在過去的十年時間里，隨著程序與應用、數據集與復雜代碼，以及3D模型渲染、8K視頻編輯和高幀速率游戲等領域的空前發展，DDR4技術已不堪重負，難以跟上行業發展步伐。隨著CPU內核數量的不斷增加，為了應對這些海量需求，內存技術也需要進一步擴展。下一代系統中的DDR5內存是實現當前所需性能的最佳解決方案，同時能夠進一步擴展，以滿足未來內容創作、內容發布和內容消費的更高要求。內容創作內容創作者受到了DDR4技術的限制，因為他們的高性能工作臺消耗了增加的內存密度或內存帶寬。等待時間延長導致效率降低，甚至無法進行多任
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DDR5 內存 Crucial 英睿達
IT之家 9 月 7 日消息，獨立內存產品制造商金士頓科技公司今天宣布，根據分析公司 TrendForce （前身為 DRAMeXchange）按收入進行的最新排名顯示，該公司是 2021 年全球最大內存模組供應商。金士頓以 142 億美元的收入保持其第一的位置，占 78.7% 的市場份額。TrendForce 指出，金士頓的收入同比增長了 8%，這是金士頓連續第 19 年保持第一的位置。根據該報告，2021 年全球前五大內存模組供應商占該市場總銷售額的 90%，其中金士頓占有該市場近 80%
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根據市場研究機構TrendForce最近發布的報告顯示，在2022年二季度全球NAND Flash閃存市場中，三星電子與SK海力士拿下了全球52.9%的市場份額。根據數據顯示，2022年二季度三星電子NAND銷售額為59.8億美元，環比下滑5.4%，排名第一。SK海力士因為對英特爾NAND閃存業務收購的完成，2022年二季度銷售額位36.15億美元，環比增長12.1%，超越了鎧俠，成為了全球第二大NAND閃存廠商，兩家韓國廠商已經那拿下了全球NAND市場52.9%的份額。
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據國外媒體報道，存儲芯片市場目前的狀況并不樂觀，已有研究機構預計NAND閃存和DRAM的價格均在下滑，市場供過于求的狀況在明年會加劇。 擁有三星電子和SK海力士這兩大存儲芯片巨頭的韓國，是全球重要的存儲芯片供應地，存儲芯片價格下滑，勢必會影響到韓國半導體廠商的業績。 而韓國媒體在報道中也表示，在存儲芯片市場增速放緩的情況下，存儲芯片價格的下滑將使韓國半導體廠商的經營狀況進一步惡化。 此外，韓國媒體在報道中還提到，存儲芯片價格的下滑，還有可能影響韓國整體的出口。 韓國媒體在報道中表示，半導體在韓
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專注于引入新品的全球半導體和電子元器件授權分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與ATP Electronics簽訂全球分銷協議。ATP Electronics是專業存儲和內存解決方案的知名供應商。簽訂協議后，貿澤將分銷ATP Electronics面向工業與汽車應用的存儲卡、SSD和托管NAND設備。ATP的工業固態硬盤 (SSD) 和模塊具有性能可靠、響應迅速、使用壽命長的特點，適用于執行關鍵性任務。ATP SSD堅固耐用，可承受嚴苛的工作環境，并且提供多種類型的產品，包括適用
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芯研所7月15日消息，知情人士透露，全球第二大存儲芯片制造商SK海力士考慮將2023年資本支出削減約四分之一至16萬億韓元（約合122億美元），以應對電子產品需求慢于預期的局面。知情人士稱，SK海力士正基本按計劃推進今年支出約21萬億韓元以建設DRAM和NAND產能。芯研所采編不過，由于智能手機、服務器等各個領域的芯片需求下降的不確定性，迫使該公司重新考慮明年的擴張計劃。此前據行業調研公司集邦科技的報告，今年二季度，主要存儲芯片DRAM內存的平均合同價格同比下跌10.6%，為2年來首降，另一種存儲芯片NA
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近日，長江存儲科技有限責任公司（簡稱“長江存儲”）宣布推出UFS 3.1通用閃存——UC023。這是長江存儲為5G時代精心打造的一款高速閃存芯片，可廣泛適用于高端旗艦智能手機、平板電腦、AR/VR等智能終端領域，以滿足AIoT、機器學習、高速通信、8K視頻、高幀率游戲等應用對存儲容量和讀寫性能的嚴苛需求。UC023的上市標志著長江存儲嵌入式產品線已正式覆蓋高端市場，將為手機、平板電腦等高端旗艦機型提供更加豐富靈活的存儲芯片選擇。長江存儲高級副總裁陳軼表示 ：“隨著5G通信、大數據、AIoT的加速
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長江存儲 3D NAND
這兩年，長江存儲無論是NAND閃存還是SSD固態盤，都呈現火力全開的姿態，從技術到產品都不斷推陳出新。6月23日，長江存儲有發布了面向OEM市場的商用SSD PC300系列，可用于筆記本、輕薄本、二合一本、一體機、臺式機、物聯網、嵌入式、服務器等各種場景，而且同時支持3.3V、1.8V SideBand電壓，可適配更多平臺。長江存儲PC300系列采用了自家的Xtacking 2.0晶棧架構的第三代3D NAND閃存芯片，容量256GB、512GB、1TB。提供M.2 2242、M.2 2280兩種形態規格
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長江存儲 3D NAND
近日，有消息稱，國內存儲芯片大廠長江存儲已向客戶交付了192層堆疊的3D NAND閃存芯片。而預計在2022年底或2023年初，會實現232層堆疊的3D NAND閃存技術。這意味著國內存儲芯片廠商，終于追上三星、美光了。要知道美光是前不久才發布了業界首個 232 層堆棧的 3D NAND Flash芯片，而大規模量產和應用要到2022年底或2023年初去了。而三星預計也是在2022年內推出200層以上的3D NAND閃存芯片，而大規模應用也要到2023年去了。可見，國產存儲芯片，在技術上確實已經追上了三星
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中國芯片傳來捷報，長江存儲取得重大技術突破，正式打破韓國三星壟斷，目前已經完成192層3D NAND閃存樣品生產，預計年底實現大規模量產交付。長江存儲一直是我國優秀的存儲芯片企業，從成立之初就保持著高速穩定的發展狀態，用短短3年的時間，接連推出了32層NAND閃存，以及64層堆棧3D NAND閃存，成功進入了華為Mate40手機的供應鏈。隨后為了縮短和三星、SK海力士、鎧俠等寡頭企業的距離，長江存儲直接越級跳過了96層，直接進入了128層3D NAND 閃存的研發，并成功在2020年正式宣布研發成功，它是
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頭一段時間，有媒體報道稱，長江存儲自主研發的192層3D NAND閃存已經送樣，預計年底實現量產。長江存儲一直是我們優秀的國產存儲芯片企業，從成立之初便保持了一個高速的發展狀態。2016年成立，2017年便推出了32層NAND閃存。2019年，推出64層堆棧3D NAND閃存，并成功進入了華為Mate40手機的供應鏈。為了縮短與三星、SK海力士、鎧俠等行業大廠的差距，長江存儲跳過了96層，直接進行了128層3D NAND 閃存的研發，并在2020年正式宣布研發成功，它是業內首款128層QLC規格的3D N
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比利時微電子研究中心（imec）于本周舉行的2022年IEEE國際超大規模集成電路技術研討會（VLSI Symposium），首度展示從晶背供電的邏輯IC布線方案，利用奈米硅穿孔（nTSV）結構，將晶圓正面的組件連接到埋入式電源軌（buried power rail）上。微縮化的鰭式場效晶體管（FinFET）透過這些埋入式電源軌（BPR）實現互連，性能不受晶背制程影響。 FinFET微縮組件透過奈米硅穿孔（nTSV）與埋入式電源軌（BPR）連接至晶圓背面，與晶圓正面連接則利用埋入式電源軌、通孔對
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3D深度傳感器在汽車座艙監控系統中發揮著著舉足輕重的作用，有助于打造創新的汽車智能座艙，支持新服務的無縫接入，并提高被動安全。它們對于滿足監管規定和NCAP安全評級要求，以及實現自動駕駛愿景等都至關重要。有鑒于此，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）與專注3D ToF（飛行時間）系統領域的湃安德（pmd）合作，開發出了第二代車用REAL3?圖像傳感器，該傳感器符合ISO26262標準，具有更高的分辨率。
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增強現實（AR）應用將從根本上改變人類的生活和工作方式。預計今年下半年，AR領域的開拓者Magic Leap將推出其最新的AR設備Magic Leap 2。Magic Leap 2專為企業級應用而設計，將成為市場上最具沉浸感的企業級AR頭顯之一。Magic Leap 2符合人體工學設計，擁有行業領先的光學技術和強大的計算能力，能夠讓操作人員更高效地開展工作，幫助公司優化復雜的流程，并支持員工進行無縫協作。Magic Leap 2的核心優勢之一是采用了由英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX:
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5月25日，有消息傳出，華為將在VLSI Symposium 2022期間發表其與中科院微電子研究所合作開發的 3D DRAM 技術。隨著“摩爾定律”走向極限，DRAM芯片工藝提升將愈發困難。3D DRAM就成了各大存儲廠商突破DRAM工藝極限的新方案。DRAM工藝的極限目前，DRAM芯片最先進的工藝是10nm。據公開資料顯示，三星早已在2020年完成了10nm制程DRAM的出貨；美光和SK海力士也在2021年完成了10nm DRAM產品的量產。那么，10nm是DRAM工藝的極限嗎？在回答這個問題之前，我
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