聯網領先科技成果發布活動”，由海內外網路專家組成的專家征集并評選出15項最尖端的技術成果和最具創新性的商業模式。胡正明及其率領的研究團隊，在半導體微型化的突破成就是其中之一。
胡正明率領的美國加州大學柏克萊分校團隊，將平面二維晶體管創新制作成垂直三維的“鰭式電晶體”，讓半導
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FinFET
Samsung 14nm FinFET 推出至今也有一段時間，到底有哪些產品使用呢?
隨著Samsung Exynos 7 Dual 7270 這款整合LTE Modem 與聯網能力的穿戴式裝置用SoC 進入量產，這家韓系品牌在14nm FinFET 的布局也跟著廣泛許多。
第一款使用14nm FinFET 的產品時Exynos7 Octa 7420，其處理器架構為四核ARM Cortex-A57 與四核ARM Cortex-A53，被運用在Samsung GALAXY S6 與Samsu
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三星 14nm
英特爾很快會推出新一代14nm工藝處理器，這已經不是什么秘密，但英特爾7nm工藝處理器要等很多年才能看到，這一點比三星和臺積電晚很多，令人擔憂。不過這都是后話，現在最受關注的還是14nm工藝，根據爆料14nm工藝不僅僅是提升頻率降低功耗，英特爾打算加入四核心八線程，TDP有望維持在15W。
新的處理器核心面積為122平方毫米，不過依然是之前的顯示核心，預計明年第三季度量產，第一季度就會有樣品出現了。
另外，根據客戶要求還會推出更高性能的版本，但TDP會提升到18
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英特爾 14nm
大家都在談論FinFET——可以說，這是MOSFET自1960年商用化以來晶體管最大的變革。幾乎每個人——除了仍然熱心于全耗盡絕緣體硅薄膜(FDSOI)的人，都認為20 nm節點以后，FinFET將成為SoC的未來。但
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SoC FinFET MOSFET
所有大型晶圓代工廠都已宣布 FinFET 技術為其最先進的工藝。Intel 在 22 nm 節點上采用該晶體管，TSMC 在其 16 nm 工藝上使用，而 Samsung 和 GlobalFoundries 則將其用于 14 nm 工藝中。
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FinFET 電路設計
Intel擁有地球上最先進的半導體工藝，在FinFET工藝上比其他廠商提前兩年多量產，14nm FinFET工藝雖然遭遇了難產，但還是比TSMC、三星更早，而且Intel的工藝水平是最好的，柵極距是真正的14nm水平，其他兩家是有水分的。從 上半年開始轉型開始，Intel也把晶圓代工作為突破點，拉攏到了LG電子，現在又一家客戶確認了，中國的展訊公司也會使用Intel 14nm工藝代工，相關芯片最快10月份就可以出樣。
Intel在晶圓制造上實力無可置疑，此前也有零星的代工合作，不過客戶并不多，主
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Intel 14nm
要判定FinFET、FD-SOI與平面半導體制程各自的市場版圖還為時過早…
盡管產量仍然非常少，全空乏絕緣上覆矽(fully depleted silicon-on-insulator，FD-SOI)制程有可能繼Globalfoundries宣布12奈米計畫(參考閱讀)之后快速成長;而市 場研究機構International Business Strategies (IBS)資深分析師Handel Jones表示，三星(Samsung)或將在中國上海成立的一座新晶圓廠是否會采用FD
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制程 FinFET
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