芯片被喻為一個國家工業的糧食，是所有整機設備的“心臟”，其重要性可想而知，所以，不論是國外還是國內，芯片產業對其科技發展都起著至
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海思 EDA SOC IC設計
1 引言：功耗在芯片設計中的地位長期以來，設計者面臨的最大挑戰是時序收斂，而功耗處于一個次要的地位。近年來，下面的因素使功耗日益得到設計
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功耗 IC設計
最近隨著SSD采用3D NAND Flash出貨比重越來越高，許多半導體廠商也開始吹起了3D NAND Flash投資熱潮。其中，又以三星電子率先在這場競爭中獲益最多，取得領先地位。
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3D NAND 三星
存儲器作為四大通用芯片之一，發展存儲芯片產業的意義不言而喻。對電子產品而言，存儲芯片就像糧食一樣不可或缺。它與數據相伴而生，哪里有數據，哪里就會需要存儲芯片。而且隨著大數據、物聯網等新興產業的發展，存儲產業與信息安全等亦息息相關。
當前，我國筆記本、智能手機出貨量均居全球首位。華為、聯想等廠商崛起，以及阿里巴巴、騰訊、百度等互聯網廠商帶動數據中心爆發，使得國產廠商對存儲需求量巨大。
相關數據顯示，2015年大陸DRAM采購規模估計為120億美元、NAND Flash采購規模為66.7億美元
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3D NAND DRAM
美光(Micron)3D NAND固態硬碟(SSD)產品方才正式面市，緊接又宣布將推出首款針對移動裝置最佳化的3D NAND產品，這也是美光首款支援通用快閃儲存(Universal Flash Storage;UFS)標準之產品。
美光移動事業行銷副總Gino Skulick在接受EE Times專訪表示，美光為移動裝置所推出的首款3D NAND為32GB產品，鎖定中、高階智能型手機市場，此區塊市場占全球智能型手機總數的50%。
而這也是業界首款采用浮動閘極(Floating Gate)技
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美光 3D NAND
中國正在下大力度推進存儲產業的發展，3D NAND被認為是一個有利的突破口。
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3D NAND 存儲器
隨著國家供給側改革以及調結構、去產能、補短板等一系列宏觀政策影響，加上新興市場如汽車電子、物聯網等市場的發展，我國 IC 設計產業仍將保持較快速增長的態勢，
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政府對IC產業的強力支持密不可分。
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中國半導體協會發布統計，大陸IC設計產值上季已超越臺灣，上半年合計人民幣685.5億元，年增24.6%，反超臺灣，對臺灣IC設計業威脅加深。
據中國半導體協會統計，大陸第2季IC設計銷售值人民幣401.6億元，超過臺灣的1,697億元新臺幣;臺灣上半年合計則約3,149億元新臺幣。
至于大陸半導體制造業銷售值，上半年也達人民幣454.8億元，年增14.8%;封測業銷售值人民幣708.8億元，年增9.5%。臺灣目前在這兩項仍維持領先優勢。
不過大陸有10座12寸晶圓廠興建中，連臺灣的臺
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目前3D NAND由三星電子獨家量產，但是先有東芝殺入敵營，如今美光也宣布研發出3D NAND，而且已經送樣，三星一家獨大的情況將畫下句點，3D NAND flash大戰即將開打!
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美光 3D NAND
據韓國經濟報導，大陸半導體產業在政府的強力支援下，清華紫光與武漢新芯采行攻擊性投資策略，迫使南韓、日本、美國等主要半導體業者也紛紛強化投資。
市調業者DRAM eXchange表示，全球半導體市場中，NAND Flash事業從2011~2016年以年均復合成長率(CARG)47%的速度成長;清華紫光以新成立的長江存儲進行武漢新芯的股權收購，成立長江存儲科技有限責任公司，未來可能引發NAND Flash市場版圖變化。
清華紫光擁有清華大學的人脈，在社會上擁有一定的影響力，武漢新芯擁有技術方面
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雖然競爭壓力來自于美國高通，但事實上，大陸廠展訊更是聯發科心中的痛，就是因為展訊，導致毛利率難以提升。
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臺積電南京12寸晶圓廠暨設計服務中心，預計2018年下半年開始生產16奈米制程，總投資約30億美元，估計可帶動超過300億美元的產業發展;對此，半導體協會理事長、鈺創科技董事長盧超群表示，對于臺積電、大陸、臺灣來說，是“三贏”局面。
第七屆昆博會12日正式開幕，對于臺積電落腳南京，盧超群受訪時表示，對臺積電來說，這是踏出更積極服務大陸客戶的一步，與南韓三星在西安、無錫投資的半導體項目相比，臺積電在南京的投資項目更直接與大陸設計、應用、客戶配合一起，且臺積電的研發中心沒有過
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東芝(Toshiba)統籌存儲器事業的副社長成毛康雄于6日舉行的投資人說明會上表示，將沖刺NAND Flash產量，目標在2018年度將NAND Flash產量擴增至2015年度的3倍水準(以容量換算)。
關于已在2016年度開始量產的3D結構NAND Flash，成毛康雄指出，將強化3D Flash的生產，目標在2017年度將3D產品占整體生產比重提高至5成、2018年度進一步提高至9成左右水準。
東芝為全球第2大NAND Flash廠商，市占率僅次于三星電子。
日經、韓國先驅報(
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東芝 3D NAND
Cell on Peripheral Circuit(以下簡稱Cell on Peri)構造由美光(Micron)與英特爾(Intel)陣營開發，采用將3D NAND Flash晶胞(Cell)陣列堆疊在周邊電路CMOS邏輯IC上的方式，以縮減采3D NAND Flash解決方案的晶片面積。DIGITIMES Research觀察，三星電子(Samsung Electronics)已提出類似此一構造的COP(Cell Over Peri)方案，將有利整合元件廠(Integrated Device Ma
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