3d-ic設計 文章 最新資訊
國產廠商切入下一代存儲技術：3D DRAM
- 隨著 ChatGPT 等人工智能應用的爆發(fā)式增長，全球對算力的需求正以指數(shù)級態(tài)勢攀升。然而，人工智能的發(fā)展不僅依賴于性能強勁的計算芯片，更離不開高性能內存的協(xié)同配合。傳統(tǒng)內存已難以滿足 AI 芯片對數(shù)據(jù)傳輸速度的要求，而高帶寬內存（HBM）憑借創(chuàng)新的堆疊設計，成功攻克了帶寬瓶頸、功耗過高以及容量限制這三大關鍵難題，為 AI 應用的高效運行提供了重要支撐。但如今，傳統(tǒng) HBM 已經受限，3D DRAM 能夠提供更高帶寬。同時還能進一步優(yōu)化功耗表現(xiàn)，全球的存儲廠商也普遍將 3D
- 關鍵字： 3D DRAM
汽車應用3D-IC：利用人工智能驅動的EDA工具打破障礙
- 汽車行業(yè)正在經歷重大變革，因為它采用自動駕駛技術和超互聯(lián)生態(tài)系統(tǒng)等創(chuàng)新。這一變化的核心是對緊湊型、高性能半導體解決方案的需求不斷增長，這些解決方案能夠應對日益復雜的現(xiàn)代汽車架構。一項有前途的發(fā)展是三維集成電路 （3D-IC），這是一種創(chuàng)新的半導體設計方法，有可能重塑汽車市場。通過垂直堆疊多個芯片，3D-IC 提供卓越的性能、帶寬和能源效率，同時克服車輛系統(tǒng)的關鍵空間和熱限制。然而，盡管 3D-IC 具有潛力，但其設計和實施仍面臨重大挑戰(zhàn)。這就是人工智能驅動的電子設計自動化 （EDA） 工具發(fā)揮至關重要作用
- 關鍵字： 汽車應用 3D-IC 人工智能 EDA工具
實現(xiàn)120層堆疊，下一代3D DRAM將問世
- 高密度 3D DRAM 可能即將到來。
- 關鍵字： 3D DRAM
618恐成今年補貼最后一波 IC設計坦言需求難回天
- 2025年，中國長達一個月的618檔期終于在上周正式結束。 供應鏈人士直言，政策補貼效應大概到第2季就已經進入尾聲，整個618檔期大概就是這次補貼政策的最后一波銷售帶動，相比于過去每個購物節(jié)都能繳出不錯的成績單，今年的618則不如往年熱絡。業(yè)者坦言，雖然最終結算數(shù)據(jù)，比起去年好些，但因為現(xiàn)在中國各類促銷檔期都愈來愈長，顯然以往短時間沖刺的促銷動能已難以維持，多半都是以較長的促銷時間段，盡可能把更多銷售數(shù)據(jù)包含進來。即便中國從2024年底推出各種家電、消費電子產品的舊換新補貼政策，但IC設計業(yè)者觀察，其實近
- 關鍵字： 補貼 IC設計
2.5D/3D 芯片技術推動半導體封裝發(fā)展
- 來自日本東京科學研究所 （Science Tokyo） 的一組研究人員構思了一種名為 BBCube 的創(chuàng)新 2.5D/3D 芯片集成方法。傳統(tǒng)的系統(tǒng)級封裝 （SiP） 方法，即使用焊料凸塊將半導體芯片排列在二維平面 （2D） 中，具有與尺寸相關的限制，因此需要開發(fā)新型芯片集成技術。對于高性能計算，研究人員通過采用 3D 堆棧計算架構開發(fā)了一種新穎的電源技術，該架構由直接放置在動態(tài)隨機存取存儲器堆棧上方的處理單元組成，標志著 3D 芯片封裝的重大進步。為了實現(xiàn) BBCube，研究人員開發(fā)了涉及精確和高速粘合
- 關鍵字： 2.5D/3D 芯片技術 半導體封裝
2025中國IC設計公司TOP100排行榜
- EDA/IP公司和IDM并不是Fabless類別，但由于數(shù)量較少且和IC設計強相關也暫時納入了Fabless100的排名中（此排名只統(tǒng)計了A股），幫助大家了解其相對位置。
- 關鍵字： IC設計
Neo Semiconductor將IGZO添加到3D DRAM設計中
- 存儲設備研發(fā)公司Neo Semiconductor Inc.（加利福尼亞州圣何塞）推出了其3D-X-DRAM技術的銦-鎵-鋅-氧化物（IGZO）變體。3D-X-DRAM 于 2023 年首次發(fā)布。Neo 表示，它已經開發(fā)了一個晶體管、一個電容器 （1T1C） 和三個晶體管、零電容器 （3T0C） X-DRAM 單元，這些單元是可堆疊的。該公司表示，TCAD 仿真預測該技術能夠實現(xiàn) 10ns 的讀/寫速度和超過 450 秒的保持時間，芯片容量高達 512Gbit。這些設計的測試芯片預計將于 2026 年推出
- 關鍵字： Neo Semiconductor IGZO 3D DRAM
3D打印高性能射頻傳感器
- 中國的研究人員開發(fā)了一種開創(chuàng)性的方法，可以為射頻傳感器構建分辨率低于 10 微米的高縱橫比 3D 微結構。該技術以 1：4 的寬高比實現(xiàn)了深溝槽，同時還實現(xiàn)了對共振特性的精確控制并顯著提高了性能。這種混合技術不僅提高了 RF 超結構的品質因數(shù) （Q 因子） 和頻率可調性，而且還將器件占用空間減少了多達 45%。這為傳感、MEMS 和 RF 超材料領域的下一代應用鋪平了道路。電子束光刻和納米壓印等傳統(tǒng)光刻技術難以滿足對超精細、高縱橫比結構的需求。厚度控制不佳、側壁不均勻和材料限制限制了性能和可擴展性。該技術
- 關鍵字： 3D 射頻傳感器
閃迪提議HBF取代HBM，在邊緣實現(xiàn) AI
- Sandisk Corp. 正在尋求 3D-NAND 閃存的創(chuàng)新，該公司聲稱該創(chuàng)新可以取代基于 DRAM 的 HBM（高帶寬內存）用于 AI 推理應用。當 Sandisk 于 2025 年 2 月從數(shù)據(jù)存儲公司 Western Digital 分拆出來時，該公司表示，它打算在提供閃存產品的同時追求新興顛覆性內存技術的開發(fā)。在 2 月 11 日舉行的 Sandisk 投資者日上，即分拆前不久，即將上任的內存技術高級副總裁 Alper Ilkbahar 介紹了高帶寬閃存以及他稱之為 3D 矩陣內存的東西。在同
- 關鍵字： Sandisk 3D-NAND
IC設計業(yè)開始出現(xiàn)明顯兩極分化
- 根據(jù)TrendForce最新研究，2024年全球IC設計前十大業(yè)者，臺廠聯(lián)發(fā)科、瑞昱、聯(lián)詠再度上榜; 得益于AI熱潮的推進，英偉達不意外成為IC設計產業(yè)霸主，更獨占前十大業(yè)者總營收的50%。TrendForce分析，AI所需高端芯片制造需要龐大資本投入和先進技術，使得市場進入門檻極高，導致產業(yè)開始出現(xiàn)明顯寡占現(xiàn)象; 于2024年數(shù)據(jù)指出，前五大IC設計業(yè)者的營收合計占前十大業(yè)者總營收的90%以上，代表市場資源與技術優(yōu)勢正向少數(shù)領先企業(yè)集中。英偉達是AI浪潮最大受惠者，去年合并營收高達1,243億美元，占前
- 關鍵字： TrendForce IC設計 英偉達
通過左移DRC設計規(guī)則檢查方法降低IC設計復雜性
- 最成功的半導體公司都知道，集成電路 （IC） 設計日益復雜，這讓我們的傳統(tǒng)設計規(guī)則檢查 （DRC） 方法不堪重負。迭代的“通過校正構建”方法適用于更簡單的自定義布局，但現(xiàn)在卻造成了大量的運行時和資源瓶頸，阻礙了設計團隊有效驗證其高級設計和滿足緊迫的上市時間目標的能力。為了克服這種設計復雜性，主要半導體公司不斷從其生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴那里尋找有效的工具。西門子 EDA 是一家大型電子設計自動化 （EDA） 公司，它提供了一種新的、強大的左移驗證策略，他們對其進行了評估并宣布它改變了他們早期設計階段的游
- 關鍵字： 左移DRC 設計規(guī)則 IC設計 復雜性
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