AI人工智能的應用，是全球科技產業最重要的議題，而創新IC設計更是先進AI芯片的決勝關鍵。重新定義IC設計可能性的擷發科技 (Microip Inc.)，將于2024年COMPUTEX臺北國際計算機展中，展示應用級別的先進"AI設計技術服務"與"全套IC設計解決方案"。 擷發科技董事長楊健盟帶領團隊于COMPUTEX 2024 展示先進"AI設計技術服務"和"全套IC設計解決方案"擷發科技董事長楊健盟表示："20
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擷發科技 COMPUTEX AI設計技術服務 IC設計
●? ?西門子集成的驗證套件能夠在整個IC設計周期內提供無縫的IP質量保證，為IP開發團隊提供完整的工作流程西門子數字化工業軟件日前推出 Solido? IP 驗證套件 (Solido IP Validation Suite)，這是一套完整的自動化簽核解決方案，可為包括標準單元、存儲器和 IP 模塊在內的設計知識產權 (IP) 提供質量保證。這一全新的解決方案提供完整的質量保證 (QA) 覆蓋范圍，涵蓋所有 IP 設計視圖和格式，還可提供 “版本到版本” 的 IP 認證，能夠提升完整芯
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西門子 Solido IP IC設計 IC 設計
IT之家 5 月 21 日消息，綜合韓媒 ZDNet Korea 和 The Elec 報道，三星電子執行副總裁 Lee Siwoo 在本月舉行的 IEEE IMW 2024 研討會上表示該企業計劃在明年推出 4F2 VCT DRAM 原型。目前 3D DRAM 領域商業化研究集中在兩種結構上：一種是 4F2 VCT（IT之家注：Vertical Channel Transistor，垂直通道晶體管） DRAM；另一種是 VS-CAT（Vertical Stacke
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3D 內存 存儲 三星
據TrendForce集邦咨詢研究顯示，2023年全球前十大IC設計業者營收合計約1,676億美元，年增長12%，關鍵在于NVIDIA（英偉達）帶動整體產業向上，其營收年成長幅度高達105%，Broadcom（博通）、Will Semiconductor（上海韋爾半導體）及MPS（芯源系統）年營收微幅成長，而其他企業則受景氣下行沖擊、庫存去化影響，年營收衰退。展望2024年，TrendForce集邦咨詢認為，除了IC庫存去化已恢復到健康水位，受惠于AI熱潮帶動，各大云端服務業者（CSP）持續擴大建設大語言
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IC設計 市場 nvidia
聯電昨（2）日所推出業界首項RFSOI 3D IC解決方案，此55奈米RFSOI制程平臺上所使用的硅堆棧技術，在不損耗射頻（RF）效能下，可將芯片尺寸縮小逾45％，聯電表示，此技術將應用于手機、物聯網和AR/VR，為加速5G世代鋪路，且該制程已獲得多項國際專利，準備投入量產。 聯電表示，RFSOI是用于低噪聲放大器、開關和天線調諧器等射頻芯片的晶圓制程。隨著新一代智能手機對頻段數量需求的不斷增長，聯電的RFSOI 3D IC解決方案，利用晶圓對晶圓的鍵合技術，并解決了芯片堆棧時常見的射頻干擾問題，將裝置中
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5G 聯電 RFSOI 3D IC
近日，晶圓代工大廠聯電舉行法說會，公布2024年第一季財報，合并營收546.3億元新臺幣，較2023年第四季549.6億元新臺幣減少0.6%，較2023年第一季542.1億元新臺幣成長0.8%。第一季毛利率達30.9%，歸屬母公司凈利104.6億元新臺幣。聯電共同總經理王石表示，由于電腦領域需求回升，第一季晶圓出貨量較2023年第四季成長4.5%。盡管產能利用率微幅下降至65%，成本控管及營運效率提升，仍維持相對穩健獲利。電源管理芯片、RFSOI芯片和人工智能AI服務器矽中介層需求推動下，特殊制程占總營收
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聯電 3D IC
光子學和電子學這兩個曾經分離的領域似乎正在趨于融合。
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3D-IC
Zivid最新SDK2.12正式發布，是對我們3D視覺相機的一次絕佳更新。本次發布中，我們全新的Omni Engine有了更驚人的性能提高。Omni v2提供了更長的工作距離，速度更快，點云質量更好，特別是在透明物體上。升級要點· Omni Engine v.2我們用于捕捉透明度的最先進的3D技術已經獲得了重大升級。Omni v2顯著減少了與成像透明物體相關的點云偽影和錯誤并且可以比以前快約35%地生成這些高質量的點云。當在高端GPU上運行時，我們推薦的預設和配置的捕獲時間從490毫秒減少到約315毫秒。
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在 AI 服務器中，內存帶寬問題越來越凸出，已經明顯阻礙了系統計算效率的提升。眼下，HBM 內存很火，它相對于傳統 DRAM，數據傳輸速度有了明顯提升，但是，隨著 AI 應用需求的發展，HBM 的帶寬也有限制，而理論上的存算一體可以徹底解決「存儲墻」問題，但該技術產品的成熟和量產還遙遙無期。在這樣的情況下，3D DRAM 成為了一個 HBM 之后的不錯選擇。目前，各大內存芯片廠商，以及全球知名半導體科研機構都在進行 3D DRAM 的研發工作，并且取得了不錯的進展，距離成熟產品量產不遠了。據首爾半導體行業
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3D DRAM
據國外媒體Xtech Nikkei報道，日本存儲芯片巨頭鎧俠（Kioxia）首席技術官（CTO）Hidefumi Miyajima近日在東京城市大學的應用物理學會春季會議上宣布，該公司計劃到2031年批量生產超過1000層的3D NAND Flash芯片。眾所周知，在所有的電子產品中，NAND閃存應用幾乎無處不在。而隨著云計算、大數據以及AI人工智能的發展，以SSD為代表的大容量存儲產品需求高漲，堆疊式閃存因此而受到市場的青睞。自三星2013年設計出垂直堆疊單元技術后，NAND廠商之間的競爭便主要集中在芯
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3D NAND 集邦咨詢
據天眼查信息，近日，上海芯享程半導體有限公司發生工商變更，新增股東比亞迪股份有限公司、嘉興市創啟開盈創業投資合伙企業（有限合伙），同時該公司注冊資本由約132.95萬元人民幣增至約147.8萬元人民幣。工商信息指出，上海芯享程半導體有限公司成立于2021年11月，法定代表人為肖知明，經營范圍含從事半導體科技、計算機科技、電子科技領域內的技術開發、技術咨詢、技術服務、技術轉讓，電子產品銷售，集成電路設計，工業設計服務等。官網顯示，上海芯享程半導體公司，致力于高品質，工業級/車規級電源管理類芯片以及高性能信號
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集成電路 IC設計
思特威（上海）電子科技股份有限公司，2024年4月1日，全球電子技術領域的領先媒體集團ASPENCORE發布了“2024中國IC設計Fabless100排行榜”。思特威再次入選TOP10傳感器公司，這是思特威連續第二年榮登此榜單。“中國IC設計Fabless100排行榜”由AspenCore分析師團隊根據量化數學模型、企業公開信息、廠商調查問卷，以及一手訪談資料等數據綜合評選產生，是中國電子技術和IC設計行業具影響力的權威榜單之一。思特威能夠再次當選TOP10傳感器公司，不僅代表了中國IC產業和行業權威媒
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IC設計 Fabless 思特威
根據韓國媒體TheElec的報導，英特爾執行長Pat Gelsinger去年會見韓國IC設計公司高層，并介紹英特爾芯片代工業務的最新發展。英特爾目標是大力向韓國IC設計公司銷售晶圓代工服務，以爭取商機。上周，英特爾首屆晶圓代工服務大會宣布，四年五節點計劃后，推出Intel 14A制程，芯片2027年量產。迄今晶圓代工業務已獲150億美元訂單，到2030年將成為全球第二大代工廠，目標是超越排名第二的三星，僅次市場龍頭臺積電。韓國媒體報導，三星晶圓代工重點在爭取國際大廠訂單，所以韓國IC設計公司幾乎很難拿到三
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從目前公開的DRAM（內存）技術來看，業界認為，3D DRAM是DRAM技術困局的破解方法之一，是未來內存市場的重要發展方向。3D DRAM與3D NAND是否異曲同工？如何解決尺寸限制等行業技術痛點？大廠布局情況？如何理解3D DRAM？DRAM（內存）單元電路是由一個晶體管和一個電容器組成，其中，晶體管負責傳輸電流，使信息（位）能夠被寫入或讀取，電容器則用于存儲位。DRAM廣泛應用于現代計算機、顯卡、便攜式設備和游戲機等需要低成本和高容量內存的數字電子設備。DRAM開發主要通過減小電路線寬來提高集成度
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