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2nm 制程 文章 最新資訊

消息稱AMD CEO蘇姿豐將親自造訪臺(tái)積電：商談2nm和3nm芯片產(chǎn)能

  • 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，AMD首席執(zhí)行官（CEO）蘇姿豐和公司其他C級(jí)高管希望在9月底或11月初前往臺(tái)灣地區(qū)，探索與當(dāng)?shù)睾献骰锇榈暮献鳌ＬK姿豐前往臺(tái)灣地區(qū)的主要原因似乎是與臺(tái)積電會(huì)面，與臺(tái)積電CEO魏哲家討論N3 Plus（N3P）和2nm級(jí)（N2）制造技術(shù)的使用以及未來的短期和長(zhǎng)期訂單，使AMD獲得足夠的基于3nm和2nm級(jí)等未來節(jié)點(diǎn)的晶圓分配。AMD近年來取得的顯著成功很大程度上歸功于臺(tái)積電利用其極具競(jìng)爭(zhēng)力的工藝技術(shù)大批量生產(chǎn)芯片的能力。AMD的CPU和GPU產(chǎn)品線才剛開始向5nm制程節(jié)點(diǎn)切換，并且臺(tái)積電的2
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臺(tái)積電2nm預(yù)計(jì)2025年量產(chǎn)

  • 據(jù)臺(tái)媒《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，晶圓代工廠臺(tái)積電2nm制程將于2025年量產(chǎn)，市場(chǎng)看好進(jìn)度可望領(lǐng)先對(duì)手三星及英特爾。臺(tái)積電先進(jìn)制程進(jìn)展順利，搭配FINFLEX架構(gòu)的3nm將在今年下半年量產(chǎn)，升級(jí)版3nm（N3E）制程將于3nm量產(chǎn)一年后量產(chǎn)，即2023年量產(chǎn)。先進(jìn)封裝部分，首座全自動(dòng)化3DFabric晶圓廠預(yù)計(jì)于2022年下半年開始生產(chǎn)。雖然在3nm世代略有保守，但無論如何，F(xiàn)inFET寬度都已經(jīng)接近實(shí)際極限，再向下就會(huì)遇到瓶頸。所以外資法人預(yù)估臺(tái)積電2nm先進(jìn)制程將采用環(huán)繞式閘極場(chǎng)效電晶體GAAFET高端架構(gòu)生
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預(yù)計(jì)蘋果新款MacBook Pro與iPad Pro無緣3nm制程工藝芯片

  • 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，蘋果在今年下半年將舉行兩場(chǎng)新品發(fā)布會(huì)，第一場(chǎng)在9月份舉行，重點(diǎn)是iPhone 14系列智能手機(jī)以及新款A(yù)pple Watch；第二場(chǎng)則將在10月份舉行，以Mac和iPad為主。之前預(yù)測(cè)對(duì)于下半年的第二場(chǎng)新品發(fā)布會(huì)，蘋果將推出的新品預(yù)計(jì)會(huì)有MacBook Pro和iPad Pro，其中MacBook Pro搭載的，預(yù)計(jì)是蘋果自研、由臺(tái)積電代工采用3nm制程工藝的芯片。但在蘋果產(chǎn)品預(yù)測(cè)方面有很高準(zhǔn)確性的分析師郭明錤，近日給出了讓外界失望的預(yù)期，蘋果即將發(fā)布的14/16英寸MacBook Pro
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英特爾或?qū)⑿薷?nm制程生產(chǎn)計(jì)劃 重回巔峰路途漫漫

  • 消息稱英特爾CEO Pat Gelsinger可能會(huì)在8月份前往臺(tái)積電，與臺(tái)積電的高層會(huì)晤，主要是對(duì)明年的3nm產(chǎn)能計(jì)劃進(jìn)行“緊急修正”。英特爾原計(jì)劃2022年底量產(chǎn)第14代Meteor Lake，并于2023年上半年推出，如今有消息稱將延后到2023年底。作為英特爾GPU繪圖芯片代工企業(yè)，臺(tái)積電的3nm制程的計(jì)劃將受到影響。據(jù)報(bào)道，英特爾內(nèi)部已開始緊急修正未來一年的平臺(tái)藍(lán)圖以及自家制程產(chǎn)能計(jì)劃。一直有消息稱，英特爾將使用臺(tái)積電的N3工藝生產(chǎn)GPU，比如獨(dú)立顯卡使用的GPU以及Meteor Lake的GP
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3nm彎道超車臺(tái)積電之后 三星2nm工藝蓄勢(shì)待發(fā)：3年后量產(chǎn)

  • 在6月最后一天，三星宣布3nm工藝正式量產(chǎn)，這一次三星終于領(lǐng)先臺(tái)積電率先量產(chǎn)新一代工藝，而且是彎道超車，后者的3nm今年下半年才會(huì)量產(chǎn)。根據(jù)三星官方介紹，在3nm芯片上，其放棄了之前的FinFET架構(gòu)，采用了新的GAA晶體管架構(gòu)，大幅改善了芯片的功耗表現(xiàn)。與5nm相比，新開發(fā)的3nm GAE工藝能夠降低45%的功耗，減少16%的面積，并同時(shí)提升23%的性能。第二代的3nm GAP工藝可以降低50%的功耗，提升30%的性能，同時(shí)面積減少35%，效果更好。再往后呢？三星也有了計(jì)劃，3nm GAP工藝之后就會(huì)迎
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2022年聚焦十二英寸產(chǎn)能擴(kuò)充，預(yù)估成熟制程產(chǎn)能年增20%

  • 根據(jù)TrendForce集邦咨詢資料顯示，2022年全球晶圓代工產(chǎn)能年增約14%，其中八英寸產(chǎn)能因擴(kuò)產(chǎn)較不符合成本效益，增幅遠(yuǎn)低于整體產(chǎn)業(yè)平均，年增約6%，而十二英寸年增幅則為18%。其中，十二英寸新增產(chǎn)能當(dāng)中約65%為成熟制程（28nm及以上），該制程產(chǎn)能年增率達(dá)20%，顯見2022年各晶圓代工廠多半將擴(kuò)產(chǎn)重心放置于十二英寸晶圓產(chǎn)能，且以成熟制程為主軸，而主要擴(kuò)產(chǎn)動(dòng)能來自于臺(tái)積電（TSMC）、聯(lián)電（UMC）、中芯國(guó)際（SMIC）、華虹集團(tuán)（HuaHong Group）旗下HHGrace，以及合肥晶合集成
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臺(tái)積電2nm工藝提升不大：密度僅提升10%

  • 日前，臺(tái)積電全面公開了旗下的3nm及2nm工藝技術(shù)指標(biāo)，相比3nm工藝，在相同功耗下，2nm速度快10~15%；相同速度下，功耗降低25~30%。性能及功耗看著還不錯(cuò)，但臺(tái)積電的2nm工藝在晶體管密度上擠牙膏，只提升了10%，按照摩爾定律來看的話，新一代工藝的密度提升是100%才行，實(shí)際中也能達(dá)到70-80%以上才能算新一代工藝。臺(tái)積電沒有解釋為何2nm的密度提升如此低，很有可能跟使用的納米片電晶體管（Nanosheet）技術(shù)有關(guān)，畢竟這是新一代晶體管結(jié)構(gòu)，考驗(yàn)很多。     
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臺(tái)積電2nm制程工藝取得新進(jìn)展 2nm競(jìng)爭(zhēng)賽道進(jìn)入預(yù)熱模式

  • 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，推進(jìn)3nm制程工藝今年下半年量產(chǎn)的臺(tái)積電，在更先進(jìn)的2nm制程工藝的研發(fā)方面已取得重大進(jìn)展，預(yù)計(jì)在明年年中就將開始風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn) ——?也就意味著臺(tái)積電2nm制程工藝距量產(chǎn)又更近了一步。業(yè)界估計(jì)，臺(tái)積電2nm試產(chǎn)時(shí)間點(diǎn)最快在2024年，并于2025年量產(chǎn)，之后再進(jìn)入1nm以及后續(xù)更新世代的“埃米”制程。臺(tái)積電去年底正式提出中科擴(kuò)建廠計(jì)劃，設(shè)廠面積近95公頃，總投資金額達(dá)8000億至10000億元新臺(tái)幣，初期可創(chuàng)造4500個(gè)工作機(jī)會(huì)。以投資規(guī)模及近百公頃設(shè)廠土地面積研判，除了規(guī)劃2nm廠
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臺(tái)積電將砸 1 萬億擴(kuò)大 2nm 產(chǎn)能，目標(biāo) 2025 年量產(chǎn)

  • 　　6月6日消息，據(jù)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，臺(tái)積電將砸1萬億新臺(tái)幣（約2290億元人民幣）在臺(tái)中擴(kuò)大2nm產(chǎn)能布局，有望在中清乙工建設(shè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈園區(qū)。　　臺(tái)積電總裁魏哲家在4月14日召開的法說會(huì)上表示，臺(tái)積電2nm預(yù)期會(huì)是最成熟與最適合技術(shù)來支持客戶成長(zhǎng)，臺(tái)積電目標(biāo)是在2025年量產(chǎn)。　　臺(tái)積電將在2nm的節(jié)點(diǎn)推出Nanosheet/Nanowire的晶體管架構(gòu)，另外還將采用新的材料，包括High mobility channel，2D，CNT等，其中2D材料方面，臺(tái)積電已挖掘石墨烯之外的其他材料，可以逐漸用
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3D DRAM技術(shù)是DRAM的的未來嗎？

  • 5月25日，有消息傳出，華為將在VLSI Symposium 2022期間發(fā)表其與中科院微電子研究所合作開發(fā)的 3D DRAM 技術(shù)。隨著“摩爾定律”走向極限，DRAM芯片工藝提升將愈發(fā)困難。3D DRAM就成了各大存儲(chǔ)廠商突破DRAM工藝極限的新方案。DRAM工藝的極限目前，DRAM芯片最先進(jìn)的工藝是10nm。據(jù)公開資料顯示，三星早已在2020年完成了10nm制程DRAM的出貨；美光和SK海力士也在2021年完成了10nm DRAM產(chǎn)品的量產(chǎn)。那么，10nm是DRAM工藝的極限嗎？在回答這個(gè)問題之前，我
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臺(tái)積電：投資6000多億建3nm、2nm晶圓廠

  • 由于半導(dǎo)體芯片產(chǎn)能緊缺，臺(tái)積電此前宣布三年內(nèi)投資1000億美元，約合6300多億人民幣，主要用于建設(shè)新一代的3nm、2nm芯片廠，蓋長(zhǎng)的需求太高，現(xiàn)在連建筑用的磚塊都要搶購了。據(jù)《財(cái)訊》報(bào)道，這兩年芯片產(chǎn)能緊缺，但是比芯片產(chǎn)能更缺的還有一種建材——白磚，連臺(tái)積電都得排隊(duì)搶購。這種磚塊是一種特殊的建材，具備隔音、輕量、隔熱、防火、環(huán)保、便利等優(yōu)點(diǎn)，重量只有傳統(tǒng)紅磚的一半左右，是很多工廠及房產(chǎn)建設(shè)中都需要的材料。對(duì)臺(tái)積電來說，一方面它們自己建設(shè)晶圓廠需要大量白磚，另一方面它們?cè)诋?dāng)?shù)啬硞€(gè)城市建設(shè)晶圓廠，往往還會(huì)
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英特爾與臺(tái)積電合作開發(fā)2nm工藝 2025年量產(chǎn)

  • 此前有消息稱英特爾已經(jīng)拿了臺(tái)積電3nm一半產(chǎn)能，近日，則有消息稱英特爾現(xiàn)在又要跟臺(tái)積電合作開發(fā)2nm工藝。英特爾不僅可能會(huì)將3nm制程工藝交給臺(tái)積電代工，同時(shí)也開始跟臺(tái)積電討論合作開發(fā)2nm工藝。不過這一說法還沒有得到英特爾或者臺(tái)積電的證實(shí)，考慮到這是高度機(jī)密的信息，一時(shí)間也不會(huì)有官方確認(rèn)的可能。據(jù)悉，臺(tái)積電3nm的量產(chǎn)時(shí)間預(yù)計(jì)2022年四季度啟動(dòng)，且首批產(chǎn)能被蘋果和英特爾均分。至于未來的2nm工藝，臺(tái)積電將在2nm節(jié)點(diǎn)推出Nanosheet/Nanowire的晶體管架構(gòu)并采用新的材料，預(yù)計(jì)會(huì)在2025年
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臺(tái)積電發(fā)布N4P工藝：增強(qiáng)版的5nm制程技術(shù)都有哪些不同？

  • 在2021開放創(chuàng)新平臺(tái)（OIP）生態(tài)系統(tǒng)論壇上，臺(tái)積電（TSMC）宣布推出N4P工藝，這是以目前5nm制程節(jié)點(diǎn)為基礎(chǔ)，以性能為重點(diǎn)的增強(qiáng)型工藝。采用N4P技術(shù)生產(chǎn)的首批產(chǎn)品預(yù)計(jì)于2022年下半年完成產(chǎn)品設(shè)計(jì)定案。N4P制程工藝的推出強(qiáng)化了臺(tái)積電的先進(jìn)邏輯半導(dǎo)體技術(shù)組合，其中的每項(xiàng)技術(shù)皆具備獨(dú)特的效能、功耗效率以及成本優(yōu)勢(shì)。經(jīng)過優(yōu)化的N4P可提供高性能運(yùn)算（HPC）與移動(dòng)設(shè)備應(yīng)用一個(gè)更強(qiáng)化且先進(jìn)的技術(shù)平臺(tái)。N4N4P是繼N5、N4后，臺(tái)積電5nm家族的第三個(gè)主要強(qiáng)化版本。臺(tái)積電稱，N4P的性能較原先的N5增
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三星高調(diào)宣布2025年投入2nm量產(chǎn)

  • 韓國(guó)三星在舉行晶圓代工論壇期間高調(diào)宣布，2025年投入2奈米量產(chǎn)，再度確認(rèn)將導(dǎo)入新一代環(huán)繞閘極技術(shù)(GAA)電晶體架構(gòu)，搶在臺(tái)積電前宣布2025年投入2奈米制程的芯片量產(chǎn)，劍指臺(tái)積電的意圖明顯，晶圓代工全球版圖恐將迎來新變局。此次論壇以Adding One More Dimension為主題，會(huì)中提到三星過去曾在2020上半年宣布該公司要在GAA的基礎(chǔ)上導(dǎo)入3奈米制程，而此次更提到要基于GAA基礎(chǔ)，在2023年時(shí)要導(dǎo)入第二代的3奈米制程，并于2025年導(dǎo)入2奈米制程。而這回也是三星首度表明2奈米的制程規(guī)劃
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三星2nm工藝曝光：2025年可量產(chǎn)

  • 在目前的芯片領(lǐng)域，三星和臺(tái)積電憑借著先進(jìn)的工藝，相互不分上下，而近期在三星的公開場(chǎng)合中，曝光了三星最新的工藝技術(shù)。官方宣稱，三星的3nm工藝上分為兩個(gè)版本，分別在2022和2023年量產(chǎn)，而對(duì)比于5nm，三星的3nm工藝能夠讓芯片面積縮小35%，相同單位功耗的情況下性能可提升30%，而功耗也將降低50%左右。而2nm的工藝還沒有出現(xiàn)在會(huì)中，但有消息稱2nm將會(huì)在2025年量產(chǎn)。
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