IBM 認為日本半導體產業投資充足。
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IBM 2nm
近日，比利時微電子研究中心(IMEC)發表1納米以下制程藍圖，分享對應晶體管架構研究和開發計劃。外媒報導，IMEC制程藍圖顯示，FinFET晶體管將于3納米到達盡頭，然后過渡到Gate All Around(GAA)技術，預計2024年進入量產，之后還有FSFET和CFET等技術。△Source：IMEC隨著時間發展，轉移到更小的制程節點會越來越貴，原有的單芯片設計方案讓位給小芯片(Chiplet)設計。IMEC的制程發展愿景，包括芯片分解至更小，將緩存和存儲器分成不同的晶體管單元，然后以3D排列堆疊至其
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據媒體引述半導體設備業者表示，2023全年，臺積電3nm產能仍以N3（N3B）為主，整體良率接近75%。根據報道，由于臺積電3nm在PPA表現下與4nm差異不大，且3nm報價漲至2萬美元，只有蘋果有8折優惠，目前有多家客戶已修正制程規劃，調整投片與訂單，包括拉長4/5nm世代周期，放緩N3E、N3P采用進度，等待2nmGAA制程世代再重押。報道稱，雖然臺積電產能布局可能被打亂，但客戶黏著度更高，對于2nm GAA世代相當有信心，已采用4/3nm的客戶，幾乎皆有2nm投片規劃。從3nm工藝上看，臺積電曾表示
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關于臺積電 2nm 生產節點計劃的更多詳細信息。
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三星似乎已經解決了4nm工藝的一系列障礙。據Digitimes報道，三星在第三代4nm工藝的進步可能超出外界預期，從之前的60%提高到70%以上。
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此次合作將首先聚焦于移動SoC的設計，未來有望擴展到汽車、物聯網、數據中心、航空和政府應用領域。此次合作也代表半導體行業兩個巨頭之間產生新的重要合作關系，有可能對全球芯片制造市場產生重大影響。
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晶圓制造工具正變得更加專用于 Si/SiGe 堆棧、3D NAND 和鍵合晶圓對。
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在今天的說法會上，臺積電透露了新一代工藝的進展，3nm工藝已經開始量產，2023年放量，有多家客戶下單，再下一代的是2nm工藝，臺積電CEO重申會在2025年量產。與3nm工藝相比，臺積電2nm工藝會有重大技術改進， 放棄FinFET晶體管，改用GAA晶體管， 后者是面向2nm甚至1nm節點的關鍵，可以進一步縮小尺寸。相比3nm工藝，在相同功耗下， 2nm速度快10~15%；相同速度下，功耗降低25~30%。不過2nm工藝的晶體管密度可能會擠牙膏了，相比3nm只提升了10%，
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日本Rapidus和IBM于今年12月13日宣布稱，為量產2納米邏輯半導體，雙方建立了合作關系。IBM長年以來一直積極進行研發尖端半導體，且曾經在美國紐約州擁有自己的300毫米晶圓工廠（于2014年轉給Global Foundries，后來，該工廠被安森美收購）。此外，IBM也在為自己品牌下的電腦生產所需半導體，同時也為客戶提供尖端工藝的技術研發服務和晶圓代工服務。IBM的尖端工藝技術研發服務作為一項Common Platform，通過創建通用型工藝技術和生產產線，有效降低了研發成本、并確保了第二供應商資
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鈦媒體App 12月29日消息，晶圓代工龍頭臺積電（TPE:2330/NYSE:TSM）今天在臺南科學園區Fab 18廠新建工程基地舉行3納米（nm）量產暨擴廠典禮，正式宣布3nm芯片即日起開始量產。臺積電表示，這是該公司在先進制程締造的重要里程碑。臺積電董事長劉德音（Mark Liu）在演講中表示，今天3nm制程良率已經和5nm量產同期良率相當，臺積電已經與客戶開發新的產品，并開始量產，應用在超級電腦、云計算、數據中心、高速通訊網絡以及許多智能設備，包括未來的AR/VR等。而相較于5nm，3nm制程邏輯
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20世紀80年代，日本是全球的半導體霸主，一度嚴重威脅了美國公司地位，之后被打壓，現在只在個別領域還有優勢，先進工藝上已經落后當前水平10到20年，不過日本已經制定復興計劃，聯手歐洲IMEC之后又確定聯手IBM。此前報道就指出，日本要想攻關2nm先進工藝，潛在的合作對象就是IBM公司，后者也在日前發布聲明，確認跟日本Rapidus公司達成合作，雙方將成立研發機構，IBM會派遣員工參與合作。Rapidus公司是前不久日本至少八大電子巨頭聯合成立的半導體公司，吸引了日本豐田、索尼、鎧俠、NEC、軟銀、電裝等8
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都說芯片燒錢，但芯片到底有多燒錢大家還沒有一個清晰的認知，尤其是芯片工藝越來越先進，其燒錢的規模可謂呈幾何級增長。從研發成本端來看，其中28nm工藝只要4280萬美元，22nm工藝需要6300萬美元，16nm工藝需要8960萬美元。然而3nm則飆升到5.8億美元，而2nm工藝開發資金則要達7.2億美元，約合人民幣50億。當然，這還只是研發層面的費用，而3nm、2nm工藝工廠建設則需要200億美元以上的資金，而這還不包括生產費用，可見這簡直是十分燒錢的行為。顯然，照這樣發展下去，未來2nm的CPU及顯卡就算
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本周，Intel在IEDM大會期間，公布了新的制程工藝路線圖。內容顯示Intel 4/3/20A均按部就班推進，且18A（相當于友商1.8nm）更是提前到了2024下半年準備投產。據悉，Intel 4相當于友商4nm，也就是Intel此前口徑中的7nm，它會導入先進的EUV光刻技術，并在14代酷睿Meteor Lake上首發。Meteor Lake（流星湖）也會是Intel第一款采用多芯片混合封裝技術的處理器，GPU核顯單元預計將由臺積電3nm/5nm代工。活動上，Inte副總裁、技術開發總經理Ann K
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IT之家 11 月 9 日消息，日本科技大廠富士通（Fujitsu）的高層表示，該公司計劃自行設計 2 納米制程的先進半導體，并打算委托臺積電代工生產。據《日本經濟新聞》報道，富士通首席技術官 Vivek Mahajan 周二在一場記者會上表示，該公司計劃自行設計 2 納米制程的先進半導體，打算委托晶圓代工龍頭臺積電代為生產。報道指出，富士通目標最快在 2026 年完成搭載該芯片的節能中央處理器 (CPU)。IT之家了解到，臺積電目前計劃在 2025 年量產 2 納米的芯片，該公司的先進制程技術
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研調機構預估，全球AR／VR產品出貨量至2026年上看5,050萬臺，2022年至2026年年均復合成長率為35.1％。法人表示，AR／VR智能穿戴裝置為目前進入元宇宙世界的唯一入口，而元宇宙又是上網、通訊、影像傳輸、運算等功能的集大成應用，PCB涵蓋到元宇宙多個端點，預期如軟板、HDI、軟硬結合板、ABF載板都在受惠行列。盡管元宇宙相關AR／VR智能穿戴裝置仍未普及，但不少科技巨擘或零組件廠積極搶進，如Meta、Sony、hTC、微軟等，一些PCB供貨商也看好明年元宇宙穿戴會是不錯的成長動能來源。工研院
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