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3d-ic 文章 最新資訊

三星加快部署3D芯片封裝技術 希望明年同臺積電展開競爭

  • 據國外媒體報道,本月中旬,三星展示了他們的3D芯片封裝技術,而外媒最新的報道顯示,三星已加快了這一技術的部署。外媒是援引行業觀察人士透露的消息,報道三星在加快3D芯片封裝技術的部署的。加快部署,是因為三星尋求明年開始同臺積電在先進芯片的封裝方面展開競爭。從外媒的報道來看,三星的3D芯片封裝技術名為“eXtended-Cube” ,簡稱“X-Cube”,是在本月中旬展示的,已經能用于7nm制程工藝。三星的3D芯片封裝技術,是一種利用垂直電氣連接而不是電線的封裝解決方案,允許多層超薄疊加,利用直通硅通孔技術來
  • 關鍵字: 三星  3D  芯片  封裝  臺積電  

Dialog作為瑞薩汽車平臺優選電源解決方案供應商,進一步擴展雙方合作

  • 領先的電池管理、AC/DC電源轉換、Wi-Fi、低功耗藍牙(BLE)、工業IC供應商 Dialog半導體公司 近日宣布,將進一步擴展其與先進半導體解決方案領先供應商瑞薩電子的合作,為瑞薩R-Car M3和R-Car E3汽車計算平臺提供電源管理IC(PMIC)解決方案。建立在與瑞薩R-Car Gen 2和R-Car H3平臺的合作基礎之上,針對R-Car M3和R-Car E3平臺的Dialog電源解決方案包括DA9063-A系統主PMIC和DA9224-A sub PMIC。每顆器件
  • 關鍵字: IC  BLE  PMIC  

三星電子展示3D晶圓封裝技術 可用于5納米和7納米制程

  • 據臺灣媒體報道,三星電子成功研發3D晶圓封裝技術“X-Cube”,稱這種垂直堆疊的封裝方法,可用于7納米制程,能提高該公司晶圓代工能力。圖片來自三星電子官方三星的3D IC封裝技術X-Cube,采用硅穿孔科技(through-silicon Via、簡稱TSV),能讓速度和能源效益大幅提升,以協助解決次世代應用嚴苛的表現需求,如5G、人工智能(AI)、高效能運算、行動和穿戴設備等。三星晶圓代工市場策略的資深副總裁Moonsoo Kang表示,三星的新3D整合技術,確保TSV在先進的極紫外光(EUV)制程節
  • 關鍵字: 三星  3D  晶圓  封裝  

ADALM2000實驗:共發射極放大器

  • 目標本活動的目的是研究BJT的共發射極配置。?背景知識共發射極放大器是三種基本單級放大器拓撲之一。BJT共發射極放大器一般用作反相電壓放大器。晶體管的基極端為輸入,集電極端為輸出,而發射極為輸入和輸出共用(可連接至參考地端或電源軌),所謂“共射”即由此而來。?材料■? ?ADALM2000主動學習模塊■? ?無焊面包板??? 五個電阻??? 一個50 kΩ可變電阻、電位計??? 一個小信
  • 關鍵字: VBE  IC  NPN  

Dialog宣布其FusionHD? NOR閃存兼容并已在SmartBond?低功耗藍牙無線MCU平臺上認證

  • 領先的電池管理、AC/DC電源轉換、Wi-Fi、低功耗藍牙(BLE)、工業IC供應商 Dialog半導體公司 近日宣布,其收購Adesto Technologies后新增的產品FusionHD? NOR閃存完全兼容并可與Dialog的SmartBond? DA1469x低功耗藍牙(BLE)微控制器(MCU)搭配使用。采用該組合解決方案,客戶將能在廣泛的工業和聯網消費類應用中部署最新的低功耗藍牙技術,同時將功耗控制在極低水平。Dialog半導體公司工業事業部副總裁Raphael Mehr
  • 關鍵字: NVM  BLE  IC  SNC  

Littelfuse新推尺寸最小的PPTC保護便攜設備,可避免因過電流、過熱條件而損壞

  • 全球領先的電路保護、功率控制和傳感技術制造商Littelfuse, Inc.  近日宣布推出新的PPTC產品系列,該產品系列旨在讓當今最常用的消費電子產品的下一代產品變得更小巧、更可靠。 PolySwitch? zeptoSMDC 系列在鋰離子電池組IC和電量計的信號線上提供強大的過電流和過電壓保護。 該系列PPTC針對高壓(13 VDC)應用。 該系列具有較小的0201表面貼裝尺寸,是尺寸越來越小的移動和可穿戴產品設計的理想選擇。作為Littelfuse PolySwitch自恢復過
  • 關鍵字: POS  PPTC  IC  

Mentor 推出 Calibre nmLVS-Recon 技術,顯著簡化 IC 電路驗證過程

  • 為了幫助集成電路 (IC) 設計人員更快地實現設計收斂,Mentor, a Siemens business 近日將Calibre? Recon 技術擴展至 Calibre nmLVS 電路驗證平臺。Calibre Recon 技術于2019年推出,作為 Mentor Calibre nmDRC 套件的擴展,旨在幫助客戶在早期驗證設計迭代期間快速、自動和準確地分析 IC 設計中的錯誤,從而極大地縮短設計周期和產品上市時間。●? ?Calibre nmLVS-Recon?技術可
  • 關鍵字: IC  SoC  IDM  

高效節能!Silicon Mitus汽車用AVN電源管理IC亮相

  • 電源管理半導體IC設計公司Silicon Mitus 近日推出用于汽車車載主機(AVN)的SoC電源管理IC “SM6700Q”。通過汽車AVN電源管理IC能夠從汽車電池流入的電源有效切換、分配及控制于車輛SoC平臺上。另外,新產品SM6700Q高度符合汽車AVN的SoC上所需要的電源、CPU、存儲、I/O和I/F等各種電源需求。SM6700Q的特征為:支持3.5~5.5V輸入范圍;搭載6個降壓穩壓器 (Buck Regulator) 和6個LDO Regulator;具有4CH的10-bit模擬數字變換
  • 關鍵字: PMIC  AVN  IC  SoC  QFN  

多重因素交織,從CITE 2020看中國集成電路如何“乘風破浪”

  • 第八屆中國電子信息博覽會(英文簡稱“CITE 2020”)將于2020年8月14-16日在深圳會展中心舉行,CITE2020距離上一屆中國電子信息博覽會已經過去一年帶三個月。多出的三個月可謂風雨交加,新冠疫情的爆發對中國乃至全球集成電路造成一定影響,而CITE 2020的舉辦釋放著產業復工復產、穩步前行、尋找新機遇等多重信號。不止疫情,一年多時間來,中國集成電路產業面臨復雜國際形勢以及新基建、科創板等危與機。多重因素交織下的CITE 2020,上演了一出中國集成電路“乘風破浪”的好戲。多出好“戲”“好戲”
  • 關鍵字: 預測  CITE 2020  新基建  IC  

貿澤開售Laird Connectivity Pinnacle 100系列調制解調器

  • 專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿澤電子 ( Mouser Electronics ) 即日起開始分銷 Laird Connectivity 的全新 Pinnacle 100 蜂窩調制解調器。此多功能無線調制解調器將藍牙5技術的優點與低功耗蜂窩LTE連接技術結合在一個全集成解決方案中。Pinnacle 100調制解調器通過了無線電監管、蜂窩和網絡運營商的全面認證,是在物聯網 (IoT) 應用邊緣運行的電池供電設備的理想 低功耗&nb
  • 關鍵字: RTOS  IC  IoT  

東芝與MikroElektronika展開合作,為電機驅動IC開發評估板

  • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布,與MikroElektronika(“Mikroe”)合作推出基于東芝電機驅動IC的Click boards?開發評估板。Mikroe是一家設計和制造用于嵌入式系統開發的軟硬件工具的公司。客戶現在可通過由Mikroe制造和銷售的評估板Click boards?對東芝電機驅動IC進行評估。東芝高度集成的電機驅動IC擁有四十多年的歷史,因得到電機控制系統的普遍采用而在業界廣受推崇。為控制多種應用中的直流有刷電機、直流無刷電機和步進電機,東芝提供豐富的電機驅動
  • 關鍵字: NVM  IC  MOSFET  

英飛凌旗下IR HiRel公司助力NASA毅力號火星探測車創造新里程碑

  • 美國國家航空航天局(NASA) 噴氣推進實驗室于7月30日將毅力號 (Perseverance) 探測車送上了太空,展開火星探測之旅。這輛探測車預計將于 2021 年 2 月在火星著陸。英飛凌科技股份公司 旗下的企業IR HiRel,為該探測車提供了數千個經過抗輻射強化 (Rad Hard) 的關鍵組件。這是該公司電力電子組件第五次登上 NASA 的火星探測車。IR HiRel曾相繼為 1997 年的索杰納號 (Sojourner)、 2004 年的機遇號 (Opportunity) 和勇氣號 (Spir
  • 關鍵字: MOSFET  IC  NASA  IR  

5A、3.3V和5V電源符合嚴格的EMI輻射標準

  • 嚴苛的汽車和工業環境中的噪聲敏感型應用需要適用于狹小空間的低噪聲、高效率降壓穩壓器。通常會選擇內置MOSFET功率開關的單片式降壓穩壓器,與傳統控制器IC和外部MOSFET相比,這種整體解決方案的尺寸相對較小。可在高頻率(遠高于AM頻段的2 MHz范圍內)下工作的單片式穩壓器也有助于減小外部元件的尺寸。此外,如果穩壓器的最小導通時間(TON)較低,則無需中間穩壓,可直接在較高的電壓軌上工作,從而節約空間并降低復雜性。減少最小導通時間需要快速開關邊沿和最小死區時間控制,以有效減少開關損耗并支持高開關頻率操作
  • 關鍵字: EMI  FET  AM  SSFM  PWM  IC  MOSFET  

GaN 器件的直接驅動配置

  • 受益于集成器件保護,直接驅動GaN器件可實現更高的開關電源效率和更佳的系統級可靠性。高電壓(600V)氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)的開關特性可實現提高開關模式電源效率和密度的新型拓撲。GaN具有低寄生電容(Ciss、Coss、Crss)和無第三象限反向恢復的特點。這些特性可實現諸如圖騰柱無橋功率因數控制器(PFC)等較高頻率的硬開關拓撲。由于它們的高開關損耗,MOSFET和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)實現此類拓撲。本文中,我們將重點介紹直接驅動GaN晶體管的優點,包括更低的開關損耗、更佳
  • 關鍵字: MOSFET  HEMT  GaN  PFC  IGBT  IC  

西門子收購 Avatar,通過創新的布局布線技術擴展 EDA 版圖

  • 西門子近期簽署協議收購總部位于美國加利福尼亞州的Avatar Integrated Systems公司(Avatar)。Avatar是一家專注于為集成電路 (IC) 設計提供布局布線 (place and route) 軟件的領先開發商,能夠幫助工程師以更少的資源優化復雜芯片的功耗、性能和尺寸 (PPA)。西門子計劃將Avatar的技術添加到 Xcelerator 解決方案組合中,作為 Mentor IC 軟件套件的一部分,以適應不斷增長的布局布線細分市場。Avatar 將與 Mentor包括 Calib
  • 關鍵字: PPA  IC  
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3d-ic介紹

3D IC產業鏈依制程可概略區分成3大技術主軸,分別是前段(Front-end)、中段(Middle-end)及后段(Backend)。前段制程涵蓋芯片前段CMOS制程、晶圓穿孔、絕緣層(Isolation)、銅或鎢電鍍(Plating),由晶圓廠負責。為了日后芯片堆疊需求,TSV芯片必須經過晶圓研磨薄化(Wafer Thinning)、布線(RDL)、晶圓凸塊等制程,稱之為中段,可由晶圓廠或封測 [ 查看詳細 ]

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