- 東京科學研究所在 IEEE電子元件和技術會議 ECTC 上透露了其 BBCube 3D 集成流程的進展。“這些新技術可以幫助滿足高性能計算應用的需求，這些應用需要高內存帶寬和低功耗以及降低電源噪聲，”該研究所表示。BBCube 結合使用晶圓上晶圓 （WOW） 和晶圓上芯片 （COW） 技術，將處理器堆疊在一堆超薄 DRAM 芯片上。將處理器放在頂部有助于散熱，而該研究所的面朝下的 COW 工藝最初是為了擺脫焊接互連而開發的，而是在室溫下使用噴墨選擇性粘合劑沉積。用于 300mm 晶圓，實現了 10μm 的
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DRAM 處理器 3D堆棧集成
- 隨著三星和美光等主要內存制造商減少 DDR4 生產并價格上漲，據報道，臺灣地區的主要供應商南亞科技已暫停報價，這表明供應緊張和需求增長，據經濟日報報道。行業消息人士進一步解釋說，報價暫停主要發生在現貨市場，而在合同市場，供應商正在囤積庫存并穩步推高價格。TrendForce 的最新調查發現，由于兩大主要 DRAM 供應商減少 DDR4 生產以及買家在美國關稅變化前加速采購，服務器和 PC 的 DDR4 合同價格預計將在 2025 年第二季度大幅上漲。因此，服務器 DDR4 合同價格預計環比將上漲
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DRAM 存儲 市場分析
- 據臺媒《經濟日報》報道，由于DDR4供應減少，再加上市場神秘買家大舉出手掃貨，最新的8Gb/16Gb DDR4 DRAM現貨價等規格單日都暴漲近8%。本季以來報價已翻漲一倍以上，不僅跨過DRAM廠損益平衡點，更達到讓廠商暴賺的水平。如今DDR4不僅報價大漲，甚至比更高規格的DDR5報價更高，呈現“價格倒掛”，業界直言：“至少十年沒看過現貨價單日漲幅這么大。”根據DRAM專業報價網站DRAMeXchange最新報價顯示，6月13日晚間DDR4現貨價全面暴漲，DDR4 8Gb（1G×8）3200大漲7.8%，
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DDR4 DRAM 三星 美光 南亞科技 華邦電子 HBM
- 美國芯片巨頭英特爾已與日本科技和投資巨頭軟銀攜手，合作開發一種堆疊式DRAM解決方案，以替代高帶寬存儲器（HBM）。據報道，雙方已合資成立新公司Saimemory共同打造原型產品，該項目將利用英特爾的芯片堆疊技術以及東京大學持有的數據傳輸專利，軟銀則以30億日元注資成為最大股東（總投資約100億日元）。該合作計劃于2027年完成原型開發并評估量產可行性，目標是在2030年前實現商業化。Saimemory將主要專注于芯片的設計工作以及專利管理，而芯片的制造環節則將交由外部代工廠負責這種分工模式有助于充分發揮
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英特爾 軟銀 HBM DRAM 三星 SK海力士
- 據韓媒SEDaily報道，三星半導體部門（即DS設備解決方案部）正對系統LSI業務的組織運作方式的調整計劃進行最終審議，相關決定將在不久后公布。預計在由副董事長鄭鉉鎬和DS部門負責人全永鉉做出最終決定之前，還將進行更多高層討論，并聽取董事長李在镕的意見。系統LSI業務主要負責芯片設計，在三星半導體體系中承擔著為移動業務（MX）部門開發Exynos手機SoC的核心任務。然而，近年來Exynos 2x00系列應用處理器在三星Galaxy S/Z系列高端智能手機中的采用率明顯下降，不僅削弱了MX部門的利潤空間，
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三星 HBM LSI DRAM 半導體 晶圓代工
- 根據 TrendForce 集邦咨詢最新的內存現貨價格趨勢報告，DRAM 方面，DDR5 價格已顯現放緩跡象，預計 25 年第三季度整體 DRAM 價格漲幅將有所緩和。至于 NAND 閃存，現貨價格在 2 月下旬以來上漲后已達到相對較高的水平，購買勢頭現在正在降溫。詳情如下：DRAM 現貨價格：與 DDR4 產品相比，DDR5 產品仍然會出現小幅現貨價格上漲。然而，DDR5 產品的平均現貨價格已經相當高，在某些情況下甚至高于合同價格。因此，上升趨勢最近有所緩和。組件公司和現貨交易員仍然更愿意接受 DDR4
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DDR5 DRAM
- 存儲設備研發公司Neo Semiconductor Inc.（加利福尼亞州圣何塞）推出了其3D-X-DRAM技術的銦-鎵-鋅-氧化物（IGZO）變體。3D-X-DRAM 于 2023 年首次發布。Neo 表示，它已經開發了一個晶體管、一個電容器 （1T1C） 和三個晶體管、零電容器 （3T0C） X-DRAM 單元，這些單元是可堆疊的。該公司表示，TCAD 仿真預測該技術能夠實現 10ns 的讀/寫速度和超過 450 秒的保持時間，芯片容量高達 512Gbit。這些設計的測試芯片預計將于 2026 年推出
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Neo Semiconductor IGZO 3D DRAM
- 在特朗普加征關稅之前囤積數據推動的 DRAM 需求激增似乎是真實的。據韓國 Etnews 報道，三星一年多來首次提高了 DRAM 價格，其中 DDR4 的漲幅最大。該報告表明，三星在 5 月初與主要客戶敲定了新的定價條款，已將 DDR4 價格提高了約 20%。與此同時，該報告補充說，DDR5 價格的漲幅較小，約為 5%。三星第二季度利潤或將得到提振值得注意的是，Etnews 表示，由于 DRAM 價格是以數月為基礎進行談判的，因此最近的上漲預計將在一段時間內支持盈利能力，從而為三星第二
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三星 DRAM DDR4
- 全球存儲器市場近期出現顯著價格上漲，消費級存儲器產品價格持續攀升。 根據最新市場動態，SK海力士消費級DRAM顆粒價格已上漲約12%，落實先前市場的漲價傳言。美商威騰旗下品牌SanDisk則于先前發布NAND Flash價格上調通知，自4月1日起，對所有通路商及零售客戶的產品實施價格調整，漲幅將超過10%。市場分析人士指出，存儲器價格近期上漲主要受到全球供應鏈瓶頸、晶圓產能限制及美系客戶急拉貨的影響。特別是人工智能、云端運算及5G技術的快速發展，持續推動了對高性能內存的強勁需求，存儲器國際大廠集中資源，生
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SK海力士 DRAM
- 據最新消息，三星電子已制定明確的技術路線圖，計劃在第7代10nm級DRAM內存工藝（1d nm）后引入VCT垂直通道晶體管技術。相關產品預計將在未來2到3年內問世。在規劃下一代DRAM工藝時，三星電子曾面臨兩種選擇：1e nm工藝和VCT DRAM技術。經過深入研究和對比，三星最終選擇了VCT DRAM技術。相較于1e nm，VCT技術在性能和效率方面表現更優。為加快研發進度，三星電子還將原1e nm的先行研究團隊并入1d nm研發團隊，集中力量推進1d nm工藝的開發。VCT DRAM技術是一種新型存儲
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三星電子 VCT DRAM
- 高性能人工智能（AI）數據中心正在以前所未有的方式重塑半導體設計版圖和投資方向。早在2022年，AI基礎設施方面的支出規模就已接近150億美元。而今年這一數字可能輕松突破600億美元大關。沒錯，“吸金”，各種資金正從各種投資計劃中向數據中心涌入。顯然，我們正處在一個人工智能資本支出空前高漲的時代——盡管DeepSeek等新入局者的潛在影響尚難以被準確估量。但不可否認的是，就在英偉達（Nvidia）、AMD等公司的高性能計算（HPC）處理器成為行業焦點的同時，用于存儲訓練和推理模型的高帶寬內存同樣迎來了屬于
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數據中心 DRAM
- 4月9日消息，根據Counterpoint Research的2025年第一季度內存追蹤報告，SK海力士首次超越三星電子，以36%的市占率成為全球DRAM營收的領導者。在2025年第一季度，SK海力士的DRAM營收市占率達到36%，而三星電子緊隨其后，市占率為34%，美光則以25%的市占率位列第三，其他廠商合計占據剩余的5%。SK海力士預期，營收與市占率的增長至少會持續到下一季度，其還表示，公司在關鍵的HBM市場占有率高達70%。Counterpoint Research資深分析師Jeongku Choi
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SK海力士 三星 DRAM
- 4月7日消息，據國外媒體報道稱，三星公司領導層將對主要全球客戶提高內存芯片價格——從當前水平提高3-5%。在三星看來，“需求大幅增長”導致DRAM、NAND閃存和HBM產品組合的價格上漲，預計2025年和2026年價格都會上漲。一位不愿透露姓名的半導體業內人士表示：去年全年供應過剩，但隨著主要公司開始減產，供應量最近有所下降，目前三星漲價后部分新合同的談判已然啟動。此外，人工智能 (AI) 設備在中國接連出現，由于工業自動化，對半導體的需求正在逐漸增加。市場研究機構DRAMeXchange給出的統計顯示，
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內存 DRAM NAND HBM 三星 美光 SK海力士
- 根據TrendForce集邦咨詢最新調查，2025年第一季下游品牌廠大都提前出貨因應國際形勢變化，此舉有助供應鏈中DRAM的庫存去化。展望第二季，預估Conventional
DRAM（一般型DRAM）價格跌幅將收斂至季減0%至5%，若納入HBM計算，受惠于HBM3e 12hi逐漸放量，預計均價為季增3%至8%。PC DRAM、Server DRAM價格皆持平上季因應國際形勢變化，各主要PC OEM要求ODM提高整機組裝量，將加速去化OEM手中的DRAM庫存。為確保2025年下半年產線供料穩定，庫存水
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TrendForce 集邦咨詢 DRAM
- 美光經過多代驗證的 DRAM 技術和制造策略促成了這一優化的 1γ節點的誕生。
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美光1γ DRAM
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