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2nm! 文章 最新資訊

晶圓代工競(jìng)爭(zhēng)正迎來(lái)一個(gè)重要的轉(zhuǎn)折點(diǎn)

  • 隨著臺(tái)積電正式宣布2nm制程工藝量產(chǎn),三星電子和英特爾也加入競(jìng)爭(zhēng),圍繞大型科技公司的晶圓代工競(jìng)爭(zhēng)正迎來(lái)一個(gè)重要的轉(zhuǎn)折點(diǎn)。英偉達(dá)聯(lián)手英特爾根據(jù)近期行業(yè)報(bào)告,英偉達(dá)以每股23.28美元的價(jià)格購(gòu)入了214,776,632股英特爾股票,總投資額達(dá)50億美元 —— 此次收購(gòu)使英偉達(dá)成為英特爾的主要股東,持有約4%的股份。業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為,這筆投資并非簡(jiǎn)單的財(cái)務(wù)決策,而是一項(xiàng)戰(zhàn)略舉措。分析表明,此舉旨在將英特爾的CPU設(shè)計(jì)技術(shù)與英偉達(dá)的AI能力相結(jié)合,同時(shí)為未來(lái)在芯片生產(chǎn)領(lǐng)域的合作留下空間。英偉達(dá)收購(gòu)英特爾股份,再次撼動(dòng)
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三星2nm工藝量產(chǎn)在即,晶圓代工業(yè)務(wù)能否逆襲?

  • 三星電子計(jì)劃于2026年下半年量產(chǎn)2nm先進(jìn)晶圓代工工藝,目標(biāo)減少營(yíng)業(yè)虧損。據(jù)證券機(jī)構(gòu)估計(jì),三星晶圓代工部門(mén)2025年?duì)I業(yè)虧損約為6萬(wàn)億韓元(約合人民幣288億元)。然而,隨著2nm工藝全面投產(chǎn),預(yù)計(jì)虧損將縮減至3萬(wàn)億韓元(約合人民幣144億元)。 在1月29日的2025年第四季度財(cái)報(bào)會(huì)議上,三星電子表示,第二代2nm工藝研發(fā)進(jìn)展順利,已達(dá)到良率和性能目標(biāo),預(yù)計(jì)今年下半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。三星正與主要客戶(hù)同步開(kāi)展性能、功耗和面積(PPA)評(píng)估及測(cè)試芯片合作,技術(shù)驗(yàn)證按計(jì)劃推進(jìn)。 三星電子正在美
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全球首款2nm芯片Exynos 2600 OpenCL跑分比驍龍X Elite高21.8%

  • 1 月 23 日消息,科技媒體 Wccftech 昨日(1 月 22 日)發(fā)布博文,報(bào)道稱(chēng)全球首款 2nm GAA 工藝芯片 Exynos 2600 再次現(xiàn)身 GeekBench 跑分庫(kù),在 OpenCL 中取得 24964 的高分,比高通筆記本級(jí)芯片驍龍 X Elite(20492 分)高出約 21.8%。Exynos 2600 的圖形處理單元(GPU)命名為 Xclipse 960,是業(yè)內(nèi)首款采用定制化 AMD RDNA 4 架構(gòu)的產(chǎn)品。三星官方數(shù)據(jù)顯示,相比前代 Exynos 2500 搭載
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三星正采用2nm制程工藝設(shè)計(jì)HBM邏輯芯片

  • 《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》21日訊,三星正在采用2nm制程工藝設(shè)計(jì)用于定制化HBM的邏輯芯片,其于此前已將4nm制程應(yīng)用于HBM4(第六代HBM)的邏輯芯片,該產(chǎn)品預(yù)計(jì)將于今年投入商業(yè)化生產(chǎn)。 (ZDNet)
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2nm不再是萬(wàn)能藥?蘋(píng)果、高通和聯(lián)發(fā)科集體轉(zhuǎn)向架構(gòu)“內(nèi)功”

  • 1 月 21 日消息,媒體 Digitimes 昨日(1 月 20 日)發(fā)布博文,報(bào)道稱(chēng)蘋(píng)果、高通和聯(lián)發(fā)科正調(diào)整下一代旗艦芯片策略,重心從單純追求 2nm 制程轉(zhuǎn)向架構(gòu)優(yōu)化與緩存擴(kuò)容。消息稱(chēng)蘋(píng)果、高通和聯(lián)發(fā)科三大芯片巨頭目前正調(diào)整研發(fā)重心,不再將單純的制程微縮作為營(yíng)銷(xiāo)核心,轉(zhuǎn)而聚焦改良架構(gòu)與擴(kuò)展內(nèi)存緩存(Memory Cache)。盡管臺(tái)積電 2nm 工藝備受追捧,其流片數(shù)量預(yù)計(jì)達(dá)到 3nm 節(jié)點(diǎn)的 1.5 倍,但行業(yè)報(bào)告指出,消費(fèi)者對(duì)“光刻節(jié)點(diǎn)數(shù)字減小”的關(guān)注度正在下降。這迫使無(wú)晶圓廠芯片制造商采取新策
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三星美國(guó)2nm晶圓廠下半年量產(chǎn)

  • 據(jù)《韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道,三星電子位于美國(guó)德克薩斯州泰勒市的2nm晶圓廠計(jì)劃在今年3月開(kāi)始對(duì)EUV設(shè)備進(jìn)行測(cè)試運(yùn)行,隨后將逐步引入蝕刻和薄膜沉積設(shè)備。預(yù)計(jì)該工廠將在2026年下半年全面啟動(dòng)2nm制程的量產(chǎn),月產(chǎn)能目標(biāo)為5萬(wàn)片晶圓。 為了確保量產(chǎn)計(jì)劃順利推進(jìn),三星電子已組建專(zhuān)門(mén)團(tuán)隊(duì),負(fù)責(zé)從設(shè)備運(yùn)輸?shù)桨惭b的無(wú)縫銜接。據(jù)傳聞,三星韓國(guó)晶圓廠的2nm制程良率已達(dá)到50%。目前,三星已從總部派遣大量頂級(jí)工程師前往泰勒市,以加速工廠的量產(chǎn)進(jìn)程。 此外,三星預(yù)計(jì)將向當(dāng)?shù)卣暾?qǐng)1號(hào)廠的臨時(shí)使用許可證(
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蘋(píng)果A20將成史上最貴手機(jī)芯片:?jiǎn)晤w成本達(dá)280美元

  • 1月3日消息,三星已經(jīng)首發(fā)了全球首款2nm芯片Exynos 2600,高通、聯(lián)發(fā)科、蘋(píng)果等巨頭也都將在下一代旗艦用上2nm工藝,芯片成本也水漲船高。據(jù)行業(yè)預(yù)估,A20芯片成本高達(dá)280美元/顆(約合1958元人民幣),對(duì)比上一代A19芯片,成本增幅達(dá)80%,遠(yuǎn)超此前業(yè)界預(yù)期。該成本已刷新手機(jī)處理器單顆價(jià)格紀(jì)錄,成為目前已知成本最高的手機(jī)芯片。據(jù)悉,A20芯片采用臺(tái)積電2nm制程,首次全面應(yīng)用全環(huán)繞柵極(GAA)納米片晶體管技術(shù)。該技術(shù)可使晶體管柵極全方位包覆導(dǎo)電溝道,減少漏電并提升功耗效率,同時(shí)將芯片邏輯
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中國(guó)臺(tái)灣出口禁令或?qū)⑸?jí):「N-2規(guī)則」限制臺(tái)積電對(duì)美出口先進(jìn)工藝

  • 據(jù)消息報(bào)道,中國(guó)臺(tái)灣擔(dān)心臺(tái)積電進(jìn)軍美國(guó)市場(chǎng)會(huì)削弱臺(tái)灣在半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)先地位,因此正在考慮制定新的出口規(guī)則,只允許這家全球最大的晶圓代工廠出口比其最先進(jìn)生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)落后兩代的技術(shù)。如果這項(xiàng)規(guī)則實(shí)施,可能會(huì)減緩臺(tái)積電在美國(guó)的擴(kuò)張步伐,而臺(tái)積電目前正在美國(guó)積極建設(shè)先進(jìn)的晶圓廠。這項(xiàng)新出口政策的核心是「N-2」規(guī)則,新的框架則更為嚴(yán)格,該規(guī)則僅允許在海外部署落后中國(guó)臺(tái)灣領(lǐng)先技術(shù)兩代的工藝技術(shù)。此前,中國(guó)臺(tái)灣一直堅(jiān)持「N-1」規(guī)則,允許臺(tái)積電出口所有落后臺(tái)灣領(lǐng)先制造工藝至少一代的技術(shù)。根據(jù)不同的技術(shù)世代劃分標(biāo)準(zhǔn),這意味
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臺(tái)積電大膽轉(zhuǎn)型:熊本Fab 2從6nm跳躍至2nm

  • 盡管臺(tái)積電在亞利桑那的擴(kuò)張迅速推進(jìn),但其日本業(yè)務(wù)進(jìn)展較慢,吸引了密切關(guān)注。不過(guò),熊本Fab 2的計(jì)劃可能正在發(fā)生變化。日經(jīng)新聞曾建議轉(zhuǎn)向4nm——最初計(jì)劃為6nm和7nm——但Mirror Media現(xiàn)在報(bào)道了一個(gè)更大膽的計(jì)劃:晶圓廠可以完全跳過(guò)6nm,直接轉(zhuǎn)向2nm。據(jù)鏡媒報(bào)道,臺(tái)積電已向董事長(zhǎng)魏志昌提交了內(nèi)部評(píng)估。如報(bào)告所述,若實(shí)施,熊本制造2將從主要服務(wù)日本汽車(chē)客戶(hù)轉(zhuǎn)向?qū)W⒂贜VIDIA和AMD等主要AI芯片客戶(hù)。亞利桑那利潤(rùn),熊本流血原因很明確:臺(tái)多電的財(cái)務(wù)報(bào)告顯示,2025年前三個(gè)季度,亞利桑那
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有了Trainium4,AWS將把除時(shí)鐘外的所有功能都調(diào)高

  • 全球的人工智能模型開(kāi)發(fā)者已經(jīng)等待了一年多,終于能拿到Trainium3 XPU,這些XPU專(zhuān)門(mén)為訓(xùn)練和推理設(shè)計(jì),是英偉達(dá)“Blackwell”B200和B300 GPU以及谷歌“Trillium” TPU v6e和“Ironwood” TPU v7p加速器的可信替代品。但當(dāng)亞馬遜云服務(wù)首席執(zhí)行官M(fèi)att Garmin開(kāi)始談?wù)擃A(yù)計(jì)可能在2026年底或2027年初交付的未來(lái)Tranium4 XPU時(shí),所有排隊(duì)購(gòu)買(mǎi)基于Trainium3的EC2容量模塊的人都做好了買(mǎi)家后悔的準(zhǔn)備。因?yàn)楸M管Trainium3相比公
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臺(tái)積電2nm泄密案最新進(jìn)展:突襲羅唯仁住所,并查扣相關(guān)證物

  • 臺(tái)積電前資深副總經(jīng)理羅唯仁(Wei-Jen Lo)遭爆疑似攜帶2nm制程關(guān)鍵機(jī)密,轉(zhuǎn)赴競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手英特爾任職,引發(fā)臺(tái)積電技術(shù)外流疑慮。作為全球最大晶圓代工廠、英偉達(dá)等科技巨頭的核心供應(yīng)商,臺(tái)積電正式向臺(tái)灣地區(qū)智慧財(cái)產(chǎn)及商業(yè)法院提起訴訟,被告為其前資深副總裁羅維仁。11月26日,臺(tái)高檢署智財(cái)分署指揮調(diào)查局突襲羅唯仁位于臺(tái)北、新竹的住所搜索,并查扣電腦、隨身碟等相關(guān)證物。此案也受到美媒關(guān)注,美國(guó)國(guó)務(wù)院表示目前對(duì)于這起搜索行動(dòng)不作評(píng)論。臺(tái)積電此前在聲明中明確表態(tài):“有高度可能性顯示,羅維仁向英特爾使用、泄露、披露或
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Tachyum推出2nm Prodigy,其AI機(jī)架性能比Nvidia Rubin Ultra 高 21 倍

  • ?Tachyum? 今天公布了其 2nm Prodigy? 通用處理器的詳細(xì)信息和規(guī)格,該處理器將使 AI 模型的參數(shù)比任何現(xiàn)有解決方案的參數(shù)大許多數(shù)量級(jí),而成本僅為其一小部分。Prodigy Ultimate 提供的 AI 機(jī)架性能比 Nvidia Rubin Ultra NVL576 高出 21.3 倍。Prodigy Premium 提供的 AI 機(jī)架性能比 Vera Rubin 25.8 高出 144 倍。2nm Prodigy 是有史以來(lái)第一個(gè)推理超過(guò) 1,000 PFLOP 的芯片,
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Galaxy S26 Ultra :三星正在用2nm芯片打造一款iPhone 殺手!

  • 三星 Galaxy S26 Ultra 有望在 2025 年成為一款出色的設(shè)備,標(biāo)志著智能手機(jī)行業(yè)向有意義、以用戶(hù)為中心的創(chuàng)新轉(zhuǎn)變。三星沒(méi)有強(qiáng)調(diào)重大的設(shè)計(jì)改革,而是專(zhuān)注于提高性能、能源效率和熱管理的實(shí)際進(jìn)步。這一演變的核心是備受期待的 2nm Exynos 處理器,預(yù)計(jì)將為 Galaxy S26 系列旗艦智能手機(jī)樹(shù)立新的標(biāo)桿。2nm Exynos 處理器的創(chuàng)新功能Galaxy S26 Ultra 的核心是 2nm Exynos 260 處理器,這一技術(shù)飛躍有望重新定義用戶(hù)對(duì)智能手機(jī)的期望。據(jù)傳,
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三星第三季度利潤(rùn)創(chuàng)下3年新高 2nm特斯拉AI5將在泰勒生產(chǎn)

  • 乘著內(nèi)存超級(jí)周期的浪潮,三星與SK海力士一起公布了出色的第三季度業(yè)績(jī)。據(jù)路透社報(bào)道,繼 SK 海力士創(chuàng)紀(jì)錄的利潤(rùn)之后,三星報(bào)告稱(chēng)第三季度營(yíng)業(yè)利潤(rùn)同比增長(zhǎng) 32%,這是三年多來(lái)最強(qiáng)勁的表現(xiàn)。CNBC 報(bào)道稱(chēng),在芯片業(yè)務(wù)反彈的推動(dòng)下,三星的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)比上一季度增長(zhǎng)了一倍多。ZDNet 補(bǔ)充說(shuō),這一激增可能歸因于產(chǎn)品價(jià)格上漲以及沒(méi)有拖累上一季度業(yè)績(jī)的一次性庫(kù)存成本。CNBC 表示,該公司第三季度收入為 86.1 萬(wàn)億韓元,略高于 LSEG SmartEstimate 的 85.93 萬(wàn)億韓元,
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4億美元太貴!臺(tái)積電仍拒絕購(gòu)買(mǎi)ASML的High-NA EUV設(shè)備

  • 目前,生產(chǎn)尖端半導(dǎo)體必不可少的EUV(極紫外)光刻設(shè)備由荷蘭ASML獨(dú)家供應(yīng),而臺(tái)積電2nm工藝就是利用現(xiàn)有的EUV設(shè)備實(shí)現(xiàn)晶圓的大規(guī)模量產(chǎn),并保持較高的良率。但隨著推進(jìn)到更先進(jìn)的次2nm節(jié)點(diǎn) —— 即1.4nm與1nm(分別代號(hào)A14與A10)—— 制造工藝將面臨更多技術(shù)瓶頸。理論上,這些問(wèn)題可以通過(guò)采購(gòu)ASML的最先進(jìn)High-NA EUV設(shè)備來(lái)解決,但最新消息稱(chēng)臺(tái)積電選擇的方向并非購(gòu)買(mǎi)新設(shè)備,而是轉(zhuǎn)向使用光掩模薄膜(Photomask Pellicles)。什么是High-NA光刻機(jī)?從早期的深紫外
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2nm!介紹

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